专利名称:一维氧化钼纳米棒气敏材料及其制备方法和应用

专利申请号:CN201110204525.3

公开号:CN102351250A

申请日:2011.07.21

公开日:2012.02.15

申请人:北京化工大学

本发明提供了一种一维氧化钼纳米棒的气敏材料及其制备方法及其应用。本发明采用钼盐与酸溶液在表面活性剂和超声的条件下成功制备了氧化钼纳米棒，该氧化钼直径为200 ～900 nm，长度为1 ～7 μm。本发明所采用的方法与现有的一维氧化钼纳米材料制备方法相比，具有设备简单、操作方便、实验条件温和、成本低廉等优点。制备的氧化钼纳米棒在较低操作温度下对氧化性气体NO2具有高灵敏度和对还原性气体CO 和CH4具有高选择性，适用于检测环境中微量二氧化氮气体。