新型磁存储器件有望解决AI“内存瓶颈”

美国西北大学和意大利墨西拿大学的研究人员合作开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件，其具有体积小、耗能低的特点。研究团队使用了柱状反铁磁材料，研究表明，生长在重金属层上的、直径低至800nm 的反铁磁铂锰（PtMn）柱，通过极低电流后可以在不同的磁态之间进行可逆转换。通过改变写入电流的振幅，即可实现多级存储特性。基于反铁磁铂锰柱制成的存储器件仅为现有的基于反铁磁材料存储设备的1/10，且新型器件的制造方法与现有的半导体制造规范兼容。该新型磁存储器件很小，耗能很低，有望使反铁磁存储器走向实际应用，并帮助解决AI 的“内存瓶颈”问题。