Qorvo推出适合雷达应用的超紧凑GaN X频段前端模块

2018-04-18 09:27
单片机与嵌入式系统应用 2018年8期
关键词:生存性砷化镓低噪声

Qorvo推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM)——QPM2637 和 QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓 (GaN) 产品也符合任务关键型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

Qorvo的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100 mW 的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高4 W的输入功率,且不会造成永久损坏。

猜你喜欢
生存性砷化镓低噪声
一种含有源巴伦CMOS双频低噪声放大器的设计
网络可生存性研究
基于复杂网络的软件可生存性研究综述
低噪声键控宽频信号源设计与实现
一种基于ADS低噪声放大器的应用仿真
柔性砷化镓太阳电池
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)
Survivability Estimation Model for Clustered Wireless Sensor Network Based on SMP*
水平定向凝固法合成砷化镓多晶