SCT040H65G3AG 碳化硅MOSFET意法半导体

意法半导体推出第三代STPOWER碳化硅（SiC） MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

随着电动汽车市场加速发展，许多整车厂商和配套供应商都在采用 800 V驱动系统，以加快充电速度，帮助减轻电动汽车重量，新的800 V系统能够帮助整车制造商生产行驶里程更长的汽车。

意法半导体的新一代SiC器件专门为这些高端汽车应用进行了设计优化，包括电动汽车动力电机逆变器、车载充电机、DC/DC变换器和电子空调压缩机。

新一代产品还适合工业应用，可提高驱动电机、可再生能源转换器和储能系统、电信电源、数据中心电源等应用的能效。

意法半导体目前已完成第三代SiC技术平台相关标准认证，该技术平台衍生的大部分产品预计在2021年底前达到商用成熟度。标称电压650 V、750 V至 1,200 V的器件将上市，为设计人员研发从市电取电，到电动汽车高压电池和充电机供电的各种应用提供更多选择。首批上市产品是有650 V的SCT040H65G3AG和750 V裸片形式的SCT160N75G3D8AG。