台积电将称霸晶圆代工,3D封装是未来新挑战

2020-01-16 07:38
电脑知识与技术·经验技巧 2020年9期
关键词:台积电制程代工

工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为,台积电芯片制程5年内将称霸晶圆代工业,3D封装是新挑战。

英特尔(Intel)7nm芯片制程进度延迟,并可能释出委外代工订单;同时,手机芯片厂高通(Qualcomm)也传出5nm处理器可能自三星(Samsung)转由台积电代工生产,让台积电制程领先地位成为市场近期关注焦点。

台积电继7nm芯片制程于2018年领先量产,并在强效版7nm芯片制程抢先导入极紫外光(EUV)微影技术,5nm芯片制程在今年持续领先量产,下半年将强劲成长,贡献全年约8%业绩。

台积电3nm制程技术开发顺利,将沿用鳍式场效电晶体(FinFET)技术,预计2022年下半年量产,3nm制程届时仍将是半导体业界最先进的技术。

为确保制程技术持续领先,台积电2019年已领先半导体产业研发2nm芯片制程技术,台积电目前尚未宣布量产时间,不过按照台积电每2年推进一个世代制程技术推算,2nm芯片有望于2024年量产。

杨瑞临分析,盡管台积电2nm芯片制程将过去的FinFET技术,改为环绕闸极(GAA)技术,台积电2nm芯片制程仍有望维持领先地位。

只是制程微缩技术即将面临物理瓶颈,且价格成本越来越高,杨瑞临表示,3D堆叠先进封装技术将更趋重要,相关设备与材料问题都有待解决,这也是台积电的新挑战。

杨瑞临表示,台积电在先进封装领域着墨多时,自2016年推出InFO封装技术后,至2019年已发展至第5代整合型扇出层叠封装技术(InFO-PoP)及第2代整合型扇出暨基板封装技术(InFO-oS),并开发第5代CoWoS。

此外,台积电开发系统整合晶片SoIC,以铜到铜结合结构,搭配矽导孔(TSV)实现3D IC技术,将提供延续摩尔定律的机会。

杨瑞临认为,台积电在先进封装领域仍将领先对手三星。先进封装将是台积电筑起更高的技术与成本门槛,也是拉大与竞争对手差距的关键。

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