由两件案例浅谈专利审查创造性评判中技术方案的整体性考量

2017-10-21 21:40史卫萍董乐
卷宗 2017年3期
关键词:技术方案创造性

史卫萍 董乐

摘 要:应用“三步法”评判创造性是审查员在审查实践中常用的判断发明是否具有创造性的方法,其中在进行技术特征对比的过程中,容易将关注点仅仅放在区别技术特征以及与区别技术特征相关的技术效果上,而忽略技术方案的整体,忽略其他非区别技术特征对技术方案整体上技术效果的影响,以及非区别技术特征与区别技术特征的关联,从而导致割裂技术方案,教条化评述创造性的错误。本文基于两个实际案例,从正、反两方面讨论了三种情形下技术方案的整体考量对创造性评判结论的影响。

关键词:创造性;技术方案;整体考量;技术启示;技术效果

1 引言

创造性是一项发明创造能否被授予专利权的实质性条件之一,其判断标准是该发明与现有技术相比,是否具有突出的实质性特点和显著的进步,即判断要求保护的发明相对于现有技术是否显而易见。《专利审查指南》给出的一般性的判断方法是“三步法”,包括以下三个步骤:(1)、确定最接近的现有技术;(2)、确定发明相对于最接近的现有技术的区别技术特征和发明实际所要解决的技术问题;(3)、判断要求保护的发明对本领域的技术人员来说是否显而易见。“三步法”是在审查实践中摸索出来的最为标准化、逻辑最为简单和清晰,最能尽可能地将创造性判断这种主观问题客观化的判断方法。

“三步法”第(2)步是确定区别技术特征。在审查实践中,通常是通过将发明与现有技术的技术方案分解成一个个技术特征,对技术特征进行比对,从而确定区别技术特征;在此基础上,进一步确定发明实际所要解决的技术问题。但是,无论是本发明还是现有技术,技术方案都是由多个技术特征有机地组合在一起,彼此之间具有一定的相关性,在上述分解技术特征的过程中,容易导致将技术特征孤立出来,仅仅考虑该技术特征在技术方案中的作用,而忽略技术方案整体的问题,造成割裂技术方案的整体性,犯事后诸葛亮和生搬硬套、简单拼凑的错误,使创造性评判陷入僵化、教条的误区,令申请人难以信服。笔者以下就通过两个案例,从正反两方面,分三种情形阐述是否考量技术方案的整体性对创造性评判结论的影响。

2 案例1

某复審案,涉及一种手持式工具箱子保持装置,如图1所示:

其权利要求1为:包括至少一个充电线圈12a、箱子接收区域和保持装置壳体16a,保持装置壳体具有面朝箱子接收区域的第一外侧面18a,保持装置壳体16a具有在至少一个运行状态下面朝箱子接收区域的至少一个第二外侧面20a,至少一个第二外侧面20a基本上垂直于第一外侧面18a取向并且在至少一个第二外侧面20a上布置充电线圈12a;该手持式工具箱子保持装置还具有保持装置26a,保持装置26a用于可松开地固定手持式工具箱子,其特征在于,保持装置26a具有两个保持器件30a和32a,两个保持器件30a和32a与第一外侧面18a邻接地布置在箱子接收区域的两个对置的侧面上。

对比文件1公开了一种电感性耦合棚架以及贮存箱,如图2所示,具体公开了如下技术特征:一种用于贮存手持式工具箱28的电感性耦合棚架单元,该棚架单元具有:至少一个充电线圈、对接区26和保持装置壳体;充电线圈布置在底壁或对接区上;所述保持装置壳体具有面朝对接区的相互平行竖直的两侧壁,以及在至少一个运行状态下面朝对接区且承载对接区的一个底壁,两竖直侧壁基本上垂直于底壁;棚架单元通过夹子、锁定装置将工具箱28与对接区26接合固定,该接合允许工具箱28从对接区26移开以便使用,而在贮存期间将工具箱28保持在适当的位置;且工具箱28上必然具有至少一个与棚架单元上的夹子、锁定装置相对应的保持装置。充电过程中,棚架单元的对接区26贴靠在工具箱28的底部上。

按照“三步法”对该发明的显而易见性进行判断。第(1)步,将对比文件1确定为最接近的现有技术。第(2)步,将该发明的权利要求1与对比文件1进行特征比对,确定二者的区别技术特征在于:保持装置壳体还具有面朝所述箱子接收区域的第一外侧面;保持装置的保持器件为两个,且两个保持器件与第一外侧面邻接地布置在所述箱子接收区域的两个对置的侧面上;第一外侧面在充电过程中贴靠在手持式工具箱的底部上,并且第二外侧面在充电过程中贴靠在手持式工具箱的端侧面之一上;其作用在于对竖直放置的工具箱的两侧进行保持固定。第(3)步,判断现有技术整体上是否存在某种技术启示。

前审在驳回决定中认为,将保持器件布置在与第一外侧面邻接地、在箱子接收区域的两个对置的侧面上是本领域技术人员对保持器件的安装位置所作的常规结构设计;此外,根据实际的充电或连接需要,将手持式工具箱子的端侧面之一与第二外侧面贴靠、将手持式工具箱子的底部与第一外侧面贴靠是本领域技术人员对充电位置所作的常规改变,这样的结构改变是本领域技术人员对箱体的哪一侧面充电所作的常规设计。换句话说,前审认为,保持器件的设置位置属于本领域的常规设计;将手持式工具箱竖直放置,将工具箱底部与第一外侧面贴靠是对工具箱上充电线圈位置所作的常规设计。由此得出该发明相对于对比文件1不具有创造性的结论。

上述结论的得出可见,前审在进行创造性第(3)步判断时,仅仅考虑了发明相对于对比文件1的区别技术特征本身,即保持器件的设置位置、手持式工具箱的放置方式在本领域的确属于常规设计。但是,由于未考虑这些技术特征与发明权利要求中其他技术特征的联系,特别是未考虑区别特征中保持器件的位置、充电线圈的位置设计都是针对竖直放置工具箱的情形下,此时,工具箱底部支撑接触面小,容易侧翻,设置在保持裝置第一外侧面两侧的保持器件对工具箱的两侧起到了很好的保持固定作用;进一步地,前审也未考虑对比文件1中公开的棚架单元不具有后侧面,工具箱是平放在对接区内的。尽管基于对比文件1公开的可以通过夹子、锁定装置将工具箱28与对接区26接合固定的技术内容,本领域技术人员具体将该夹子、锁定装置设置为两个是容易想到的;但是,鉴于对比文件1公开的棚架单元结构,以及工具箱在棚架单元中水平放置的贮存方式,特别是棚架单元的两个竖直侧壁与工具箱28的两侧相距一定距离的技术内容,夹子或锁定装置与工具箱根本无法接触,从而无法对工具箱进行保持固定。

此外,对比文件1中在对工具箱充电保持时,工具箱被水平放置于棚架单元的一个单元内,工具箱28的一个侧面贴靠在棚架单元的布置有充电线圈的一个侧壁上,其余各个侧面与棚架单元的各侧壁均无接触,且对比文件1中如此放置工具箱,工具箱被保持的已经足够稳定,对比文件1客观上不存在对手持式工具箱进行两侧固定的技术问题,本领域技术人员亦无必要缩短棚架单元的两竖直侧壁与工具箱之间的间隔,使得两者贴靠。

因此,从对比文件1技术方案的整体来看,首先,对比文件1未公开本发明的第一外侧面、保持器件与第一外侧面的位置关系、以及工具箱与第一外侧面的位置关系;其次,对比文件1客观上也不存在在两个竖直侧壁上设置夹子或锁定装置对工具箱进行两侧保持的必要,也即,对比文件1的技术方案客观上并非为解决竖直放置工具箱的保持固定问题而设计,也不存在该技术缺陷和改进任务,甚至排除了这种改进的可能性。从而,本领域技术人员在面对对比文件1时,没有动机对对比文件1进行改进以获得本发明技术方案的。因此,该发明相对于对比文件1是非显而易见的,具备创造性。

3 案例2

某复审案,涉及一种半导体器件,如图3所示,其权利要求1为:一种半导体器件,包括反相器電路和像素,所述反相器电路包括:第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的源极电连接到第二晶体管的漏极,所述第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极;所述第一晶体管和第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括:第一氧化物半导体层471和第二氧化物半导体层405,所述第二氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体,所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上,以及所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率;所述像素包括第三晶体管,所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层103单层形成。

现有技术中存在两篇对比文件,其中对比文件1公开了一种半导体器,包括像素部分和驱动电路,驱动电路具有晶体管,像素部分具有晶体管(相当于本发明的第三晶体管),驱动电路晶体管和像素部分晶体管的沟道形成区均由氧化物半导体层单层形成。

对比文件2公开了一种薄膜晶体管结构,如图4所示,其沟道层22为多层半导体层结构,包括单层或多层的下层氧化物半导体层22a(相当于本申请的第一氧化物半导体层)和位于最上层的氧化物半导体层22b(相当于本申请的第二氧化物半导体层);半导体氧化物层22a和22b由基于ZnO的材料、如a(In2O3).b(Ga2O3).c(ZnO)形成,其中,a≥0,b≥0,c>0,且位于最上层的氧化物半导体层22b还可以包括SnO,从而在a>0,b=0,c>0且最上层氧化物半导体层22b包括SnO时,最上层氧化物半导体层22b为包括In-Sn-Zn-O基半导体;对比文件2还具体公开了位于最上层的氧化物半导体层22b含有的Zn浓度比下层氧化物半导体层22a小,且位于最上层的氧化物半导体层22b可包括SnO,SnO比ZnO具有相对高的结合能和更高的稳定性,可以减少氧化物中的氧空位。在同等条件下,较小的Zn浓度和减少的氧空位使得位于最上层的氧化物半导体层22b的电阻率必然高于下层氧化物半导体层22a的电阻率。

按照“三步法”对显而易见性进行判断。第(1)步,以对比文件1为最接近的现有技术;第(2)步,确定权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于:①驱动电路为反相器电路,包括第一晶体管;第二晶体管;以及所述第一晶体管的源极电连接到第二晶体管的漏极,所述第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极;②所述第一晶体管和第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括:第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层,所述第二氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体;所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上,所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率。基于上述区别技术特征所能取得的技术效果可以确定,权利要求1实际所要解决的技术问题在于,提高驱动电路部分开关的速度。第(3)步,判断现有技术整体上是否存在相应的技术启示。

首先,基于对比文件1中所记载的技术方案的整体来看,对比文件1公开的半导体器件包括像素部分和驱动电路部分,在本领域,不断的改进驱动电路部分的晶体管以获取较高的开关速度是本领域技术人员一贯的追求,可以确定对比文件1客观上存在提高驱动电路部分开关速度的需求;因此,对比文件1作为最接近的现有技术合适的。

其次,判断后发现,区别特征①为本领域的惯用技术手段;区别特征②被对比文件2公开。但是,基于本领域技术人员的知识和能力,并不能确定区别特征②在对比文件2中所起的作用为提高驱动电路部分开关的速度;并且从对比文件2整体上考虑,对比文件2在用于驱动器电路的晶体管中采用双沟道层所要解决的技术问题是由于损伤的沟道层所造成的载流子浓度的增加,这会导致TFT的阈值电压向更高负值漂移,引起相对大的泄漏电流;而并非要提高驱动电路部分的开关速度。因此,尽管对比文件2公开了与本发明驱动器电路部分晶体管结构和材料完全相同的一种晶体管,本领域技术人员从对比文件2整体上考虑,也不能得到将具有双沟道层的晶体管用于解决改善开关速度的技术问题的技术教导。因此,在对比文件1的基础上结合对比文件2和公知常识得到权利要求1是非顯而易见的。

若以对比文件2为最接近的现有技术,则权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于:①驱动电路为反相器电路,包括第一晶体管;第二晶体管;以及所述第一晶体管的源极电连接到第二晶体管的漏极,所述第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极;②该半导体器件还包括像素,所述像素包括第三晶体管,所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层单层形成。基于上述区别特征所能取得的技术效果可以确定,权利要求1相对于对比文件2实际所要解决的技术问题是提供一种可以用于显示面板的半导体器件。

首先,判断对比文件2作为最接近的现有技术的合理性,对比文件2记载了其所公开的晶体管可适用于平板显示,比如LCD、OLED等,其要求基于TFT的开关和/或驱动元件。可见,从对比文件2整体上看,其所公开的晶体管是作为驱动部件应用于平板显示等,显然平板显示除了驱动部分,必然需要像素部分。因此,从整体上考虑对比文件2的技术方案,可以确定其对用于显示面板的半导体器件具有客观的需求,从而,将对比文件2作为最接近的现有技术也是合适的。

同样的,经过判断发现,区别特征①是本领域技术人员的惯用技术手段,区别特征②被对比文件1所公开,且对比文件1公开的像素部分包含可以用于显示面板的半导体器件,给出了相应的技术启示。因此,在對比文件2的基础上结合对比文件1和公知常识得到权利要求1是显而易见的,不具有创造性。

可见,以不同的对比文件作为最接近的现有技术,得出截然相反的结论的原因在于,以对比文件1作为最接近现有技术时,仅仅考虑了区别技术特征本身所能带来的技术效果,关注对比文件2公开了区别技术特征,并想当然地认定相同的技术手段必然能够起到相同的作用;而忽视了对比文件2技术方案整体上的关注点,其所要解决的技术问题,以及区别技术特征在对比文件2中实际所带来的技术效果。因而,得到的结论也难以令申请人信服。

以对比文件2作为最接近现有技术时,则在确定区别技术特征和实际所要解决的技术问题后,除了考虑区别技术特征是否被对比文件1公开外,还充分考虑了最接近现有技术自身整体上是否存在相一致的技术问题,对比文件1整体技术方案上是否存在相一致的技术问题,以及技術效果,从而得出存在技术启示。由此得到的结论更具有说服力。

5 结论

通过以上两个案例,三种情形的分析可见,在利用“三步法”进行创造性判断时,首先,无论是对现有技术的理解,还是对技术特征在技术方案中所起作用的判断都应当是基于本领域技术人员的知识和能力,并且要将技术特征放在技术方案的整体中去理解;不能抛开技术方案整体,将该技术特征孤立出来,想当然地认为相同的技术手段必然能够起到相同的作用,而认为存在技术启示。其次,对所使用的现有技术的技术方案要进行整体性考量,这些现有技术既包括最接近的现有技术,也包括其他的对比文件;对最接近的现有技术的技术方案进行整体考量,在进行技术特征比对时,不但要考虑最接近现有技术中与权利要求中对应的技术特征,也要考虑其他非对应特征对技术方案整体性的影响,其他非对应特征与对应特征之间的关联,从技术方案的整体把握该最接近的现有技术客观上是否存在与发明实际所要解决的技术问题相一致的技术缺陷。

作者简介

史卫萍(1980-),女,硕士,主任科员,研究方向:电力系统技术。

董乐(1980-),女,本科,主任科员,研究方向:计算机技术。

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