计算机陶瓷元件的介电性能研究

2016-04-27 07:42王静蕾吕代刚
电源技术 2016年7期
关键词:品质因数物相电性能

王静蕾,吕代刚

(1.郑州旅游职业学院,河南郑州450009;2.郑州职业技术学院,河南郑州450121)

计算机陶瓷元件的介电性能研究

王静蕾1,吕代刚2

(1.郑州旅游职业学院,河南郑州450009;2.郑州职业技术学院,河南郑州450121)

采用传统的固相法合成了(1-x)MgTiO3-x CaTiO3复合陶瓷,通过改变CaTiO3的加入量和烧结温度的方法,采用X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)、能量散射光谱(EDS)等多种分析测试手段,研究了陶瓷的相组成和微观结构等对材料介电性能的影响,并探索介电性能的演变规律。结果表明,0.97MgTiO3-0.03CaTiO3复合陶瓷在1 300℃下具有较好的微波介电性能:介电常数εr=18.21,品质因数Q×f=76 640 GHz,谐振频率温度系数τf=-34.79×10-6/℃。

计算机;介电常数;物相;微观组织

随着互联网技术的快速发展,计算机用陶瓷元件材料要求具有低介电常数εr、高的品质因数Q×f和近零的谐振频率温度系数τf,其中低介电常数可以降低电信号传输的延迟时间,高品质因数可以降低能量损失,近零的谐振频率温度系数是为了确保对温度变化的频率稳定[1]。国内外很多科研人员对低介陶瓷材料都有着非常浓厚的兴趣,不断地有新颖的低介陶瓷材料被研发出来,但它们也存在着如烧结范围窄,频率温度系数较大,微观结构不致密,相控制困难等各种各样的问题,而且对陶瓷材料形成机制方面的研究还比较缺乏[2-3]。在此基础上,本文对一种比较实用的低介电常数陶瓷材料为研究对象,通过具有正温度系数的CaTiO3调节MgTiO3体系的温度系数和改变烧结温度的方法,对MgTiO3基陶瓷材料的相组成、微观结构和介电性能进行了研究。

1 实验材料与方法

以碳酸镁、碳酸钙和二氧化钛为原料,采用传统固相合成法制备了(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷,其中x分别取0.03、0.05、0.07和0.1的化学计量。将实验原料放入球磨罐中后加入离子水和锆球,球磨5 h后在100℃对湿粉烘干,过100目筛后在1 000℃下煅烧2 h,然后随炉冷却。预烧好的粉末过100目筛后加入5%的聚乙烯醇进行造粒[4],过40目筛。在4MPa的压力下对粉末进行压制处理,分别得到7mm厚的圆柱和2mm的圆片;然后再以2℃/m in的速度升温至480℃,保温2 h后再以5℃/min的速度升温至烧结温度,保温4 h后随炉冷却。

采用德国D-8型X射线衍射仪对样品的晶体结构进行物相分析,测量角度为10°~80°;采用S-4300型电子扫描镜观察不同烧结温度和化学成分的样品的微观组织形貌;烧结后的样品经过打磨和机械抛光后,用Agilengt E5071B型网络分析仪和Hakki-Coleman法测量圆柱样品的微波介电性能(介电常数εr、品质因数Q×f和谐振频率温度系数τf)。

2 结果与分析

2.1 物相分析

图1为(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷的XRD图谱,其中图1(a)为(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷在1 300℃下烧结后的XRD图谱,图1(b)为0.97MgTiO3-0.03CaTiO3(x=0.03)陶瓷烧结温度分别为1 250、1 300、1 350和1 400℃下的XRD图谱。可见在1 300℃烧结温度下,当x=0、0.03、0.07和0.1时,陶瓷中的主要物相为MgTiO3相,并伴随有部分Mg2TiO4相和少量的CaTiO3相;当x=0.03,烧结温度分别为1 250、1 300、1 350和1 400℃时,陶瓷中的物相仍然为MgTiO3相、Mg2TiO4相和CaTiO3相,其中,前两种物相含量相对较高,后者的物相含量相对较低。电子极化和离子极化是MgTiO3相的主要极化方式,可以推测这种以MgTiO3相为主的陶瓷体系的品质因数Q×f值较高[5]。从不同计量比和烧结温度下的陶瓷的物相分析结果可见,化学计量比和烧结温度并没有改变陶瓷体系的物相组成,只是在物相各自含量上有一定影响。

图1 (1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷的XRD图谱

2.2 形貌观察

图2为(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷随着MgTiO3和CaTiO3相对含量的变化在烧结温度为1 300℃时的SEM形貌。可见在不同的MgTiO3和CaTiO3相对含量比例下,陶瓷样品的表面都存在着两种尺寸大小不同的颗粒。当x=0.03时,样品的表面非常平整、结构较为致密,两种不同尺寸的颗粒排列比较有序,其中大尺寸晶粒的平均尺寸约为3μm,小尺寸的晶粒的平均尺寸约为1.6μm;当x=0.05时,样品的表面的平整度有所降低,颗粒之间的有序排列得到改变,出现了小颗粒聚集的现象;当x=0.07时,由于CaTiO3相加入量有所增加,样品表面的不平整现象加剧,颗粒的不规则排列情况恶化,同时大尺寸晶粒得到粗化;当x=0.1时,颗粒的不规则排列现象最为严重,同时出现了较多的1~2μm的小晶粒。由此可见,随着(1-x)MgTiO3-x陶瓷体系中CaTiO3相的不断增加,样品表面的不平整度增加,颗粒有序排列越来越不规则。其中,大小不一致的晶粒的出现会增加晶界的缺陷,从而恶化介电性能,特别是品质因数Q×f[6]。

图2 1 300℃烧结后(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷的SEM形貌

图3为0.97MgTiO3-0.03CaTiO3陶瓷在烧结温度为1 250、1 300、1 350和1 400℃时的SEM形貌。可见,当烧结温度为1 250℃时,样品的表面出现了一定数量的空洞,且晶粒尺寸较小,其中大尺寸晶粒的平均尺寸约为3μm,小尺寸晶粒的平均尺寸约为1.2μm,此时的颗粒间的致密性较差,可以推测此时样品的品质因数Q×f值较低[7-8];当烧结温度为1 300℃时,样品的致密性增加,基本无明显空洞,仅在局部区域可以发现小空洞出现,但是颗粒之间的排列较为有序;当烧结温度增加至1 350℃时,组织较为致密,没有发现空洞等缺陷,但是颗粒尺寸明显变大,样品表面的不平整现象也加剧;当烧结温度为1 400℃时,颗粒尺寸进一步粗化,有一些较大尺寸的颗粒已经达到了6~8μm。

图3 不同烧结温度的0.97MgTiO3-0.03CaTiO3陶瓷的SEM形貌

2.3 介电性能

图4为(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷随着MgTiO3和CaTiO3相对含量的变化在烧结温度为1 300℃时的介电性能,得到了x值变化时,介电常数εr、品质因数Q×f和谐振频率温度系数τf的变化规律。可见随着CaTiO3含量的增加,介电常数εr逐渐增加、品质因数Q×f逐渐降低、谐振频率温度系数τf逐渐增加。这与前述微观形貌的观察结果保持一致,即随着CaTiO3含量的增加,晶粒尺寸的不均匀性增加使得晶界缺陷增多[9],从而使得品质因数Q×f逐渐降低。

图4 1 300℃烧结后(1-x)MgTiO3-x CaTiO3陶瓷的介电性能

图5为0.97MgTiO3-0.03CaTiO3陶瓷的介电性能随着烧结温度的变化。可见当烧结温度从1 250℃升高到1 300℃时,陶瓷体系的介电常数εr和品质因数Q×f值迅速增加,介电常数εr从14.55增至18.21,增长幅度为25.2%,Q×f值从14 675GHz增至76 640GHz,增长幅度为422.2%;随着烧结温度继续升高温度至1 400℃,介电常数εr和品质因数Q×f值基本保持在同一水平。当烧结温度在1 250~1 400℃之间时,谐振频率温度系数τf随着烧结温度的增加变化幅度较小,基本保持在-30.12×10-6/℃至-34.79×10-6/℃范围内。由此可见,0.97MgTiO3-0.03CaTiO3陶瓷体系在烧结温度为1 300℃时具有较好的介电性能:介电常数εr=18.21,品质因数Q×f=76 640 GHz,谐振频率温度系数τf=-34.79×10-6/℃。

图5 不同烧结温度的0.97MgTiO3-0.03CaTiO3陶瓷的介电性能

3 结论

当烧结温度为1 300℃时,(1-x)MgTiO3-x CaTiO3复合陶瓷随着CaTiO3含量的增加,介电常数εr逐渐增加、品质因数Q×f逐渐降低、谐振频率温度系数τf逐渐增加。样品的介电性能与微观结构和晶相转变的观察结果保持一致,0.97MgTiO3-0.03CaTiO3复合陶瓷在烧结温度为1 300℃时具有较好的介电性能,即介电常数εr=18.21,品质因数Q×f=76 640GHz,谐振频率温度系数τf=-34.79×10-6/℃。

[1]何茗.H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷的烧结及介电性能[J].电子元件与材料,2013,32(3):42-44.

[2]韩亚楠,翟学良,吴江.掺锶对钛酸铅薄膜结晶性能的影响[J].无机盐工业,2009,41(8):24-26.

[3]LEE JK,HONG.K S,JANG JW.Roles of Ba/Ti ratios in the dielectric properties of BaTiO3ceram ics[J].JAm Ceram Soc,2001,84(9):2001-2006.

[4]LIL T,ZHAO JQ,GUIZ L.Modulation effect of Mn2+on dielectric properties of BaTiO3-based X7R[J].Materials Letters,2000,44 (1):1-5.

[5]WU Y J,LIJ,TANAKA H,et al.Preparation of nano-structuredBaTiO3thin film by electrophoretic deposition and its characterization[J].Journal of the European Ceramic Society,2005,25:2041-2044.

[6]莫兴婵,韦小圆,韦成峰.Cu掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能和晶界特征[J].电子元件与材料,2013,32(8):33-36.

[7]LEE JK,HONG.K S,JANG JW.Roles of Ba/Ti ratios in the dielectric properties of BaTiO3ceramics[J].JAm Ceram Soc,2001,84(9):2001-2006.

[8]LUANW L,GAO L,KAWAOKA H.Fabrication and characteristics of fine-grained BaTiO3ceramics by spark plasma sintering[J]. Ceram ics International,2004,30(3):405-408.

[9]WU Y J,LIJ,TANAKA H,et al.Preparation of nano-structured BaTiO3thin film by electrophoretic deposition and its characterization[J].Journal of the European Ceramic Society,2005,25:2041-2044.

Study on dielectric propertiesof ceram ic componentsof computer

WANG Jing-lei1,LV Dai-gang2
(1.Zhengzhou Tourism College,Zhengzhou Henan 450009,China;2.Zhengzhou Technical College,Zhengzhou Henan 450121,China)

(1-x)MgTiO3-x CaTiO3com posite ceram ics were synthesized by traditional solid-phase method and through the change of adding content of CaTiO3and sintering tem perature.With XRD,SEM,EDS and other analyticalmethods,the effectof the ceram ic phase composition and m icrostructure on the dielectric properties was studied,and the evolution of the dielectric properties was explored.The results show that0.97MgTiO3-0.03CaTiO3com posite ceram ic has good dielectric properties at 1 300℃:dielectric constantεr=18.21,quality factor Q×f= 76 640 GHz,temperature coefficientof resonant frequencyτf=-34.79×10-6/℃.

com puter;dielectric constant;phase;m icrostructure

TM 934

A

1002-087X(2016)07-1487-04

投稿日期:2015-12-02

河南省重点科技攻关项目(142102310255)

王静蕾(1979-),女,河南省人,讲师,主要研究方向为计算机应用。

猜你喜欢
品质因数物相电性能
对20种海水珍珠和淡水珍珠的化学成分的初步对比研究
CoO/rGO复合催化剂的合成、表征和电性能研究
新疆西昆仑铅锌矿中铅锌物相分析方法研究
Bi2O3与Sb2O3预合成对高性能ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的显微结构与电性能影响
浅析天线罩等效样件的电性能测试
高频环境对电缆电性能影响的分析
频率与含水率对残膜—土壤介电常数的影响
浅谈中波发射机输出阻抗网络的品质因数
煅烧工艺对溶胶凝胶制备微球形氧化铝的影响
薄膜电感器的研究分析