全身照射技术的临床应用(之二)——电子束全身皮肤放射治疗

张绍刚，李高峰，徐勇刚

(卫生部北京医院 放射治疗科，北京100730)

全身照射技术的临床应用(之二)
——电子束全身皮肤放射治疗

张绍刚，李高峰，徐勇刚

(卫生部北京医院 放射治疗科，北京100730)

放射治疗技术自1951年开始应用全身皮肤电子束照射(Total Skin Electron Irradiation-TSEI)以来，到目前为止仍被临床医生认为是治疗皮肤恶性淋巴瘤的最有效的方法之一。对于接受TSEI治疗的早期患者40%可获得长期无瘤生存。

0 引言

皮肤恶性淋巴瘤包括:①低度恶性的原发性皮肤T细胞淋巴瘤，如蕈样霉菌病(MF)、赛塞利综合症(Sezary syndrome，SS)等;②高度恶性原发性皮肤T细胞淋巴瘤;③低度恶性原发性皮肤B细胞淋巴瘤。

MF即蕈样霉菌病，占皮肤恶性淋巴瘤的50%，是最多见的类型，预后好，5年生存率87%。病变主要分为红斑期、斑块期以及肿瘤期，且具有从红斑期、斑块期至肿瘤期的演变过程。TSEI适用于MF的治疗，而且在某些MF的治疗中占主要的地位，被认为是放疗高度敏感的肿瘤，有时可以观察到低至1戈瑞(Gy)的放疗即可使MF得到一定程度的缓解。对于早期蕈样肉芽肿，有报道经6周的放射治疗，3个月后临床完全缓解率达97%，5年和10年中位生存率分别可达86%和71%，无病生存率分别可达41%和39%。对于晚期患者，全身皮肤电子线治疗仍可以获得较好的疗效，每日照射剂量1Gy，总剂量25Gy，50%患者可获得完全缓解，39%可获得部分缓解，1年无进展生存率达到24%，89%的患者，其淋巴瘤相关症状得以改善［1］。

放疗的剂量根据治疗的目的不同选择的范围比较宽。姑息治疗剂量，15～20Gy已足够。但近年的研究显示MF完全缓解率仍然呈现出明显的剂量依赖特点:10～20Gy对应的完全缓解率只有55%，当剂量达到30Gy以后，完全缓解率达到了94%，单一疗程的TSEI剂量一般不应超过36Gy，否则急性期反应较重［2］。

1 治疗后并发症

1.1 近期并发症

(1)TSEI照射剂量超过10Gy时，病人皮肤会轻度潮红，干性脱皮和色素沉着。

(2)高剂量(＞25Gy)时，有些病人会出现手肿和踝部水肿，偶尔会发生大水疱，这时应予局部防护或暂停放疗。

(3)头发和指甲除非遮挡，否则这些皮肤附属物在治疗后会脱落，其再生时间为4～6个月。

(4)可能会出现男性乳房发育，其机理尚不清楚。

1.2 长期病发症

(1)TSEI照射剂量小于10Gy时，皮肤慢性损伤很轻，直到25Gy时，皮肤损伤也不严重，可以接受。

(2)放射性急、慢性损伤的性质和严重程度与一系列因素有关，如放射技术、分割方式、总剂量、是否同时应用局部或全身化疗药、以前有没有做过治疗以及放疗前皮肤的情况如何。

(3)最长见的改变是表皮萎缩出现皱纹、毛细血管扩张、皮肤干燥以及不均匀的色素沉着等。

(4)高剂量照射可能产生比较明显的皮肤异常色斑、永久脱发、皮肤脆性增加以及皮下纤维化，但这些并发症并不多见［3］。

2 全身皮肤电子束照射技术

2.1 TSEI照射方法

临床上，放疗应用医用电子直线加速器产生的4～6MeV的电子束，其最大剂量所在深度为4～5mm，对于大部分病人限于照射表皮以及真皮层，也就是说治疗深度只有几毫米(有肿块或者深溃疡除外)，由于低能电子束入射后表面剂量高，剂量跌落快，病变后的正常组织能得到保护，故放疗成为治疗病人的首选，其中又以TSEI应用最为广泛。在常规条件下，加速器产生的电子束单一的照射野不可能覆盖患者的全身，但是由于在加速器的加速管里通过微波电场加速得到一定能量的高速电子在270°偏转磁铁产生的磁场的作用下被引出电子窗，而电子窗的直径仅有几个mm，被引出的电子束经准直器准直后在空间扩散，其到达病人皮肤表面的距离越远则照射野越大，所以临床上通常采用延长治疗距离，利用电子束扩散的特性，以获得足够大的照射野。国际上许多肿瘤中心开展这一治疗，早在70、80年代，国外曾有医院就采用一个能包罗人体全身的固定的水平野做远距离照射和加速器的机架旋转形成弧形的动态照射野的方法，以及让患者站立在马达驱动的转台上做慢速旋转以替代多野照射的方法。目前国内外普遍采用的技术是美国斯坦福医学院创立的双机架角多野照射方法［4］，该技术要求机架旋转90°角，射线束呈水平入射，患者取站立姿势，身体以腹部(平脐)为分界，分上、下两段照射，每段照射6个野，即每野病人自转60°角，上下两段全程累计12个照射野为一个周期。对于4d完成一个周期照射的患者而言，治疗过程可安排成第一天照射上体一个正前野、两个斜后野，共三个野;第二天照射一个正后野、两个斜前野;第三、四天转为下半身，如此循环往复［5］。总照射剂量因患者具体病情而定，通常为30 Gy。

如图2所示，病人在接受TSEI照射时，由于上面提到的电子束的扩散则在上下两段相邻处，其皮下就会出现一定的射线重叠从而形成超剂量照射，为此在上下两段照射时，机架可分别向上、向下各给出±20°左右角度［6］以避免因重叠而引起皮下过剂量照射。目前安装的加速器都装备有独立准直器即非对称准直器，在两野交界处可利用其半束照射的方法以避免皮下组织超剂量照射。

图1 患者体位及照射模式示意图

图2 双机架角多野电子束全身皮肤照射技术示意图

2.2 处方剂量的计算

承上所述，12个野为一个照射周期，经一个照射周期后，每个局部的实际受量仅为单野的3倍(即K≈3)左右。冯宁远著《实用放射治疗物理学》一书中，K值在2．87～3．28之间;胡逸民主编《肿瘤放射物理学》，指出K值约在2．5～3．0。笔者使用片状(直径＜5mm，厚度＜0．8mm，)的热释光剂量元件(TLD)在非均匀人体模型和患者身体表面处进行多次测算，具体测算方法:在能量响应、相对灵敏度、剂量线性范围适中的，同一批次200枚以上的TLD中筛选出6玫，分散性＜2%的剂量元件，分两组分别封装在专用的黑色塑袋中，两组TLD并列粘贴在患者皮肤表面的脐部(或人体模型表面脐部)，在正面的中前野辐照完毕，取下一组TLD后，另一组TLD用与中前野相同的照射剂量继续接受左前、右前、左后、右后和中后野的辐照，之后两组元件经TLD读出器测读并计算，其结果局部受量为单野的2．8～3．0倍。

2.3 有机玻璃散射屏的应用及厚度的选择

在对患者进行TSEI照射时，应在靠近人体皮肤表面放置一块具有一定厚度的有机玻璃散射屏，其目的有两个:一是衰减射线的能量。通常使用的加速器产生的电子束能量最低为6MeV，而适合于皮肤恶性淋巴瘤治疗的电子束能量一般在2．5～4．5MeV［7］范围内，因此要依据病人病变的深度，选择不同厚度的有机玻璃散射屏使其电子束的能量衰减至病人治疗所需要的能量;二是增加表浅的皮肤剂量。皮肤表面和皮下某一点的剂量由原射线与散射线两部分构成，由散射屏产生的散射线可改变和提高皮肤表面及皮下浅表剂量。表1就是在改变有机玻璃散射屏的厚度时，使用三维自动扫描水模体系统的测量结果，其表明①对6MeV电子束，源于源皮距从常规的 SSD=100cm延长至300～400cm时，由于空气层的吸收，其模体表面的平均入射能量Ē0由原来的6MeV，衰减到5．4MeV左右;②散射屏的厚度从0增至10mm，其能量Ē0可减弱到2．5MeV左右;其皮肤量Ds也由75%提高到100%，最大剂量点Dm向皮肤逐渐靠近。这样，医生可根据患者病变的深度选用0～10mm之间厚度的有机玻璃散射屏。③d80和d50分别是百分深度剂量80%与50%所在的深度;Rp为该电子束在水模中的射程;④BG值为电子线的X线污染的大小，即本底剂量，它是TSEI照射的一个重要指标。X射线是由加速器机头射出的电子束在通过散射萡、透射电离室、限光筒等物质产生的X射线轫致辐射，其穿透力强，在TSEI照射中其值要求尽可能的小［8］。

表1 散射屏厚对深度剂量曲线数据的影响

2.4 提高加速器的输出剂量率

由于加速器的输出剂量与射线源到病人皮肤表面空间距离的平方成反比(对电子束而言仅在大野情况下)，射线源距病人皮肤愈远，则输出量就愈低，如源到病人皮肤的距离为400cm左右，其输出量大约相当于常规治疗距离的1/30，为减少病人站立的时间，需提高加速器输出剂量率，即大幅度提高每分钟的戈瑞数，可由工程师通过改变加速器的电子枪灯丝电压的手段有效地提高输出剂量率［9］，同时并由物理师对改变后的输出剂量进行具体测算;当前国外厂家生产的医用电子直线加速器都有TSEI特殊模式，可提供高剂量率对病人实施治疗。

2.5 TSEI病人的局部补量

理想的TSEI治疗，要求全身受照射剂量均匀，但由于人体几何形状及各部位的截面尺寸差异太大，实际上，TSEI治疗不可能有理想的均匀性，通常头部剂量较高，而胸部受照剂量的平均值较低，特别是人体自身屏蔽在TSEI治疗中无法避免，如背部脊柱沟的受量就很低，另外可以肯定会阴、大小腿内侧、足底及腋窝等部位欠剂量会更加严重，在实际测量中，我们通常使用一种由主要材料为氟化锂(LIF)组成的热释光剂量元件(TLD)对人体各部位皮肤表面受照剂量进行监测。LIF这种具有晶格结构的物质，当被放射线照射时，它能把放射线的能量储存起来，在被加热后，它又会将储存的能量以光的形式释放出来，释放出来的光的强度正比于受照剂量，因此我们只要测量出光的强度就能知道所测部位的受照剂量。利用这种热释光原理，通过TLD剂量元件对接受TSEI照射的病人全身各部位的监测结果，对其欠剂量可做补充照射。对肿块未消退处用深部X线治疗机产生的100KV X射线或用8～10MeV电子束局部加量10～15Gy。Ⅰ、Ⅱ期预后良好，可长期生存。对某些不需要照射的重要器官如:双眼需要用“铅眼罩”对射线进行屏蔽，在TSEI照射前，可在患者眼内滴入少许0．5%地卡因眼药水，然后将眼罩小心置入眼内。

图3 使用电子束对足底、头顶及会阴等部位局部补量

3 TSEI的吸收剂量测算

3.1 TSEI的吸收剂量测量方法

国际原子能机构(Internationnal Atomic Energy Agency，IAEA)第381号技术报告对电子束在模体表面的平均能量Ē0=10MeV以下，建议使用平行板电离室对吸收剂量进行测量;低于5MeV必须使用平行板电离室;而在Ē0=10MeV以上，平行板电离室也非常适于吸收剂量测量。对此，为开展全身皮肤电子束照射，使用平行板电离室在模体中对加速器产生的低能电子束(2．5～4．5MeV)的吸收剂量进行测量是必须的。

TSEI吸收剂量的测量，首先将加速器的准直器开至最大，机架旋转90°(GA)，射束呈水平入射，机头转角(HA)45°，源到测量模体表面距离2～4m。然后，测量在完全模拟病人治疗条件下，使用高剂量率全身皮肤电子束(HDTSe)治疗模式进行。在该模式下，射束到达病人身体治疗深度的剂量率约为1．5Gy/min。把平行板电离室(如PTW 23343)固定在专用的有机玻璃模体(23343/ 12)中，为保证在测量中电离室能够接受到足够的反向散射，将一定厚度的30cm×30cm有机玻璃板置于测量模体的后面。在距测量模体表面10cm处放置不同厚度的有机玻璃散射屏，连接电离室到剂量计，接通电源对仪器预热后，取5次测量读数的平均值。

由国家一级标准剂量实验室(Primary Sdandard Dose Laboratory，PSDL)直接给出平行板电离室的照射量校准因子:

式中，NPXP是由PSDL给出的平行板电离室使用钴-60r射线在空气中的照射量校准因子;为平行板电离室接受照射量为标准值Xc时的剂量计读数。如笔者使用的由PSDL给出的PTW/23343平行板电离室的照射量校准因子值为0．454/div。那么，该平行板电离室空腔的空气吸收剂量因子

式中，W/e为空气平均电离功，是指在空气中形成一个电子电荷的每对离子消耗的平均能量，W/e=33．97J/C;katt是电离室壁及平衡帽在水中对60Coγ射线的吸收和散射的修正;km是室壁及平衡帽材料的非空气等效的修正。Katt与Km的乘积为0．985(见表2);div为使用平行板电离室的剂量计的读数。

表2 不同电离室的KattKm值的乘积

3.3 平行板电离室的校准深度

当Ē0＜5MeV时，平行板电离室的测量有效点，即电离室空腔的前表面中心在水模中的校准深度定义在最大剂量深度Dm上。如笔者对6MeV电子束，在SSD=350cm和大野的条件下，选用5mm散射屏使用三维自动扫描水模体系统实测的水模表面平均能量Ē0=4MeV，Dm=6mm(见表1)即平行板电离室在水模中的校准深度ZW(Dm) = 6mm。由于测量模体为专用的有机玻璃模体(23343/12)，则可根据公式:ZPL=ZW·(ρtable/ ρuser)·1/Cpl计算出有机玻璃相对于水的等效深度ZPL，式中ρuser为用户现场使用的有机玻璃模体的密度值。为避免现场使用的有机玻璃的密度来自不同样品的差别，应由用户对自己使用的有机玻璃模体的密度进行实测(例如ρuser=1．175g·cm-2)，ρtable为有机玻璃模体密度的参考值，Cpl为有机玻璃模体相对于水中测量深度的转换系数，它与ρtable的数值可在表3中查出(ρtable=1．190g·cm-2;CPL=1．123)，ZPL=6× (1．190/1．175) × (1/1．123)=5．4mm。使用5mm有机玻璃散射屏，平行板电离室在有机玻璃模体中的校准深度ZPL= 5．4mm，相当于在水模中测量的深度Zw=6mm。

表3 电子束剂量学中不同固体材料的物理参数

作为吸收剂量测量用的面积为30cm×30cm的有机玻璃模体最薄为1mm，当校准深度为5．4mm时，可在电离室表面复加5mm和6mm厚度的有机玻璃，分别测得给予相同辐射的仪表读数，并在两读数之间用内插法计算出校准深度为5．4mm时的数值。

3.4 对剂量计仪表平均读数MPP0的修正

(1)电离室空气密度效应的修正PTP。由于平行板电离室是非密封空气电离室，为避免因温度、气压变化对电离室内空气质量的影响，须对电离室内空气密度进行修正即 PTP= ［(273．2+T)/(273．2+T0)］·P0/P。T和P是测量时的温度和气压;T0和P0是温度和气压的参考值(20℃和101．3kPa)若当时室内的温度、气压分别为T= 24℃，P=100．5kPa则该电离室在测量时空气密度效应的修正因子PTP=1．022。

(2)电离室离子收集效率的修正PS。辐射在电离室空腔中产生的电离，一部分因复合效应而损失，因此要对电离室的电离收集效率进行修正。测量方法:电离室的极化电压取V1和V2，V1为正常的工作用极化电压，分别用相同的辐射剂量辐照电离室，测量相应的电离电荷Q1和Q2，根据V1/ V2，Q1/Q2的比值和表4中所查数据，由公式PS= a0+a1(Q1/Q2) +a2(Q1/Q2)2计算出PS值。如V1/V2=3，Q1/Q2=1．010，a0=1．198，a1= -0．875，a2=0．677，则该电离室离子收集效率的修正因子PS=1．005。

(3)hm因子的修正。hm因子是水模体中校准深度与有机玻璃模体中相应校准深度的电子注量不同而引入的修正。MW和MPL分别是标准剂量计在水和有机玻璃中相应校准深度的仪表读数，其间关系为MW=MPL·hm，式中hm为MW与MPL的比例因子。若使用 PMMA模体进行测量，其 hm值［10］(见表5)对于5．4mm厚度的PMMA(相当水模体中6mm深度处)的电子束能量3 MeV(见本文3．6节)，其hm=1．008。

表4 利用双压法测量脉冲辐射PS值的二次项拟合系数

表5 平行板电离室的hm值

3.5 平行板电离室在模体中校准深度处的水对空气的平均阻止本领比Sw，air的确定

通过平行板电离室表面在水模体中校准深度ZW和射束在水模表面的平均能量Ē0，可由表6确定水对空气的阻止本领比Sw，air。如使用5mm散射屏，水模中校准深度ZW=6mm，射束在水模表面的平均能量Ē0=4MeV，则水模中校准点的水对空气的平均阻止本领比Sw，air=1．079。

在水模深度Z处的电子束平均能量Ēz可用一个关系式将其表面平均能量Ē0和射程RP联系起来即:

应注意:对较低能电子束(Ē0＜10MeV)或较高电子束能量而较小深度处时该式成立。

表6 电子束水与空气的阻止本领比值

确定了ĒZ的具体数值，并根据所使用的平行板电离室的型号，通过表7，可查出其总扰动因子PQ(PPPcav·PPPwall) =0．983。PPPcav与PPPwall分别是平行板电离室空腔和室壁的扰动因素，其乘积为电离室的总扰动因子。

3.7 使用平行板电离室在有机玻璃模体中测量的吸收剂量计算

式中，MPP为经PTP、PS、hm修正后的平均测量值即MPP=122．40;的含义同上;Sw，air为水对空气的平均阻止本领比(表6);PQ为总扰动因子(表8)。

上式是我们使用PTW/23343平行板电离室在PMMA 23343/12中6mm处，并且在完全模拟病人治疗条件下距测量模体表面10cm，放置5mm散射屏，加速器上的监督剂量仪给出的机器跳数为350MU(Monitor Unit，MU)时的剂量计测量结果，经计算为50．89×10-2Gy(50．89cGy)，即: 6．88MU/cGy。

4 关于平行板电离室的校准

平行板电离室的校准是IAEA TRS-381报告中的核心内容。对于平行板电离室，可不用将其送检PSDL，只要把PSDL或SSDL检定过的0．6cm-3指型电离室(参考电离室)与平行板电离室在用户自己的加速器或钴-60治疗机上产生的高能电子束或γ射线在相同的辐射条件下按照TRS 381报告介绍的方法进行比对即可。它推荐四种校准方法:①电子束法，②60Co-模体法，③60Co-空气法，④水吸收剂量标准直接校准法，下面笔者将前面三种校准方法进行一个简单的介绍。这三种校准方法的目的都在于确定平行板电离室的空气吸收剂量因子。应当指出，无论使用那种方法第一步都须将参考电离室送检PSDL或SSDL，首先以确定其照射量或空气比释动能的校准因子［11］。

由PSDL或SSDL，对用户的参考电离室即指型电离室(如NE 0．6cm-32571电离室)使用钴-60γ射线在空气中进行比对:

式中，XC为照射量的标准值，单位:c/kg，若用伦琴R做照射量单位时，1R=2．58×10-4c/ kg;M为剂量计读数;NX为参考电离室的照射量刻度因子，如NX=1．019/div是由PSDL给出的该参考电离室的照射量校准因子。该电离室的空气吸收剂量因子

表7 平行板电离室在测量电子束中的总扰动因子PQ(@l)

表7 平行板电离室在测量电子束中的总扰动因子PQ(@l)

式中，Katt、Km和w/e的含义同上，Katt·Km=0．985(见表2)，w/e=33．97J/c。下面分别介绍这三种校准平行板电离室的方法:

4.1 电子束法

图4示为按电子束法使用平行板电离室测量电子束水中吸收剂量的校准步骤［12］:

(1)模体材料:水或等效物质。

(2)参考电离室:指型电离室(如:NE 0．6cm32571电离室，石墨壁和1mm直径铝电极)。

(3)电子束能量:15MeV≤Ē0≤25MeV。

(4)参考条件:SSD=100cm，限光筒12cm× 12cm，参考电离室和平行板电离室的有效测量点均置于水模中参考深度处(图5)，选择规定范围内的电子束能量(15MeV≤Ē0≤25MeV)在相同条件下，进行辐照。

(5)照射测量:先测量参考电离室读数，接着测量平行板电离室读数，然后再测量参考电离室读数，并计算出先、后测量的参考电离室读数的平均值。

(6)复合修正:利用双压法分别测定参考电离室与平行板电离室的复合修正因子Ps。

图4 使用电子束法校准电子束吸收剂量的步骤

图5 使用电子束法的平行板电离室与参考电离室的剂量比对示意图

Mref——经 Ps修正后的参考电离室剂量计读数;

MPP——经Ps修正后的平行板电离室剂量计读数;

注:①除 数值由PSDL或SSDL给出参考电离室的空气比释动能校准因子NK或照射量校准因子NX而计算出来的外，其它因子均可在TRS 381报告中查到。②TRS 381报告推荐扰动因子、和取值为1。③对石墨材料中心电极取1，对1mm直径铝材料电极取值为0．998。④参考电离室空腔的扰动因子值见表9。

表9 电子束测量中指型(参考)电离室的扰动因子

表9 电子束测量中指型(参考)电离室的扰动因子

4.260Co-模体法

图6是按60Co-模体法，使用平行板电离室对高能电子束在水中吸收剂量的校准步骤［13］。

(1)模体材料:水模或固体模。

(2)参考电离室:指型电离室。

图6 使用钴-60模体法校准电子束吸收剂量的步骤

表10 高能电子束水中z处平均能量Ēz与表面平均能量Ē0的关系

(3)参考条件:SSD=100cm;射野10cm× 10cm;两个电离室的有效测量点均置于模体中参考深度处。

式中，Mref为参考电离室的剂量计读数;MPP为平行板电离室的剂量计读数;其它符号意义同前。如果不是把参考电离室的有效测量点置于模体内参考校准深度处，而是把其几何中心置于模体内参考校准深度处，则:

4.360Co-空气法

图7 使用钴-60空气法测量电子束吸收剂量的步骤

图7是按60Co-空气法，使用平行板电离室对高能电子束在水中吸收剂量的校准步骤［14］。

(1)把总的质量厚度(电离室加平衡帽)为0．5±0．05g·cm-2的平行板电离室表面几何中心置于空气中距60Co源 100cm处且射野为 10cm ×10cm。

(2)至少照射测量5次求出平均值，每次照射给出用指型电离室测定的校准位置上的空气比释动能值 Kair或照射量 X值，即:=Kair/MPP或=X/MPP，式中 MPP为平行板电离室的测量读数。

式中，对于60Coγ射线g=0．003，g为电离辐射产生的次极电子消耗于韧致辐射的能量占其初始能量总和的份额;KattKm值的乘积见表2。

简言之，TSEI是一项较为复杂的照射技术，涉及到很多个照射野的有序安排和对于低剂量区的补丁野的照射，以及繁琐的使用平行板电离室对电子束进行吸收剂量的测算。诚然，无论采用何种照射方法及技术，首先要有先进的放疗设备、各种科学的监测手段及高水平和具有丰富经验的医师、物理师。

(注:“全身照射技术的临床应用之一——白血病等病症患者在造血干细胞移植前的全身放射治疗”一文已于2010年第一期发表，欢迎读者批评指正。)

［1］Funk A，Hensley F，Krempien R，et al．Palliative total skin electron beam therapy(TSEBT)for advanced cutaneous T-cell lymphoma．Eur J Dermatol，2008，18:308-12．

［2］H．Miles Prince，Sean Whittaker，et al．HowI treat mycosis fungoides and Se'zary syndrome．Blood，2009，114(20):4337-4353．

［3］王淑莲，刘跃平，孙倩等译．放射肿瘤学——治疗策略与实施［M］．天津科技翻译出版公司，2001:102-103．

［4］Karzmark CJ，Loevinger R，Steel RE．A technique for Large-fied，superficial electron therapy．Radiology，74: 633，1960．

［5、8、9］冯宁远，主编．实用放射治疗物理学［M］．北京:北京医科大学、中国协和医科大学联合出版社，1998:231-235．

［6］胡逸民，主编．肿瘤放射物理学［M］．北京:原子能出版社，1999:268．

［7］冯宁远，余耘，余子豪．电子线全身照射的剂量学方法和测量结果 ［J］．中华放射学杂志，1987，21: 103-104．

［10］张绍刚．平行板电离室对全身皮肤电子束治疗的吸收剂量测量［J］．中华放射医学与防护杂志，2000，20:61-63

［11］医用电子加速器辐射源［S］．中华人民共和国国家计量检定规程．JJG589-2008．

［12、13、14］IAEA Technical Reports Series No．381．The use of plane parallel ionization chambers in high energy electorn and photon beams，a International code of pracitice for dosimetry．IAEA，Vienna，1995，67-69．

TH774

A

1002-2376(2015)02-0004-09

2014-11-28