Fe2+∶ZnSe激光晶体光学吸收及激光输出性能

2014-06-07 07:15夏士兴张月娟李兴旺王永国莫小刚申英杰姚宝权
激光与红外 2014年9期
关键词:热扩散波段晶体

夏士兴,张月娟,李兴旺,王永国,莫小刚,申英杰,姚宝权

Fe2+∶ZnSe激光晶体光学吸收及激光输出性能

夏士兴1,2,张月娟2,李兴旺2,王永国1,2,莫小刚2,申英杰3,姚宝权3

(1.华北光电技术研究所;2.北京雷生强式科技有限责任公司,北京100015;3.哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家重点实验室,哈尔滨150001)

采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,测试晶体样品中铁离子浓度达1.27× 1018cm-3。分析了Fe2+∶ZnSe晶体光谱的光学吸收特性,在室温条件下,采用2.90μm激光器泵浦Fe2+∶ZnSe晶体,获得了中心波长4.45μm,平均功率67 mW的中红外激光输出。

Fe2+;ZnSe晶体;离子浓度;光学吸收;激光输出

1 引 言

掺铁硒化锌(Fe2+∶ZnSe)晶体是一种可由激光器直接泵浦产生中红外(3~5μm)激光输出的激光晶体材料。其荧光寿命为0.3~100μs,波长调谐范围为3.7~5.1μm,且在低温与室温下均可实现中红外激光输出[1-4],被认为是非常有前途的激光晶体材料之一[5-8]。

本文采用ZnSe晶体为基质材料,FeSe为掺杂物,采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体。分析了Fe2+∶ZnSe晶体光学谱的吸收特性,实验测试了Fe2+∶ZnSe晶体的激光输出性能。

2 实 验

本文中以化学气相沉积(CVD)硒化锌(ZnSe)晶体为基质材料,纯度为99.998%的硒化亚铁(FeSe)粉末为掺杂物,通过热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体。图1是采用热扩散掺杂技术制备的Fe2+∶ZnSe晶体照片。由图1中可以看出,制备的Fe2+∶ZnSe晶体呈深棕黄色,色泽均匀,晶体尺寸达Φ22 mm×2 mm。

采用Perkin Elmer型号Lambda900的UV/VIS/NIR Spectrometer和BRUKER型号EQUINOX55的红外光谱仪测试了Fe2+∶ZnSe晶体的红外透过光谱。采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了热扩散掺杂技术制备的Fe2+∶ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度。采用2.90μm激光器为泵浦源抽运Fe2+∶ZnSe晶体,测试了Fe2+∶ZnSe晶体的激光输出性能。

图1 Fe2+∶ZnSe晶体照片Fig1 Photo of Fe2+∶ZnSe crystal

3 结果与讨论

图2是热扩散掺杂前基质ZnSe晶体与热扩散掺杂后Fe2+∶ZnSe晶体的红外透过率对照谱图。

图2 ZnSe晶体与Fe2+∶ZnSe晶体的透过谱Fig.2 Transmission spectrum of ZnSe and Fe2+∶ZnSe crystal

由图2中可以看出,热扩散掺杂后Fe2+∶ZnSe晶体的透过率略小热扩散掺杂前基质ZnSe晶体的透过率,制得的Fe2+∶ZnSe晶体在2.9μm附近出现了明显的Fe2+离子特征宽带吸收,吸收峰宽度为2.2~5.3μm。

由于2.5~3.0μm波段范围是Fe2+∶ZnSe晶体泵浦源激光器主要工作波段,本文深入分析Fe2+∶ZnSe晶体在的此波段范围内的红外透过谱图。本文选取了两块热扩散掺杂制得的Fe2+∶ZnSe晶体和一块ZnSe晶体对其红外透过谱进行了分析。两块Fe2+∶ZnSe晶体的编号分别为1#和2#,其中1#(Fe2+∶ZnSe)晶体样品中铁离子掺杂浓度达9.13× 1017cm-3,2#(Fe2+∶ZnSe)激光晶体样品中铁离子掺杂浓度达1.27×1018cm-3。

图3是选取的两块热扩散掺杂制得的Fe2+∶ZnSe晶体和ZnSe晶体在1.8~3.0μm波段范围红外透过谱。由图3中可以看出,1#和2#(Fe2+∶ZnSe)晶体在2.2~3.0μm波段范围内相对ZnSe晶体出现了较大的吸收,这部分吸收是Fe2+离子特征吸收的一部分,且2#(Fe2+∶ZnSe)晶体的吸收强度略大于1#(Fe2+∶ZnSe)晶体的吸收强度。

图3 ZnSe与Fe2+∶ZnSe晶体的2.2~3.0μm波段透过谱Fig.3 Transmission spectrum of ZnSe and Fe2+∶ZnSe crystal at2.2~3.0μm

分析图3中1.8~3.0μm波段范围内的光学吸收,除了Fe2+离子特征吸收外,可能还有Fe3+离子引起的Zn2+离子的空位缺陷吸收,Fe2+/Fe3+离子的共同存在使Fe2+∶ZnSe晶体光谱在1.8~3.0μm波段范围内的吸收强度增加,且随着铁离子掺杂浓度的增大,1.8~3.0μm波段范围内的吸收强度也在增加。

研究过程中发现,随着铁离子掺杂浓度的增大,Fe2+∶ZnSe晶体在近红外区的吸收也在增大。图4是ZnSe与Fe2+∶ZnSe晶体在0.45~0.6μm波段范围内的透过谱。由图4可以看出,Fe2+∶ZnSe晶体紫外吸收边相对ZnSe晶体紫外吸收边发生了红移,且随铁离子掺杂浓度的增大,吸收边红移越趋明显,图4中表现为铁离子掺杂浓度较高的2#(Fe2+∶ZnSe)晶体的吸收边红移趋势比1#(Fe2+∶ZnSe)晶体的吸收边红移趋势明显。分析发生红移的原因,主要是由于制备的Fe2+∶ZnSe晶体是以ZnSe晶体为基质材料,在ZnSe晶体中掺杂的Fe2+离子相对于ZnSe晶体中格点位置上的Zn2+离子被Fe2+离子取代,使ZnSe晶体发生了空位缺陷VFeZn,正是空位缺陷VFeZn的存在,使Fe2+∶ZnSe晶体紫外吸收边相对ZnSe晶体紫外吸收边发生了红移,且随铁离子掺杂浓度的增大,吸收边红移越趋明显。

图4 0.45~0.6μm波段范围内ZnSe与Fe2+∶ZnSe晶体的透过谱Fig.4 Transmission spectrum of ZnSe and Fe2+∶ZnSe crystal at0.45~0.6μm

切取尺寸为4 mm×4 mm×2 mm的Fe2+∶ZnSe晶体样品,精细抛光后,在晶体样品两侧镀增透膜。采用波长2.90μm重复频率1 kHz的泵浦源激光器抽运Fe2+∶ZnSe晶体,当泵浦源平均功率输出1.4 W时,获得了中心波长4.45μm,脉冲宽度25 ns,平均功率67 mW的中红外激光输出。图5是Fe2+∶ZnSe晶体样品激光输出波长调谐范围。

图5 调谐波长Fig.5 Tuning wavelength

4 结 论

采用热扩散掺杂技术获得了光学性能较好的Fe2+∶ZnSe晶体,制得的Fe2+∶ZnSe晶体中铁离子掺杂浓度达1.27×1018cm-3;该晶体样品在2.9μm附近出现了明显的Fe2+离子特征宽带吸收,吸收峰宽度由2.2μm至5.3μm;Fe2+∶ZnSe晶体紫外吸收边相对ZnSe晶体紫外吸收边发生了红移,且随铁离子掺杂浓度的增大,吸收边红移越趋明显;室温条件下,Fe2+∶ZnSe晶体实现了中心波长4.45μm,平均功率67 mW的中红外激光输出。

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Optical absorption and laser output performance of Fe2+∶ZnSe laser crystal

XIA Shi-xing1,2,ZHANG Yue-juan2,LIXing-wang2,WANG Yong-guo1,2,MO Xiao-gang2,SHEN Ying-jie3,YAO Bao-quan3
(1.North China Research Institute of Electro-optics,Beijing,100015,China;2.Beijing Opto-Electronics Technology Co.Ltd.,Beijing,100015,China;3.National Key Laboratory of Tunable Laser Technology,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China)

The Fe2+∶ZnSe crystal has been prepared by thermal diffusion doping technique.The iron ions doping concentration that was measured by Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS)in the crystal sample reaches 1.27× 1018cm-3.The optical absorption spectrum of the Fe2+∶ZnSe crystalwas analyzed.The results show thata 2.90μm laser is used to pump the Fe2+∶ZnSe crystal at room temperature,67 mW average power ofmid-infrared laser output at center wavelength 4.45μm is obtained.

Fe2+∶ZnSe crystals;ions concentration;optical absorption;laser output

TN244

A

10.3969/j.issn.1001-5078.2014.09.010

1001-5078(2014)09-1000-03

夏士兴(1972-),男,博士,高级工程师。主要从事红外非线光学材料制备与光学性能研究。E-mail:xiashixing@oet.com.cn

2013-11-26

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