硅射频DMOSFET发展现状

2020-07-29 12:30李飞
科技创新与品牌 2020年7期
关键词:工作频率晶体管输出功率

李飞

摘要:本文简单描述了硅射频DMOSFET的优势,介绍了LDMOS和VDMOS的发展概况,对比说明了LDMOS和VDMOS在工作频率、输出功率、功率增益和可靠性等方面各自的优势,并对二者的发展方向和前景进行了讨论。

关键词:硅;射频DMOSFET;发展

0 引言

我国早在20世纪60年代中期就开始了对Si基射频功率晶体管的研究,并且生产出了具有高功率、低成本、加工工艺成熟等特点的BJT器件,之后在移动通讯、雷达等领域应用的射频功率器件一直以BJT器件为主。与此同时,在20世纪70年代,科研人员同样开展了对DMOSFET器件的研究。研究表明,DMOSFET器件有很多优势,如[1]:输入阻抗高,因此驱动电路设计简单;电流温度系数为负,热稳定性好;不受二次击穿影响,安全工作区大;多数载流子导电,不存在少子存储效应,开关速度比BJT高十倍以上;可以多胞简单并联工作,获得较高输出功率。因此,Si基射频功率晶体管的研究方向逐渐由BJT器件向DMOSFET器件转移,尤其进入80年代中期到90年代,Si射频功率BJT器件的发展到达极限[1],因此Si射频DMOSFET异军突起,逐步占领主导地位,直至今日,Si射频DMOSFET已在民用和军用领域都得到了广泛的应用。

1 射频DMOSFET的发展

射频LDMOSFET

1969年Y Tarui等人[2]最早提出了射频LDMOSFET的结构,如图1所示。与早期MOSFET相比,LDMOSFET在结构和工艺上主要有两点不同:1)沟道与漏极之间有一个比较长LDD区,该区域为N型低掺杂区,作用为提高器件的击穿电压;二是沟道主要由不同元素扩散速率的不同来控制,沟道长度为两次扩散的横向结深差,因此沟道可以做得很小并且不受光刻精度的限制,有利于减小载流子漂移时间,提高器件工作频率,再加上增加总栅宽的措施后,器件的电流也可以做得很大。

90年代以來,无线通信市场不断扩大,射频LDMOS器件在500MHz~2.5GHz频段内的蜂窝无线基站领域内开始广泛应用,超过50%的手机基站市场需要硅射频LDMOS器件技术[3]。蜂窝通信市场的发展使得LDMOS的需求量不断增长,市场竞争促进了LDMOS技术快速的进步。各商家不断地通过结构和工艺技术的改进,以满足高输出功率、宽工作频带、高工作效率、高可靠性、降低系统运行成本等市场要求。

进入21世纪以后,LDMOS技术更是发展迅速。2002年,飞利浦公司推出第三代0.8微米LDMOS技术,其代表产品为BLF3G21-30,工作频率为1800~2200MHz,输出功率30W,工作效率为35%,功率增益为13.5dB,比第二代0.8微米LDMOS技术产品的功率增益要高2dB。

2003年,飞利浦第四代LDMOS技术适用于800MHz到2.2GHz的所有频带,新型0.6um工艺使器件提升了50%的功率密度以及6%的工作效率,功率增益也比第三代技术提高了2dB。另外,第四代LDMOS器件采用多层金属化和金属线间连接技术,提高了器件的可靠性。

2004年第四季度,飞利浦公司推出第五代LDMOS技术,即0.4um工艺技术以及四层金属布线技术,功率密度比第四代高了20%,同时还提高了器件的功率增益和可靠性。到2005年6月,飞思卡尔半导体公司推出第六代高压LDMOS技术,其产品的输出功率从10W到220W,工作效率比前几代产品提高了15%,功率密度提高了50%,部分产品的增益比前几代提高了2dB。同年,恩智浦公司也推出第六代产品,如BLF6G22LS-180PN,工作频率为2000~2200MHz,输出功率180W,功率增益17.5dB,效率27.5%。

2008年6月,恩智浦公司推出了第七代LDMOS技术,产品覆盖了400~3500MHz整个频率范围。第七代的首款产品为BLF7G22LS-200基站功率晶体管,其工作频率为2110~2170MHz,输出功率200W,增益18.5dB,比上一代产品提高了1dB;工作效率为31%,提高了4个百分点;第七代产品还在工作频率上创下新高,最大工作频率可达3.8GHz。2013年8月,恩智浦公司LDMOS技术已发展到第八代,与第七代相比,功率密度提高了15%,其产品BLF8G22LS在2110~2170MHz频率下,平均输出功率为200W,效率27%以上,增益可达20dB,比上一代提高了1.5%。

随着4G在全球的推广,恩智浦半导体公司继续优化适用于无线基站LDMOS射频功率晶体管,并于2014年6月推出第九代LDMOS产品。第九代产品主要针对的是紧凑、高效和高性能的LTE基站。在Doherty应用中,LDMOS晶体管的性能进一步得到提高,效率提升5%以上。同时,第九代LDMOS技术还针对3.4~3.8GHz下的应用进行优化,功率密度、效率和线性度上得到了提升。

微波VDMOSFET

VDMOSFET结构于1979年由H.W.Collins等人[4]提出。VDMOS的工作原理为,漏极电流经过垂直方向的N-漂移区,抵达栅极下面的积累层,再通过水平沟道流到源极。这种垂直结构的晶体管,工作电压为28V到50V,工作频率可达500MHz,而且热稳定性好,可靠性高,相比于LDMOS来说,工艺更简单,因此VDMOS开始被广泛采用。

1980年以后,VDMOS通过器件结构的改进,使器件在VHF、UHF频段大功率方面的研究有了长足的进步,到80年代中期,形成了连续输出功率从5W到125W的系列化产品。其中最有代表性的产品就是Motorola的MRF154[5]功率晶体管,工作频率在2~100MHz时,连续输出功率为600W,功率增益为16dB,漏极效率为45%,总耗散功率达1350W,在大功率方面硅MOSFET技术几乎达到了极限。到80年代末,实验室研制的VDMOSFET的工作频率最高可达1200-1400MHz,输出功率为16W,功率增益8dB,效率为55%,VSWR为8.6:1。由于结构上的限制,射频VDMOS发展到上世纪90年代时,增益和工作频率的提高遇到瓶颈。因此,相对于LDMOS的高频应用,射频VDMOS一直应用在低频段大功率领域。

直到2008年第四季度,HVVi公司在硅VDMOSFET基本架构的基础上进行新结构的研发创新和组合,推出了HVVFET系列产品,覆盖了L波段的1030~1090、1025~1150、1200~1400MHz等频段,功率增益为15dB到20dB,在同频段的器件中性能达到很高水平,填补了射频VDMOS高频段应用的空白。上表是三种L波段雷达用晶体管的性能比较。

HVVFET器件,采用了屏蔽栅结构,可以把栅长做的很短,同时降低了寄生电容,从而提高了器件的功率增益和工作频率;封装上HVVFET采用倒装焊结构,既有利于散射,又降低了接地电感,进一步提高了器件的工作频率。因此,HVVFET在发挥了VDMOS功率密度大优势的基础上,大幅提高了器件的射频性能,同时HVVFET在部分频率范围内超越了LDMOS。这一时期,HVVFET代表了射频VDMOS器件的最高水平,也代表了射频MOSFET器件发展的最高水平。

2 我国射频DMOSFET的发展

我国DMOS研究起步较晚,与国外大的半导体厂商相比差距较大,目前仍然处于探索研制阶段。国内有关射频功率DMOSFET的报道如下:

LDMOS方面,2010年7月,国内报道成功研制了P波段LDMOSFET,并介绍了主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LDD区场板优化,阻止热载流子效应引起的性能退化。工作频率在480~610MHz,输出功率大于350W,增益大于17dB,漏极效率大于50%[6]。在2011年1月,国内报道了P波段450W硅LDMOS器件的研制结果,在漏源工作电压36V,脉宽20ms,占空比35.7%的测试条件下,485~606MHz全带内输出功率达到450W,增益大于18dB,效率大于60%[7]。

VDMOS方面,1998年11月,国内研制了一款VDMOSFET器件,其采用金属栅降低串联电阻,400MHz下用共源推挽结构成功地进行了并联工作,在50V工作电压下实现了连续波输出功率250W,增益10dB,漏极效率60%[8]。2000年,国内还研制出1GHz下输出功率10W,功率增益为8dB的VDMOS器件[9],是国内VDMOS器件工作频率的最高水平。大功率方面,2001年报道了一款国内研制的VDMOSFET器件,采用金属栅电极共源平衡推挽结构,在95-105MHz、脉宽50ms、占空比5%的条件下实现了脉冲输出功率600W,增益大于9dB,漏极效率大于50%[10]。

3 射频DMOSFET未来展望

射频LDMOSFET

近几年,伴随着5G的时代浪潮,射频LDMOS的市场占有额受到GaN器件的巨大冲击。凭借着S波段及更高频率上性能的优势,GaN器件已经成为了基站功率技术的重要选择。

尽管受到GaN器件技术的冲击,射频LDMOS器件仍然在L波段及更低的频段上有着广泛的应用,并且仍有新产品研发出来。2019年6月,安谱隆半导体(Ampleon)发布2款产品,BLP9LA25S和BLP5LA55S。这2款13.6V工作的LDMOS器件可用在2MHz至941MHz的整个VHF和UHF频段,分别提供25W和55W输出,在整个工作频率范围内实现了>18dB的增益和>65%的效率,其优异的性能可以减少放大级数,提高稳定性,简化冷却装置,减小系统体积。它们还具有出色的线性度,因此成为陆地集群无线电(TETRA)应用的理想选择,并且它们还能耐受超过65:1电压驻波比(VSWR)的极端失配,能够承受最恶劣的应用环境,因此也非常适用于可靠性要求很高的手持式无线电台。此外,这2款器件采用紧凑的超模压塑料(OMP)TO270封装,体积小、成本低。

可以预见,射频LDMOS在L波段以下的频段仍有很大的市场和应用前景,其竞争力和优化提升方向则是提高稳定性和可靠性、减小体积和重量、不断降低成本,这些是保证LDMOS不断发展必须攻克的难题。

射频VDMOSFET

一直以来射频VDMOS的优势是大功率,应用于1GHz以下车载移动通信、TV发射机、电子对抗、雷达等方面,这些领域对器件的要求主要是宽带大功率和高可靠性。由于HVVFET的出现,使得长期以来发展滞后的射频VDMOS器件看到了新的曙光,新结构的HVVFET在1GHz的频段上的功率增益有着不俗的表现,更高的增益可以减少功率放大器所需器件的级联级数,减小功率放大器的体积。

尽管HVVi公司推出HVVFET之后没有继续推出新的更高频段的产品,但是为射频VDMOS向高频发展提供了路线,其特殊的结构使HVVFET还有很大的提升空间,在发挥其功率密度大的优势的前提下,向更高频率和更大增益方向发展。

我国射频DMOSFET发展展望

射频DMOSFET器件在国内有着巨大的市场,但由于研发技术相对落后,目前主要还是靠进口,制约了国内很多领域的发展。尽管GaN器件市场火热,我们仍然需要重视射频DMOSFET器件的研发和应用,加大投资,加强建设力度,改善工艺条件,引进先进技术,增强射频DMOSFET器件的自主研发能力,以期能够替代国外的同類产品,扭转受制于人的被动局面。射频DMOSFET的发展是有非常重要的经济效益和战略意义的。

参考文献

[1] 刘英坤. 硅微波功率DMOSFET发展现状[J]. 半导体情报, 1999年, 36(6): 6-11

[2] Tarui T, Hayashi Y, Sekigawa T. Diffusion self-aligned MOST: A new approach for high speed devices. In Proc 1st Conf Solid-State Devices(Tokyo, Japan, 1969) 105-110

[3] Steve Jones, “LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战,” Technology & Market, 2003

[4] Collins H W, Pelly B.HEXFET, a new power technology, cutts on-resistance, boots ratings. Electron Des, 1979; 17(12): 36

[5] RF MOSFET pushes 600W. Microwave & RF, 1985; 24(9): 180

[6] 郎秀兰, 段雪, 刘英坤, 邓建国, 胡顺欣, 刘忠山, 李明月, 潘茹, 黄雒光, 张晓帆 . P波段350W LDMOS功率管研制[A]. 2010全国半导体器件技术研讨会论文集[C]. 2010年

[7] 王佃利, 李相光, 严德圣, 丁小明, 刘洪军, 钱伟, 蒋幼泉, 王因生. P波段450W LDMOS功率管研制[J]. 固体电子学研究与进展, 2011年, (1): 60-64

[8] 刘英坤, 杨增敏, 郎秀兰, 王占利, 何玉樟, 吕仲志, 李勇, 周晓黎. 400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管[J]. 半导体学报, 1998年, 19(11): 877-880

[9] 祁斌, 刘英坤, 王长河. 1GHz微波功率MOSFET的研究[J]. 半导体技术, 2000年, 25(1): 22

[10] 郎秀兰, 刘英坤, 王占利. 高频大功率VDMOS场效应晶体管[J]. 半导体技术, 2001年, 26(1): 34-36

责编/马铭阳

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