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2011年全球LED照明市场规模将达154亿美元整体照明市场渗透率首度突破10%

继LED TV后，LED照明将成为带动LED产业高度成长的应用产品。根据DIGITIMES Research最新统计，高亮度LED市场规模将由2010年82.5亿美元，成长至2011年的126亿美元，年增长率将高达53%，其中，LED照明使用颗数由2010年48亿颗，将增至2011年124亿颗，主因为2011年LED灯炮取代传统白炽灯效应开始显现。

虽然2010年LED照明占总照明市场比重尚不高，以产值来看仅3.2%，然而在节能减碳意识高涨下，世界主要国家已订定LED照明政策，积极推动LED照明产业发展。DIGITIMES Research分析师兼项目经理林芬卉分析，全球LED灯炮需求量将由2011年5.96亿颗，大幅增长至2013年的25亿颗；路灯方面，由于大陆、美国、欧洲于各主要城市已推动示范工程，预估LED路灯将由2011年220万盏，增至2013年980万盏，将再带动未来数年LED照明渗透率提升。

在全球主要国家LED照明政策推动、LED发光效率显著提升及预估LED照明价格每年将有20%～30%下跌空间等影响下，林芬卉预估，照明用LED需求量2009年至2013年CAGR将达97.4%，高于大尺寸LCD用LED背光CAGR的62.6%，且LED照明市场规模至于2011年将达154亿美元，于整体照明市场渗透率首度突破10%，达10.6%。

大中华地区前4大晶圆代工厂2011年总营收将增长9.4%

根据DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析，2010年全球前10大晶圆代工厂商排名中，台积电、联电以全年营收132.3亿美元与38.6亿美元，分别拿下第1名与第2名，中芯则以15.5亿美元全年营收，位居第4名。至于台积电旗下转投资公司世界先进则以5亿美元全年营收，亦挤身于全球前10大晶圆代工厂商之列。

柴焕欣说明，2010年全球前10大晶圆代工厂排名中，大中华地区即占4席，而大中华地区前4大晶圆代工厂2010年全球晶圆代工产业合计市占率高达73%，亦突显出大中华地区在晶圆代工产业地位之重要性。

然而，Global Foundries挟中东阿布达比先进技术投资公司(Advanced Technology Investment Co.；ATIC)雄厚资金，除购并全球第3大晶圆代工厂特许半导体(Chartered)外，还于美国纽约兴建第3座12英寸晶圆厂Fab-8，生产制程更从28 nm起跳，目标就是希望超越台积电，成为全球最大晶圆代工厂。Global Foundries加入竞争，亦掀起晶圆代工产业新一波12英寸晶圆厂产能扩充竞赛。

包括台积电、联电、中芯等晶圆代工厂于2010年皆相继调高资本支出金额，柴焕欣分析，除加快12英寸晶圆产能扩充脚步外，为争取更广大订单机会，亦为掌握整合组件厂(Integrated Devicd Manufacturer，IDM)订单扩大委外代工的趋势，提高45/40 nm及其以下先进制程产出比重，购置浸润式机台亦是资本支出另一个重要方向。

在大中华地区主要晶圆代工厂投入12英寸晶圆与先进制程产能扩充的同时，展望2011年半导体产业景气，在2010年下半年客户端库存调整后，预期2011年依然会延续景气成长的方向前进，但历经2009年下半年以来高成长期后，2011年将会成长趋缓，回归至稳定成长的轨迹。

需求成长幅度预估供给相当，柴焕欣预估2011年大中华地区前4大晶圆代工业者营收年成长率将达9.4%，但在12英寸晶圆产能与45/40 nm及其以下先进制程良率与研发进度拥有优势的台积电，全球市占率版图将会进一步扩张。

2011年全球DRAM产能位成长率达58.8%制程升级成产能成长的最关键因素

2009年第2季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升，DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。

DIGITIMES Research分析师柴焕欣说明，2006年以来，包括中国台湾地区、美国、日本等DRAM厂即因DRAM价格持续下跌而处于长期亏损窘境；在金融海啸期间，更因不耐景气严寒，除削减资本支出，停止原先扩厂计划外，亦先后采取减产、裁员、关厂等策略应对，为的就是保有手中现金部位。

至2009年第4季前，DRAM厂商对景气展望仍相当保守，加上缺乏足够现金部位提供购料投片，即使面对来自PC市场需求逐季升温，DRAM供给增加亦相对有限，这也是DRAM价格自2009年第2季至2010年第2季得以维持将近5季荣景的重要原因。

然而，2010年第2季以来，先有三星电子(Samsung Electronics)宣布26兆韩元的投资计划，率先将30 nm制程导入量产，并大幅扩充内存产能；加上欧债风暴影响，来自PC市场对DRAM的需求顿时减弱，两大因素亦使得DRAM价格加速下滑，1Gb DDR3现货价从2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅达62%，且至12月都尚未见到止跌回稳的迹象。

柴焕欣分析：事实上，除三星以外的主要DRAM厂，在产能扩充的脚步都显得相当保守，但随先进制程占产出比重提高，产能依然出现明显增长，以65 nm制程升级至50 nm制程，产能即可增加50%，从50 nm制程转换至40 nm制程，产能将更进一步增长45%。

依据各DRAM厂所开出产能分析，柴焕欣预估，2010年全球DRAM供给量将达20.4亿Gb，较2009年的13.6亿Gb增长49.4%。2011年全球DRAM供给量将达32.3亿Gb，较2010年的20.4亿Gb更进一步增长58.8%，2011年DRAM供给量大幅增长的原因则来自于先进制程的升级，其次才是来自于产能扩增。

包括美光、南科、华亚科、瑞晶、尔必达等DRAM大厂，45/40 nm制程产能将于2011年大量开出，且先进制程占营收比重将会逐季提高，柴焕欣认为：这意味着2008年下半以来DRAM控制产能扩张的时期将告一段落，转而进入透过制程升级来扩张产能的新时期，这也将会是影响2011年全球DRAM市场景气荣枯的最关键因素。