变频器逆变电路维修探讨

2018-06-11 01:47李旭敏
中文信息 2018年3期
关键词:维修变频器

李旭敏

摘 要:随着时代的不断发展,各种科学技术的应用普及,在当下,人们生活中的方方面面都离不开电,变频器能够起到调节变频的作用,通过对电源电流进行调整变频,从而能够对设备进行控制,并在一定程度上实现节能调控的目的,当今社会中,大到各种大型工业设施,小到各种日常家电,都有变频器应用的影子,如果变频器逆变电路出现了故障,很容易导致电气设施无法正常运行,影响到人们日常的生活生产。因此有必要对变频器逆变电路进行初步的分析,探究其构造,对常见的损坏原因进行研究,从而为日后的变频器应用维修提高参考。

关键词:变频器 逆变电路 维修

中图分类号:TN773 文献标识码:A 文章编号:1003-9082(2018)03-0-01

变频器能够对电源电流进行调节变频,实现交流电机的软启动,进行变频调速,提高设备运转精度,改变设备功率因素,对设备进行过流、过载、过压保护。一般情况下,变频器可以分为整流单元、高容量电容、逆变电路和控制器四个部分,其工作流程为整流单位对接受的固定交流电进行转化,转化为特定的直流电,然后经由高容量电容进行储存,逆变电路能够通过大功率晶体管开关阵列形成电子开关,对储存的直流电流进行转化,转化成为具有不同频率、不同宽度、不同幅度的方波,转化完成的方波在经过控制器处理,形成交流电,继而应用到电气设备中。在整个过程中,逆变电路起着对电流进行再度转化的作用,如果逆变电路出现了问题,变频器系统将无法进行正常运行,进而对整个电气设备系统的运行造成不良影响。因此通过对变频器逆变电路进行及时的维护整修,能够有效地避免变频器停摆,电力设备运行不良的发生,从而更好地帮助电力设备进行稳定运行,投入到人们生活中的使用。

一、变频器逆变电路的构造

常见的变频器逆变电路是由IGD、IGBT、电容等不同元件组成的,IGBT在整个逆变电路中起着核心作用,IGD负责对IGBT进行触发、保护和监控,电容则是用来对直流电进行暂时保存。一般情况下,逆变电路损坏原因有两种,IGD损坏和IGBT损坏,通过这两个部分的诊断维修,能够有效地解决逆变电路故障问题,实现变频器的正常运行。

二、IGBT常见故障与诊断

1.IGBT常见故障判断原理

IGBT是指绝缘栅双极型晶体管的缩写,它的发射极和栅极之间有很大部分的面积相邻,这部分空间中有一层二氧化硅绝缘栅起到隔绝作用,形成一个电容。正常情况下,IGBT在G-E之间能够进行电容特性的测量,ICBT的电容值和容量呈现正比关系。因此为了提高IGBT的工作效率,往往将隔绝栅的厚度做得极薄,导致其耐压值过低,一旦电压超出了隔绝栅的耐压上限,很容易导致隔绝栅被击穿,造成电容特性消失,IGBT损坏。因此通过对CG-E电容特性进行测量,能够对G极是否损坏进行判断,同时通过CG-C和CE-C的测量结果也可以作为C和E的判断依据[1]。

2.常见的IGBT损坏原因

2.1 dt/dv导致的栅极击穿

当栅极处于悬空状态时,由于G-C与G-E之间的电容特性,如果C-E突然发生电压增高,会对CCG和CCE进行充电,造成栅极电位超出了上限,绝缘栅被击穿,绝缘失效。因此在进行IGBT的耐压测试时,应当用导体短接GE,在进行IGD的安装时也必须保证IGD和栅极进行可靠接触,避免由于充电导致的电压升高,造成dt/dv击穿。

2.2擎住效应

在IGBT内部,各有一个等效的PNP三极管和NPN三极管,这两个三极管又形成了一个等效晶闸管。正常情况下,NPN三极管处于休眠状态,不起作用,但是当电流超出限定范围时,NPN三极管将造成IGBT失控,出现擎住效应,无法进行及时关断,致使IGBT被烧毁。

2.3过流损坏

在IGBT进行正常工作时,会在栅极处施加一个正电压,对P沟道内电子进行吸引,进而形成临时的N性半导体区域,这个区域厚度往往取决于栅极的电场厚度,IGBT通态电阻越高,热耗损和管压降越大,当实际电流超过了额度值,IGBT可能就发生损坏。

2.4散热不良热击穿

当大电流通过时。IGBT会产生较大的热量,如果没有妥善的散热措施,无法进行及时的散热,过高的温度会对IGBT造成不良的影响,发生热击穿现象,形成IGBT的损坏[2]。

三、IGD常见功能与故障

1.IGD的构造和工作原理

从构造上来看,IGD模块可以分为DC-DC隔离电源、Uce监控电路和触发/关断电路三大部分,PSU供给的直流电压经过隔离電源中频震荡处理,由隔离变压器进行整流平波后再提供给IGD使用,利用隔离电源,能够有效地稳定IGBT触发电压,避免电压波动造成IGBT触发端的损坏,当IGD模块发生损坏时,隔离电源能够起到对IGBT保护的作用,避免超额高压进行到PSU中,导致IGBT损坏。不同型号IGD模块的隔离电源具有不同的输入电压,6SE70系列的隔离电源的输入电压为15V,而Micromaster和SINAMICS系列的隔离电源输入电压为24V[3]。

2.IGD常见故障

IGD在进行使用的过程中,如果隔离电源发生损坏、监测电路失效或者电路控制失效,也会导致IGD无法进行正常的运行。隔离电源的内部元件构造相对比较脆弱,在隔离电源的整体结构中,起振电路核心是一枚CMOS半导体,这种半导体虽然和TTLIC半导体相比拥有更宽的工作电压和更低的能耗,但是也更加容易被损坏。隔离电源的开关管使用的是MOS管。通过MOS管的应用,固然能够提升IGBT的开关速度,减少开关管的损耗,但是在恶劣环境中的损坏可能性更大,另外作为电压触发元件,IGBT在触发电流方面没有太大的要求,不需要隔离电源具备太大的电流输出能力,一旦IGBT的G-E发生了短路或者其他IGD元件发生了短路,隔离电源很容易就会发生损坏。当IGBT损坏时,往往会产生电路控制失效,在进行控制时IGBT的G-E区域没有产生关断电压,测量时无法测量到触发电压。如果IGD的稳压管或者肖特基二极管发生了损坏,会导致监测电路回馈丢失,使得变频器在运行前就开始故障报警,影响到变频器的正常使用。

总结

随着在工业领域、日常领域中变频器应用范围的不断增大,变频器的维护检修成为了一个具有现实意义的重要课题,通过对常见的变频器逆变电路故障进行初步的分析,找出相应的故障原因,能够有效地为日后的变频器维修提高参考意见,从而促进变频器的应用推广,实现电器设备的节能运作。

参考文献

[1]丁斌,陈怀波.变频器逆变电路维修探讨[J].工业控制计算机,2013,26(7):134,136.

[2]徐殿国,刘晓峰,于泳等.变频器故障诊断及容错控制研究综述[J].电工技术学报,2015,30(21):1-12

[3]王彬,郭金川.浅谈变频器基本原理与拓展[J].军民两用技术与产品,2015,(12):97-97,124.

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