基于LM25183的反激式开关电源设计

2022-09-21 10:51彭建伟王少杰
通信电源技术 2022年10期
关键词:磁芯检测法绕组

彭建伟,王少杰,徐 剑

(邵阳学院 机械与能源工程学院,湖南 邵阳 422000)

0 引 言

随着电力电子技术的发展,反激式开关电源由于效率高、功耗小、高隔离、体积小等优点已经广泛应用于工业产品、电子通信与航空领域,作为其控制系统中的辅助电源[1]。在电力电子设备追求高密度,高功率的背景下,为了进一步减小体积,辅助电源往往由变频器的直流环节供电。与传统的输入电压为市电的开关电源相比,这种供电方式使电源开关器件在关断时刻承受更高的电压应力。除了选择具有适当耐受电压的开关管外,还需要设计箝位电路以有效吸收漏感能量。参考文献[2]对液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)箝位电路,TVS箝位电路、剩余电流装置(Residual Current Device,RCD)箝位电路进行了比较,指出RCD箝位电路因其结构简单、功率效率高而被广泛应用。文献[3]为了解决准谐振控制带来的开关频率变化范围大的问题,设计了一种多模式控制方法,使准谐振模式下的开关频率非常低,系统将工作在连续电流模式下,从而在低输入电压和高负载条件下提高功率效率。

1 开关电源芯片LM25183

LM25183是一款初级侧调节(PSR)反激式转换器,具有高效率,对隔离输出进行电压采样,固定频率脉宽可调的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)控制芯片,其内部结构如图1所示[4]。该芯片具有以下优点。

图1 LM25183芯片内部结构

(1)金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)在边界导通模式(Boundary Conduction Mode,BCM)模式下能够实现准谐振关断,因此可以实现低电流甚至零电流关闭[5]。

(2)具有单输出和多输出的功能。

(3)内部环路补偿。

(4)超低的电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)传导。

2 反激式开关电源工作原理

反激式开关电源拓扑结构如图2所示,直流输入电压由Ui输入,经过输入保护电路和EMI滤波电路,全桥整流,再次滤波,使输出变得平滑,通过功率开关管以及高频变压器,之后输出整流滤波;功率管以及高频变压器内部结构如图3所示,Np、Ns为变压器初级、次级绕组匝数,初级绕组加到开关管的漏极,当开关管导通时,初级绕组是上正下负,次级绕组是上负下正,二极管截止,此时没有输出。当开关管关闭时,此时初级绕组是上负下正,次级绕组是上正下负,二极管导通,线圈开始放能,此时输出电压,变压器在储能放能过程中,线圈遵守伏秒平衡守则。

图2 反激式开关电源拓扑结构

图3 功率管以及高频变压器工作原理

3 确定系统要求与电路设计

本次设计的开关电源系统指标如下:输出电压为15 V输出,输入电压为4~42 V的宽输入电压范围,典型输入电压为Uin为24 V,输出功率Po为8 W,工作频率Fs为300 kHz,最大磁通密度Bmax为0.20 T,工作效率η为85%。

3.1 变压器参数设计

根据系统需求,可以知道输入电压为Uin=4.5 V,Umax=42 V,输出功率为8 W,输出电压为+15 V,计算输出电流为

输入功率为

低压满载时原边峰值电流为

占空比为

励磁电感量为

利用AP法进行磁芯选择,即:

暂磁芯为EE25磁芯,其磁芯参数如表1所示。

表1 EE25磁芯参数

实际磁芯AP值为

原边绕组匝数为

副边绕组匝数为

3.2 RCD箝位保护电路

当MOS管开关断开时,由于漏感的影响,高频变压器的一次绕组会产生反射电压和峰值电压,直接施加到MOS管的漏极上,未加保护,开关管上的寄生电容很小,很容易击穿。因此,在初级绕组与开关管之间加RCD箝位电路,如图4所示。当开关管关闭时,形成的峰值脉冲能量先将开关管的寄生电容充满,随后通过D1,对C1进行充电,直到C1两端电压大于开关管两端电压充电结束,电容C1通过对R1进行放电,存储的能量通过电阻消耗,电阻起到缓冲接收电压峰值的作用,进而保护开关管。对于D1耐压值的选型,选择理论耐压值为80 V,在实际测试中耐压值为32.8 V,如图5所示,符合设计要求。

图4 RCD钳位电路

图5 二极管尖峰电压

3.3 采样电路设计

本次设计的反激式开关电源采用双闭环结构,它们是内环的电流反馈环和外环的电流反馈回路。内环的电流反馈回路由外部电压控制,它由控制回路控制,最终输出为电压值。首先要考虑内部的电流环。

常用的电流检测有外接电阻检测法,霍尔传感器检测法、电流互感器检测法。霍尔传感器检测法与电流互感器检测法由于体积大、误差大、功率损耗较大,不适合用于本次设计的反激式开关电源,因此采用外接电阻检测法较为妥当。

LM25183芯片内部具有精密电压调节器,对基准电压具有可调节性。内部具有2.5 V的基准电压,可以对输出电压进行调节,在2.5~36 V调节稳定输出电压。

4 验证结果分析

利用Simplis仿真软件搭建了仿真模型,对所叙述的拓扑原理及参数进行防真,对印制线路板(Printed Circuit Board,PCB)进行实物测试。

效率测试结果如表2所示。

表2 效率测试结果

输出波形如图6所示。

图6 输出波形

5 结 论

本文提出反激式开关电源DC-DC的电源方案,由LM25184芯片驱动MOS管,采用AP法进行变压器设计,利用准谐振技术,降低交叉损耗,实现了低电流关闭、低电压导通,对开关管采用RCD钳位保护电路,实现开关电源的功率变换电路,由4.5~32 V的直流电稳定转换成+15 V直流电,通过实验仿真与实物测试结果分析,设计的反激式开关电源可以稳定的输出+15 V电压,输出电压开机时间为17 ms。通过Simplis仿真软件进行仿真,通过结果可以看到,工作比较稳定,效率满足要求,结构简单,为反激式开关电源提供有利的依据。

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