白光LED用Na3SrB5O10:Dy3+的合成及发光性能研究

2019-06-17 01:15田澍王晓军
关键词:荧光粉紫外光白光

田澍,王晓军

吕梁学院物理系, 山西 离石 033001

近年来,白光LED因其节能、高效、环保、体积小和寿命长等一系列优点而成为研究热点,作为新一代固体光源正逐步取代传统的照明方式[1].目前白光LED的主要合成方法有两种,第一种方法是蓝光LED芯片和可被蓝光激发的黄色荧光粉组装而成的,第二种是紫外LED芯片和可被紫外光有效激发的三基色(红、绿、蓝)荧光粉组成的.第一种方法因合成光里缺少红色成分,所以显色指数较低.第二种方法虽然有较好的显色指数,但因红、绿、蓝粉基质材料各不相同,存在发光效率低的缺点和荧光粉之间的配比调整等问题[2~3].单一基质白色荧光粉性能稳定,发光效率高,可以和紫外光芯片搭配获得白光,有望克服混合荧光粉的不足.硼酸盐为基质的发光材料有着明显的优势,如合成温度低、化学性能稳定和发光性能优良等,因此逐渐受到重视[4].

Dillip等研究了单基质单掺杂荧光粉Na3SrB5O10:Dy3+的结构和发光性质,在385 nm波长光激发下发射谱中蓝光强度要大于黄光强度,计算色温后知发光为冷白光[5].我们通过实验发现,当激发光为345 nm时Na3SrB5O10:Dy3+的发光为暖白光,将该结果与Dillip等人的研究相结合,搭配合适的紫外光LED芯片激发 Na3SrB5O10:Dy3+可得到冷暖白光光源.

本文采用高温固相法制备了Na3SrB5O10:Dy3+:n%Dy3+(n=0.5, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0)系列白光荧光粉,进行了XRD测试,激发光谱和发射光谱测试,研究分析了该基质掺杂Dy3+的适宜浓度及发光性能.

1 合成与XRD表征

1.1 合成

按Na3SrB5O10:Dy3+的化学计量比,分别称量适量的分析纯无水Na2CO3(99.8 %,天津大学科威公司),SrCO3(99.0 %,天津化学试剂三厂),H3BO3(99.5 %,天津大学科威公司)和高纯Dy2O3(99.99 %,天津化学试剂三厂)作为原料,在玛瑙研钵中混合并研磨均匀后放入干净的刚玉坩埚中(硼酸过量5 %补偿高温损失),置于马弗炉中于600 ℃烧结24 h用来分解碳酸盐和除去硼酸分解过程中产生的水分.当自然冷却至室温时,取出样品在玛瑙研钵中再次研磨均匀后放入马弗炉中于800 ℃烧结72 h后使其自然冷却至室温[6],取出研磨即可得所制样品.其反应过程可以用以下方程式表达:

10H3BO3+2xDy2O3+3Na2CO3+2(1-2x)SrCO3→2Na3Sr(1-2x)Dy2xB5O9+3CO2+15H2O+2O2

1.2 XRD表征

Na3SrB5O10是Wu Li等人于2008年合成的新物质,为三斜晶系,空间群为P1,晶胞体积为446.43(19) Å,单个晶胞中的Sr2+数目为2[6].使用X射线衍射仪(ARLX′TRA型,美国,Cu-Kα,λ=0.154 nm)对样品进行粉末衍射分析,扫描范围为5°~60°.该基质中的阳离子有:Na+,Sr2+,B3+,其中八配位Dy3+和Sr2+的半径分别为1.027 Å和1.26 Å,六配位的Na+半径为1.02 Å,四配位的B3+半径为0.11 Å[7].按取代规则,Dy3+优先取代相同配位半径相近的阳离子,如果取代不同配位阳离子则会发生相变.图1中为Na3SrB5O10:n%Dy3+(n=0.5, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0)的XRD图谱,可观察到当掺镝的浓度为0.5 %到1.5 %时所得产物的相纯度较高,表明少量Dy3+的掺入并没有对基质结构造成明显的改变,所以Dy3+进入基质的晶格格位并取代了相同配位的Sr2+.当掺镝浓度为2.0 %时,已经有明显杂峰出现,图中用黑色小方块标出,表明该基质掺杂Dy3+的浓度不应大于2 %.

图1 Na3SrB5O10:n%Dy3+
(n=0.5, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0)的XRD图谱
Fig.1 XRD spectras of Na3SrB5O10:
n%Dy3+(n=0.5, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0)

2 发光特性分析

用荧光光谱仪(FLS920型,英国)测发射和激发光谱,氙灯(Xe 900)做激发光源,狭缝宽度为0.5 nm,步长为0.5 nm,在室温下对样品进行测试.

2.1 荧光光谱

图2展示了Na3SrB5O10:1.5 %Dy3+的激发光谱和发射光谱.激发波长为345 nm时,紫外范围的发射峰主要位于在450 nm~500 nm的蓝光区和550 nm~600 nm的黄光区里,黄光的强度要大于蓝光的强度.450 nm~500 nm间的最强峰位于490 nm,这个波段的光主要来源于4F9/2→6H15/2的跃迁.500 nm~600 nm间的最强锋位于589 nm,主要是来源于4F9/2→6H13/2能级跃迁.在588 nm的监测下,激发光谱在紫外区的吸收峰主要位于293 nm、321 nm、345 nm、359 nm和385 nm,其中在345 nm处出现最强吸收,这些峰来自Dy3+的4f-4f跃迁,分别属于6H15/2→4D7/2,6H15/2→6P3/2,6H15/2→6P7/2,6H15/2→6P5/2+4M19/2和6H15/2→4F7/2+4I13/2跃迁[8~11].可看出,该样品可被紫外波长激发,因此该荧光粉能够和紫外光LED芯片搭配使用.

使用Peakfit 4.0软件对4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2跃迁产生的两处主发射锋进行光谱拟合,如图3所示,4F9/2→6H13/2的发射峰在晶体场的影响下劈裂产生567 nm、575 nm、582 nm(两个)和588 nm五个分裂峰,而4F9/2→6H15/2发射峰劈裂为469 nm、476 nm、482 nm和489 nm四个分裂峰.

2.2 浓度猝灭现象

图4是在345nm波长激发下不同掺杂浓度Na3SrB5O10:Dy3+的发射光谱,有两个主要特征峰,分别为蓝光和黄光部分.Y/B指黄光和蓝光发射峰强度的比值,表1表示Dy3+的浓度对Y/B值、色度坐标和色温的影响.可以看出,随着Dy3+浓度的增大,Y/B值只有微小变化,所以Na3SrB5O10:n%Dy3+的发光颜色并没有随着Dy3+浓度的变化而发生明显改变,因此其发光随着掺杂量的微小改变具有较好的稳定性.

图2 Na3SrB5O10:1.5 %Dy3+的(a)激发谱和(b)发射谱Fig.2 (a)Excitation spectra and (b)emission spectra of Na3SrB5O10:1.5 %Dy3+图3 Na3SrB5O10:1.5 %Dy3+的发射光谱拟合Fig.3 Spectral Fitting of emission spectral Na3SrB5O10:1.5 %Dy3+

当Dy3+的掺杂浓度超过1.5 %时出现了浓度猝灭现象,因此最佳掺杂浓度为1.5 %.该材料发光浓度猝灭是因为当处于激发态的Dy3+超过一定浓度时,稀土离子间距离达到了临界距离,相互作用增强,发生了非辐射能量传递,主要猝灭过程是4F9/2→6F3/2和6H9/2→6H15/2能级对之间的交叉弛豫过程[11].其猝灭浓度下激活剂离子的临界传递距离Rc的计算可以用式(1)表示[12],其中V=446.43 Å3为晶胞体积,N=2为晶胞中被激活离子替代的阳离子(Sr2+)的个数,Xc=0.015为猝灭浓度,带入可得临界传递距离Rc=3.05 nm.

(1)

图4 Na3SrB5O10:n%Dy3+(n=0.5~2.0)的发射光谱,嵌入图表示589nm处发光强度随Dy3+浓度增加的变化
Fig.4 Luminescence intensity of Na3SrB5O10:n%Dy3+(n=0.5~2.0),inset shows the intensity of 589 nm with different Dy3+concentration

表1 Dy3+浓度与Y/B比值,色度坐标和色温的关系Tab.1 Variation of Y/B ratio,CIE(x,y) and CCT values with doping concentration of the Dy3+

2.3 色度坐标和色温分析

将系列Na3SrB5O10:Dy3+的发射谱导入色度坐标计算软件后得到了相应的色度坐标值,如表1所示,色度图中的位置如图5中标注,在345 nm紫外光激发下该样品发光为暖白光,并将色度坐标导入式(2)计算出了对应的色温值.图5中黑色圆圈表示的是Dillip等人在385 nm激发下掺Dy3+浓度为1.0 %时样品发光在色度坐标中的位置,以便和345 nm激发下的发光做对比.

式(2)为McCamy于1992年提出的由色度坐标(x,y)直接求相关色温T的计算方法[13]:

T=-437n3+3 601n2-6 861n+5 514.31

(2)

其中,n=x-0.332 0/(y-0.185 8)

3 总结

在G.R.Dillip等人2013年研究工作的基础上,进一步对Na3SrB5O10:Dy3+荧光粉的合成过程和发光性质做了研究.XRD测试表明掺镝离子浓度小于2 %时基质Na3SrB5O10:Dy3+的结构没有发生改变,仍为纯相,掺杂浓度达到2.0 %时发生了浓度猝灭,因此Na3SrB5O10:Dy3+最合适的掺杂浓度为1.5 %.该荧光粉在345 nm的激发下,发射光谱的两个主峰位于490 nm和589 nm,并且Y/B的值随着Dy3+浓度的增加变化很小.经计算得出Dy3+在该基质中的临界传递距离为3.05 nm,发光中心小于临界距离则发生无辐射能量传递导致发光强度下降.Na3SrB5O10:n%Dy3+(n=0.2~2.0)系列荧光粉在紫外光(345 nm)的激发下为暖白光,色温为3 350 K左右,表明该荧光粉可与紫外LED芯片搭配得到暖白光光源.当激发光为385 nm时发光为冷白光[5],因此该单基质单掺杂的Na3SrB5O10:Dy3+配合不同波长的紫外LED芯片可以实现冷白光和暖白光的选择,有着良好的应用前景.

图5 Na3SrB5O10:n%Dy3+(n=0.5-2.0)的CIE色度坐标
Fig.5 CIE(x,y) of Na3SrB5O10:n%Dy3+(n=0.5-2.0) phosphors

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