Si,Lu掺杂Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+荧光粉的光学性能改善

2018-05-30 09:56李金银彭志雄余丽萍张吉林周文理邱忠贤李承志廉世勋
发光学报 2018年5期
关键词:余辉荧光粉曼光谱

李金银, 彭志雄, 余丽萍, 张吉林, 周文理, 邱忠贤, 李承志, 廉世勋

(湖南师范大学化学化工学院 资源精细化与先进材料湖南省高校重点实验室, 湖南 长沙 410081)

1 引 言

目前,以稀土掺杂的铝酸盐、硅酸盐蓝色和绿色长余辉材料已经实现商用[1-2],但是红色长余辉发光材料因为余辉时间短、发光强度低等原因尚未得到广泛应用。尽管Eu3+、Sm3+激活的硫氧化物和硫化物等都展现出良好的红色长余辉性能[3-4],Kojima等[5]报道SrS∶Eu2+,Pr3+橘红色荧光粉的余辉时间达到1 000 min,但硫化物在潮湿的空气中容易分解放出H2S,对人体和环境均有很大的影响。因此,寻找具有良好性能的红色长余辉发光材料,仍具有重要的实际意义。

自1997年Diallo等[6]报道CaTiO3∶Pr3+的红色长余辉发光性质之后,Pr3+激活的碱土金属钛酸盐荧光粉由于其化学性能稳定、热稳定性较好成为近年来红色长余辉材料研究的热点,但是发光强度仍不能满足实际应用。因此该材料研究主要集中在基质变化[7-8]、电荷补偿剂的添加[9-15]以及不同合成方法改变粒径等来改善其发光强度及余辉性能。Royce等[16]报道在CaTiO3∶Pr3+中掺杂Mg2+和Zn2+离子能显著提高Pr3+的光致发光,并能延长余辉时间。公认的Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+荧光粉具有较好的发光强度及余辉性能[17]。在基质中引入不同的电荷补偿剂如Na+、Tl+、Ag+替代Ca2+[6],或者Al3+[9]、In3+[10]、Ln3+(Ln= La,Lu,Gd)[11-12]、Zr4+[13]、Nb5+[14]替代Ti4+能不同程度地提高荧光粉的发光强度。文献[15]利用第一性原理计算了CaTiO3体系中掺杂轻稀土离子如Ce、Pr、Nd会取代Ca位,而掺杂重稀土离子如Yb、Tm、Er更易取代Ti位。除固相法外,溶胶-凝胶法[17]、水热法[18]、共沉淀法[19]、静电纺丝法[20]、光化学法[21]等都在一定程度上提高了CaTiO3∶Pr3+的发光强度,但是均需要严格控制合成条件,因此固相法仍然是工业化生产的首选。

传统的离子掺杂主要集中在单一阳离子或阴离子改性,已有研究发现Si4+的添加可以改善CaTiO3∶Pr3+的红光发射[22],由于Si—N键具有较高的稳定性,我们尝试用Si—N键来优化Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+荧光粉,发现以β-Si3N4为硅源制备的荧光粉具有较好的发射强度及余辉性能,并在此基础上讨论了Lu3+的添加对荧光粉微观结构及光学性能的影响。

2 实 验

Ca0.8Zn0.2TiO3∶0.2%Pr3+,xSi4+(简写为CZT-PSx,x=0~8%)和Ca0.8Zn0.2TiO3∶0.2%Pr3+, 0.032Si4+,yLu3+(简写为CZT-PS3.2%Ly,y=0~0.4%)荧光粉以传统的高温固相法合成。原料CaCO3、ZnO、TiO2、Na2CO3、SiO2(或H2SiO3、石英粉)和H3BO3均为分析纯,β-Si3N4纯度为99.9%,Pr6O11和Lu2O3纯度为99.99%。H3BO3作为助熔剂,添加量为原料质量的5%。将原料在玛瑙研钵中充分混合均匀,再转移至氧化铝坩埚中,于1 150 ℃空气中煅烧3 h得目标产物。作为对照,CaTiO3∶0.2%Pr3+(简写为CT-P)和Ca0.8Zn0.2TiO3∶0.2%Pr3+(简写为CZT-P)荧光粉以固相法合成。

用日本理学D/max-2500型X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,定量物相分析使用WPF-Rietveld方法完成。采用日立F-4500荧光分光光度计测试样品的激发、发光光谱和余辉衰减曲线(使用175 W R928光电倍增管,操作电压400 V,狭缝宽度均为2.5 nm,滤光片为UV390 nm)。使用配备BaSO4积分球附件作为背景的日立U-3010光谱仪测试固态紫外-可见漫反射光谱。采用日本电子公司生产的X波段JES-FA200型电子自旋共振谱仪测量样品的电子顺磁共振谱(EPR测量温度300 K,微波频率9.1 GHz,微波功率1 mW)。采用赛默飞DXR共聚焦显微拉曼光谱仪测试样品的拉曼光谱,以780 nm激光做激发光源。热释光谱的设备由一个线性加热器和EG&G PAR 光学多波段分析仪(中山大学物理学院)组成,测试条件为365 nm UV灯,辐照时间5 min,升温速度5 ℃/s。所有测试在空气中完成。

3 结果与讨论

3.1 Si源对CZT-P荧光粉的光学性能影响

分别以H2SiO3、石英粉、SiO2(细颗粒状)和β-Si3N4为硅源,保持Si4+掺杂摩尔分数为3.2%合成荧光粉的归一化激发光谱和发射光谱如图1所示。从图中可以看出,以β-Si3N4为硅源获得的荧光粉在370 nm激发下具有最大的发射强度。由于该原料除了提供Si4+外,还有N的引入,因此可以推测Si—N之间的成键使得荧光粉的局部微观环境有了细微的变化,从而使荧光粉的光谱得到增强。后续的EPR谱和拉曼光谱均证实了该推测。

图1 不同Si源制备的Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+,3.2%Si4+荧光粉的归一化激发(a)和发射(b)光谱

3.2 荧光粉的物相分析

图2(a)是不同离子掺杂CaTiO3∶Pr3+体系的XRD谱,相应的晶相定量分析结果列于表1。试样CT-P荧光粉由正交晶系的CaTiO3(JCPDS No. 42-0423,CTO)和少量的四方金红石TiO2(JCPDS No. 87-0920)组成。引入20%的Zn2+后,试样CZT-P中金红石相消失,在衍射角29.82°、35.13°等处出现对应于立方Zn2TiO4(JCPDS No.25-1164,ZTO)相的特征衍射峰,并探测有少量菱方Ca2Zn4Ti16O38(JPCDS:85-1102,CZT16)相。在此基础上添加Si4+、Lu3+,试样CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%的晶相仍然由CTO、ZTO和CZTi16三相组成,其中正交的CTO为主相。图2(b)为2θ位于33 °附近的放大图,与CT-P相比,引入了Zn、Si的试样的(121)晶面所对应的2θ角略微地向高角度移动,而试样CZT-PS3.2%与CZT-PS3.2%L0.3%的相比则无明显变化。这是由于Zn2+(6配位0.074 nm,8配位0.090 nm)、Lu3+(6配位0.086 1 nm,12配位0.114 nm)、Si4+(0.026 nm)离子半径与Ca2+(12配位0.134 nm)、Ti4+(6配位0.060 5 nm)的离子半径有差异,所以Zn2+取代Ca2+以及Si4+取代Ti4+后,均会使晶格收缩,使得2θ角向高角度偏移,而通常认为Lu3+取代Ca2+或Ti4+位[12],虽然两者的半径有差异,但因为掺杂摩尔分数仅为0.3%,在XRD谱上观察不到明显的晶格变化。有文献认为Si、N以取代Ti和O位置的方式进入晶格,Si—N键的键长比Ti—O键短,从而导致晶格收缩[23]。从表1的物相分析中可以看出,Si4+、Lu3+离子的引入,使得Zn2TiO4

图2 不同离子掺杂荧光粉的XRD谱(a)和33°附近的XRD局部扩大图(b)

表1 各个样品的物相组成

相含量增加,而Ca2Zn4Ti16O38及CaTiO3相含量则略有减少。

3.3 荧光粉的电子顺磁共振谱

图3为CZT-P、CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%3种荧光粉的EPR谱。非Kramers Pr3+不显示EPR光谱[24],但是Pr4+却可以观察到。Pr4+离子的基态是3F5/2,可以分裂成2J+1=6个态。BaMO3钙钛矿(M=Ce, Zr, Sn)中Pr4+(4f1电子结构)的EPR光谱为一个很大的6线精细结构[25],即对应于这6个不同的微观能态。从图3中可以观察到在301.4,309.5,317.7,326.3,335.2,344 mT附近有明显的EPR谱线,对应于Pr4+的6条特征谱线,在图中分别用P1~P6进行标记。

图3 不同离子掺杂荧光粉的EPR谱

3个样品谱线位置基本上保持一致,但是加入β-Si3N4、Lu2O3后的谱线强度有不同程度的变化:在285~298 mT范围强度提高,而在330~350 mT范围内除了P5和P6谱线外,其余的谱线强度降低。值得注意的是,在谱线300.8,309.1,313.6 mT处的强度都有不同程度的提高。EPR谱线强度与离子的配位环境密切相关,强度增强意味着[Pr4+Ti3+O3]+簇增加[25],尤以Lu3+的添加强度变化更为明显。

3.4 荧光粉的拉曼光谱

拉曼光谱是一种估计材料短程有序-无序程度的技术[26]。荧光粉CZT-P、CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%的拉曼光谱如图4所示。从图中可以观察到属于CaTiO3的9个拉曼模式,分别位于159,185,229,250,291,340,473,496,637 cm-1,相应的拉曼位移分配如表2所示,基本与文献[27]的报道一致。添加了Si4+和Lu3+的荧光粉的Ca-TiO3的晶格模式由159 cm-1移向低波数,意味着存在Ca2+位的取代[28];185~340 cm-1范围的O—Ti—O弯曲模式以及473 cm-1和496 cm-1的扭振模式强度均有增强,意味着O簇的刚性增强;373,438 cm-1处出现的拉曼峰有可能对应于Ti格位的取代[29];731 cm-1出现的峰对应于Zn2TiO4的A1g振动模式[30];582 cm-1则对应于八面体Zn和四面体Ti的有序-无序结构[31]。拉曼数据结合图2的XRD证实了荧光粉基质主要由CaTiO3和Zn2TiO4两物相组成,强度的变化说明TiO6簇对称性提高[26],有利于Pr3+发光中心的能量传递[14],即Si4+、Lu3+的掺杂使得基质微观环境发生变化,从而影响荧光粉的发光性质。

表2 CaTiO3对应拉曼位移的分配[27]

图4 不同离子掺杂荧光粉的拉曼光谱

3.5 荧光粉的紫外-可见漫反射光谱

荧光粉CZT-P、CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%的紫外-可见漫反射光谱如图5(a)所示。荧光粉的主要吸收带来自于O2-的2p到Ti4+的3d的电子跃迁,波长约在330 nm,Si4+和Lu3+的掺杂显著增强了基质在350~500 nm范围内对光的吸收作用,对应于价间电荷迁移带(IVCT)及4f-4f之间的跃迁[12,25],有研究认为反射增加说明荧光粉中缺陷减少。将漫反射光谱经过公式(1)、(2)和(3)转换为(αhν)2对hν的关系如图5(b)、(c)和(d)所示,通过做切线求得与横坐标的交点(横坐标截距),即为该荧光粉的带隙能Eg[32]。

Eg=hν=hc/λ=1240/λ,

(1)

F(R)=(1-R)2/2R,

(2)

(αhν)1/n=A(hν-Eg),

(3)

公式中h为普兰克常数(6.626 196×10-34J/s),

ν为频率,λ为横坐标波长,R为反射系数,α即F(R)为吸收系数,Eg为带隙(eV),A为比例常数。n值则根据所对应半导体带隙跃迁性质取值1/2,3/2,2和3,分别对应直接允许跃迁、直接禁阻跃迁、间接允许跃迁和间接禁阻跃迁。CaTiO3为直接带隙材料,取n=1/2,求得3种荧光粉的Eg约为3.62 eV,低于文献[25]报道的CaTiO3∶Pr3+的3.7 eV。Zn2+离子的掺入,降低了CaTiO3基质的带隙能Eg,Si4+、Lu3+离子的掺杂对基质带隙能Eg无明显影响。

图5 不同离子掺杂荧光粉的紫外可见漫反射光谱(a)及(ahν)2-hν曲线(b)、(c)、(d)。

3.6 Si4+、Lu3+引入对CZT-P荧光粉的光学性能影响

图6 不同离子掺杂荧光粉的激发(a)和发射(b,c)光谱,以及336 nm和370 nm激发下612 nm的发射峰强度与Si4+ (d)、 Lu3+摩尔分数(e)的关系。

图7是荧光粉CT-P、CZT-P、CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%的归一化余辉衰减曲线,由于荧光粉CT-P在370 nm激发的发射很弱,相应的余辉衰减曲线未展示。从图中可以看到,Pr3+离子1D2→3H4发射的寿命衰减曲线符合二次衰减函数,首先经历一个快衰减,接着是一个慢衰减过程。根据双指数公式(4)进行拟合,并利用公式(5)求得荧光粉的平均寿命T,相应的计算结果列于表3。

I(t)=A1exp(-t/τ1) +A2exp(-t/τ2), (4)

(5)

其中I为发光强度,A1和A2是常数,t是时间,τ1和τ2是指数函数衰减时间。

从表3可以看出,荧光粉CT-P的平均寿命只有81.36 ms,引入Zn和β-Si3N4后的荧光粉余辉时间和平均寿命都达到最佳,其中荧光粉CZT-PS3.2%在370 nm激发时的余辉寿命达250.41 ms。Lu3+的添加虽增加了发射强度,但余辉时间和平均寿命均减小。

图7 不同离子掺杂荧光粉的衰减曲线

表3 样品荧光寿命的比较

3.7 样品的热释光谱

利用热释光谱可以研究荧光粉中的陷阱能级和陷阱密度,不同掺杂离子荧光粉的热释光谱曲线如图8所示。CT-P陷阱能级太浅,未检测出来,而其他样品则有不同深度的陷阱能级。根据Chen提出的公式(6)可近似地估算陷阱深度ET[33],计算结果列于表4。

(6)

其中k为波尔兹曼常数1.38×10-23J/K,ω为热释峰的半峰宽,Tm为热释峰最大值对应的温度,E和Tm的单位分别为eV和K。荧光粉CZT-P、CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%的陷阱深度分别为0.621,0.664,0.640 eV,依据Sakai的研究[34],0.6~0.7 eV对于长余辉来说是合适的陷阱深度。虽然3种荧光粉的陷阱深度处在比较合适的位置,但是CZT-PS3.2%L0.3%的余辉寿命是最短的,结合之前的EPR谱可知,添加Lu3+的荧光粉CZT-PS3.2%L0.3%具有稍高的Pr4+浓度,意味着发光中心Pr3+相对较少,因而影响了荧光粉的寿命[14]。

图8 不同离子掺杂荧光粉的热释光谱曲线

表4 荧光粉热释光谱曲线的最大峰值和陷阱深度

3.8 余辉机理探讨

图9为荧光粉CZT-P、CZT-PS3.2%、CZT-PS3.2%L0.3%中能量传递机理的示意图。结合激发、发射光谱、紫外-可见漫反射谱及余辉衰减曲线,可以确定价带与导带之间的能级差为3.62 eV;1D2的能级约为2 eV;IVCT能级约为3.3 eV;4f5d能级约为5 eV;3P0能级约为2.5 eV,低于IVCT的能级;缺陷能级的位置约在导带下方0.6 eV,与IVCT的能量接近,被其捕获的电子可以在获得少量外界能量下跃迁到IVCT,再从IVCT弛豫到1D2能级,从而实现612 nm的红光发射。这也解释了缺陷能级的增加有利于370 nm激发增强的现象。

图9 荧光粉CT-P、CZT-P、CZT-PS3.2%和CZT-PS3.2%L0.3%中能量传递机理示意图。

3.9 荧光粉的色坐标

荧光粉的色坐标如表5所示,除荧光粉CT-P外,其他样品的色坐标均为x=0.670,y=0.330,十分接近NTSC(National Television System Committee)定义的理想红光(x=0.67,y=0.33)[6]。由此可见,所合成的荧光粉是一种宽带有效激发、色纯度高、亮度高的红色荧光粉。

表5 荧光粉的色坐标值

4 结 论

通过传统高温固相法制备了Ca0.8Zn0.2TiO3∶0.2%Pr3+,Si4+和Ca0.8Zn0.2TiO3∶0.2%Pr3+,Si4+, Lu3+系列发光粉,研究了其微观结构及光学性质。以β-Si3N4为硅源可以提高Ca0.8Zn0.2TiO3∶0.2%Pr3+的发光强度和余辉性能。EPR结果表明掺Lu3+的样品具有稍高的Pr4+浓度及[Pr4+Ti3+O3]+簇含量,使得该样品虽然有较高的发光强度,但余辉寿命减弱。拉曼光谱证实了荧光粉主要由CaTiO3和Zn2TiO4两相组成,且掺杂后荧光粉对称性有所提高,增加了能量传递,有利于红光发射的增强。荧光粉的色坐标为(0.670,0.330),色纯度高,亮度高,并具有较好长余辉性能。因此,所合成的样品可以应用于楼道内的消防安全指示牌、仪表显示盘、交通路标、公共场所的警示牌以及夜晚的装饰等方面,同时合成的荧光粉能被370 nm紫外芯片有效激发,是一种有希望应用于LED的红色荧光粉。

参 考 文 献:

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