趣味DIY硬件之走进“胶水”处理器的世界

阿 明

从双核到四核，Intel和AMD之间关于多内核处理器的口水战就没有停止过。在人们经历了“真假双核”的狂轰烂炸之后，选购CPU的时候更冷静和理智了。事实上，“真假双核”之争并没有所谓的失败者，只是AMD获利更多一些罢了。现在的“真假四核”无非是当年“真假双核”的延续，只是在各种评测之中，AMD的“真四核”性能却不如英特尔的“胶水黏合”，其实“无论黑猫白猫，能抓耗子的就是好猫”，现在就让我们一起回顾处理器发展史上有哪些产品属于“胶水”处理器。

引发口水大战的“胶水”处理器：Intel奔腾D双核

其实这还是要从AMD双核速龙处理器说起：当时Intel坚持走摩尔定律不动摇，直至Pentium4 3.0GHz外加HT技术的处理器产品诞生，Intel给玩家的感觉像是武侠小说里的走火入魔，高热量，高能耗，低性能的产品不断。而在AMD推出双核速龙处理器以后，立刻导致Intel瞬间败北。

之后Intel为了应急推出了Pentium D(以下简称PD)双核处理器，这款把两个单核处理器粘在一起的产品，显然没有达到预期的效果，不过面对着AMD双核处理器的“真双核”还是有备而来，Intel首款“胶水”双核也是为多核之路当了回小白鼠，也正是这样才让Intel开始发展自己的“真双核”，不过“胶水”CPU也从那以后成为Intel最爱。“真假双核”说法从那时开始应运而生，对立双方各执一词，然而PD作为Intel首款双核桌面处理器，没有功劳也有苦劳，在轰轰烈烈的“双核圈地运动”之中更是立下汗马功劳。

“胶水”玩上瘾：功耗最低的双核Atom N330

伴随着“胶水”CPU一路走来的Intel，虽然在全新架构Corei7中，重登真四核领域，但是“胶水”的理念却已根深蒂固，这不就在低功耗领域明目张胆地重操旧业玩起了“胶水”大法近期Intel发布了一款双核Atom低功耗处理器，型号为Atom N330，该处理器拥有1.6GHz主频，采用45nm工艺，拥有2个核心，TDP仅有8W，拥有533MHz的FSB，1MB二级缓存，售价达到了43美元。

对拥有真双核和真四核的Intel来说，似乎是“我有真双核，但是我也乐意玩‘胶水双核”。

GPU玩起“胶水”大法：带桥接芯片的处理器

不仅CPU喜欢玩“胶水”大法，就连GPU也玩过。NVIDIA曾经推出过一款名为NV45显示芯片就出现过这一幕。

NV45芯片是显卡从AGP接口迈向PCI-E接口的一个折中的方案，NVIDIA在推出GeForce 68002之后，身为VGA市场的两大龙头之一，更是承接了原有的GeForce FX整个系列的新变革，而GeForce 6800系列的出现无疑是NVIDA新秘密武器，不过，即使是GeForce 6800系列一开始出现的版本仍旧是AGP 8X的规格，在搭配Intel i915与i925X系列的PCI-E架构上，仍需要PCX系列或是GeForce 6800Ultra PCI-E版本才行，随着GeForce 6800系列也就是NV40的推出之后，采用PCI-E规格的GeForce 6系列也陆续现身，这就是为什么NV45芯片上会有一个桥接芯片，其实就是“NV40+HSI”的组合，这也是最初AGP转向PCI-E接口的雏形。

GPU与缓存也“胶水”：带缓存的XBOX 360 GPU

要达到电路的高度整合，采用的方式绝对不止集成电路一种而已，若不变动多年来的传统集成电路封装做法，则持续增加整合度的方式只有一个密度制程继续提升。现有的特定应用集成电路以及系统单芯等都是拜密度提升之赐而获得持续发展。不过在某些领域也开始有反传统的作法出现，其中包括多芯片模块，系统单封装等，MCM仍然是属于半导体封装制程的范畴，但改变的地方是：它不再只封装单一个裸晶(Die)，而是封装一个以上的裸晶，可能为两个，也可能三个，甚至更多。

Xenos与之前看到的Intel双核四核非原生处理器封装相同，Xe-nos除了GPU自身的裸晶外，主要是额外再封装～颗嵌入式内存的裸晶，这个嵌入式的内存由NEC研发，容量为10MB，并由NEC称之为eDRAM。

更严格来说，与C1共同封装的eDRAM，等于扮演一种显示核心高速缓存的角色，由于XBOX 360采用的是一体式内存架构，为了让视频处理执行与传输更为快速，采用视频缓存是一种折衷可行的方式，因此Xenos内部嵌入了10MB的eDRAM，于是就有了这种“胶水”关系。

总结：“胶水”处理器应用在未来会更广泛

最后，我们可以感受到，一些国际大厂为何要在最王牌尖端的芯片产品上使用我们俗称的MCM“胶水”技术其实有时候“胶水“技术也未必是落后的象征，只是针对的实现目的不同而已

1、实现更高的芯片间传输性能。例如Microsoft/AT1 Xenos是为了追求性能而内嵌eDRAM，此外IBM大型主机用处理器，以及POWER4/4+/5/5+等，也都是为了性能而使用MCM“胶水”技术，求性能为首要，整合度提升则为次要。

2、更高整合、多核竞赛。Intel为求在双核，多核的推出进度上能够加快，因此三步并两步来加紧追赶，如此不仅使用裸晶层面的多核整合技术，同时也使用了封装层面的多核整合技术。

所以，此项技术还是以各自分开设计与分开发展为宜，最后再运用MCM封装方式来加速互连，以获得比PCB电路板层次更高的性能，但又由于核心裸晶层不具备设计弹性，因此MCM将是整合度、互连性能高于板卡层，但电路发展与设计弹性又高于裸晶层的一种技术，相信未来此种技术的应用前景将不可低估。