韩国三星首次研发5纳米半导体工艺

据韩国《中央日报》报道，三星电子已成功研发出5纳米（nm）半导体工艺，并于4月正式量产首个利用极紫外光刻（EUV）的7纳米芯片。

三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工艺相比，EUV短波长，能够更加准确地画出精密半导体的电路。半导体的电路越设计越薄，芯片的尺寸变小，耗电量也同时减小，发热也降低，因此精密工艺尤为重要。

三星电子方面表示，此次开发的“5纳米工艺”通过最优化的单元储存设计，将比已有的7纳米减少25%的面积大小，同時电量使用率提高20%，性能提高10%。