WO42-对红色荧光粉Na2CaSiO4∶Eu3+发光性能的影响研究

2019-11-06 02:06隆金桥崔连胜姚鹏飞刘晓凤谭能文
中国钨业 2019年3期
关键词:电偶晶胞荧光粉

隆金桥,崔连胜,姚鹏飞,刘晓凤,谭能文,舒 韦

(百色学院 化学与环境工程学院,广西 百色 533000)

红色荧光粉作为白光LED的重要组成部分被广大研究工作者重视,在已研究的红色荧光粉当中,三价铕离子发射光谱跃迁为5D0→7FJ(J=1、2、3、4)处在红光区,可被近紫外光393 nm和蓝光464 nm附近激发,能够用于近紫外激发和蓝光激发的白光LED当中而得到广泛研究[1-6]。在Eu3+掺杂的发光材料中,稀土Eu3+主要有两种跃迁形态,一种是5D0→7F1磁偶极跃迁,在晶体场占据对称性强的严格遵守反演中心的格位,主要发射橙色光;另一种是5D0→7F2电偶极跃迁,处于对称低偏离反演中心的格位,主要发红色光[7]。在相同激发光激发下,5D0→7F1和5D0→7F2的跃迁是相等,发光强度一样的。但是,从前人研究的结果看,很少有5D0→7F1和5D0→7F2的跃迁是相等,发光强度一样的荧光粉。报道较多的是以5D0→7F2电偶极跃迁,主要发红色光的发光材料[7-8]。为了能使5D0→7F2电偶极跃迁增强,使荧光粉发的红色光更强更纯,研究者利用了量子剪裁效应[9-10],掺杂离子对荧光粉进行敏化而得到电偶极跃迁发光增强的荧光粉。在加入阳离子敏化剂的研究中,已报道的有SrZn2(PO4)2∶Eu3+,Tb3+,Li+[2]、Tb2(MoO4)3∶Sm3+/Eu3+[4]、Na2CaSiO4∶Eu3+,Li+[11]等。Tb3+,Sm3+与 Eu3+之间产生能量转移而起引起5D0→7F2电偶极跃迁增强,R值(5D0→7F2电偶极跃迁峰面积和5D0→7F1磁偶极跃迁峰面积之比)增大,色纯度更好。而Li+由于电荷补偿和晶格畸变,非对称性高,从而使5D0→7F2电偶极跃迁增强,发光强度增大。在阴离子掺杂的研究中,已报道的NaLa0.7(MoO4)2-x(WO4)x:0.3Eu3+[12]、Na5Ln(WO4)4-z(MoO4)z∶Tb3+,Eu3+(Ln=La,Y,Gd)[13]、NaGd(WMo)O8-x/2Fx∶Eu3+[14]等体系,这些体系由于阴离子的掺杂,Eu3+在晶体中的对称性降低,5D0→7F2电偶极跃迁增强,发光强度增大。

本研究荧光粉基质为Na2CaSiO4,通过高温固相法合成Na2Ca1-x(SiO)1-y∶xEu3+,yWO42-系列红色荧光粉。对荧光粉的结构、荧光性质、色坐标进行分析。探讨了Eu3+、WO2-用量对荧光粉发光性能的影响,并分析Eu3+浓度猝灭机制。

1 试验

1.1 试剂及仪器

硝酸铕Eu(NO3)3(99.99%);硅酸钠、钨酸钠和碳酸钙均为分析纯。

荧光分光光度计F-7000(日立高新技术公司);粉末X-射线衍射(XRD)分析用的是日本理学公司的Rigaku D/max 2500V型X射线粉末衍射仪。

1.2 荧光粉的制备

1.2.1 N a2C a1-xSi O4∶xEu3+的制备

按Na∶Ca∶Si∶Eu=2∶(1-x)∶1∶x物质的量比准确称取硅酸钠、碳酸钙置于玛瑙研钵中,按x=4%,8%,12%,16%,20%,24%,28%计算用量加入1mmol/mL的硝酸铕溶液。充分研磨30min,转入瓷坩埚,再放入烘箱中于105℃条件下烘3 h,冷却后研磨得到产物前驱体。将前驱体转入瓷坩埚,在马弗炉中300℃的温度下煅烧3 h,再升温至850℃进行煅烧4 h,降温后取出产品,自然冷却,研磨即得白色Na2CaSi1-xO4∶xEu3+系列荧光粉。

1.2.2 N a2C a0.80(Si O4)1-y∶0.20Eu3+,yW O42-的制备

按Na∶Ca∶Si∶Eu∶Li=2∶0.80∶(1-y)∶0.20∶y物质的量比准确称取硅酸钠、碳酸钙置于玛瑙研钵中,加入6.0 mL浓度为1mmol/mL的硝酸铕溶液,按y=0.03%,0.07%,0.1%,0.13%,0.17%,0.2%计算用量再加入钨酸钠。然后按前述步骤进行,可得系列荧光粉Na2Ca0.8(SiO4)1-y∶0.20Eu3+,yWO42-。

1.3 荧光粉的表征

XRD的测定:运用日本理学公司的RigakuD/max 2500V型X射线粉末衍射仪。X射线衍射铜靶:X射线波长 λκα 为 1.54060 A˚,扫描范围:5°~70°,步长:0.026°,每步扫描时间:20 s。

荧光光谱测定:运用F-7000型荧光分光光度计对荧光粉进行光谱测量。光源为氘灯,扫描速率为1200 nm/min,激发光狭缝为2.5 nm,发射光狭缝为2.5 nm,工作电压700 V。

2 结果与讨论

2.1 XRD分析

图1为Na2Ca0.8SiO4∶20Eu3+和Na2Ca0.8(SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-的XRD图谱。由图1可知,荧光粉Na2Ca0.8SiO4∶20Eu3+和Na2Ca0.8(SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-的衍射峰和标准卡PDF#24-1096的衍射峰相吻合,合成出的荧光粉为一纯相。Na2CaSiO4属于立方晶系结构,Z=4,空间群为P213,晶格参数a=b=c=0.74970 nm,Vol=0.42137nm3。主衍射峰位于2θ=33.81°处,对应于(220)晶面,其余衍射峰分别对应于(111)、(200)、(222)、(400)、(422)、(511)等晶面。但不同掺杂的荧光粉经过XRD拟合后所得的晶胞体积有不同。Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+的晶格参数a=b=c=0.74896 nm,Vol=0.42011 nm3,Na2Ca0.8(SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-的晶格参数a=b=c=0.74980 nm,Vol=0.42153 nm3。这些参数发生了变化都说明Eu3+和WO42-已经进入荧光粉的晶格中。Eu3+的离子半径为0.0947 nm,Ca2+的离子半径为 0.0990 nm,W6+的离子半径为0.042nm,Si4+的离子半径为 0.04[15]。Eu3+和 W6+将分别取代半径相近的Ca2+和Si4+进入Na2CaSiO4的晶格中。Eu3+的半径比Ca2+的离子半径要小,Eu3+进入晶格后使晶胞体积变小,W6+的半径比Si4+的离子半径要大,W6+进入晶格后使晶胞体积变大。

图1Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+和Na2Ca0(.8SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-荧光粉的 XRD 图Fig.1 XRD patterns of sample Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+and Na2Ca0(.8SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-

2.2 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+的激发光谱和发射光谱分析

图2 为室温Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+的激发光谱和发射光谱。由图2可知,在350~550 nm区间为的荧光粉Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+在614 nm扫描下的激发峰,它们都是Eu3+特征峰,源自于Eu3+离子的7F0→5L6、7F0→5D2和7F0→5D1的跃迁,对应峰的位置分别为393 nm,464 nm,534 nm。其中位于393 nm处的强度大于464 nm、534 nm处,荧光粉Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+可用于紫外光激发白光LED灯当中。在550~750 nm 区为荧光粉 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+的发射光谱,在紫外光393 nm激发下,荧光粉存在4个发射峰,属于 Eu3+的5D0→7FJ(J=1、2、3、4)跃迁,最强发射位于614 nm处,是属于5D0→7F2电偶极跃迁所对应的发射峰,发红色光。原因荧光粉Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+为立方晶体结构,[SiO4]四面体同周围的四个[CaO4]四面体以共顶相连,晶体结构为离散的孤岛状,当掺入Eu3+时,Eu3+取代Ca2+位置,晶体非对称高[16],使 Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁强于5D0→7F1磁偶极跃迁,红色发光增强。R值(5D0→7F2电偶极跃迁峰面积和5D0→7F1磁偶极跃迁峰面积之比)是检测Eu3+周围环境晶体对称性的方法,经过拟合计算出R为1.48,R>1,说明Eu3+在晶体中处于低对称的位置。

图2 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+荧光粉的激发光谱和发射光谱Fig.2 PLE and PL spectra of fluorescent properties of sample Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+

2.3 Eu3+含量对荧光粉发光性能的影响及浓度猝灭机制

由图3可知,掺杂不同浓度的Eu3+时,样品的发射光强度随着Eu3+掺杂浓度的增加而增强。当Eu3+的掺杂浓度达到20%时,发光强度达到最大,当Eu3+浓度继续增大到24%时,发光强度开始下降,出现浓度猝灭现象。这是由于Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+荧光粉中,随着Eu3+浓度的增加,在Na2CaSiO4晶体中激活剂Eu3+之间的距离变短,造成Eu3+无辐射能量转递的机会增多,跃迁发射的机会变少,从而使发射光强度降低。文献[11]报道,荧光粉离子之间能量传递的临界距离RC可以用公式(1)表示。

式中:xc为发光最强时的稀土含量,%;N为晶胞中可被激活离子替换的阳离子晶格位置数;V为晶胞体积,nm3。

对于 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+荧光粉来说,xc=20%,N=4,V=0.42011nm3。将上述参数代入公式(1),可以计算出临界距离RC≈0.98 nm。RC>0.5 nm表示Eu3+在Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+荧光粉中浓度猝灭过程是多极矩发挥相互作用引起的。

图3 Na2Ca1-xSiO4∶xEu3(+x=4%~28%)的发射光谱Fig.3 PL spectra of Na2Ca1-xSiO4∶xEu3+with different x(x=0.04~0.28)

稀土离子之间的能量交换是通过能级匹配来进行的。文献研究[17]已经证实,Eu3+离子的发光强度I与掺杂浓度C之间存在公式(2)线性关系。

式中:C为Eu3+的掺杂摩尔百分比浓度;F为材料系数(同一基质为常数);d=3为能量传递维数;S可为3、6、8、10,分别对应离子间交换相互作用、电偶极-电偶极相互作用、电偶极-电多极相互作用、电多极-电多极的多极矩相互作用。

根据公式(2),以393 nm作为激发光,测定Na2Ca1-xSiO4∶xEu3+荧光粉的发射光中 Eu3+的猝灭部分的发光强度与掺杂浓度的关系,对Eu3+含量x≥20%的掺杂浓度C作 lg(I/C)~lg(C/d)的关系曲线(见图4)。对曲线进行线性拟合得出浓度猝灭部分斜率为-5.05。即S=5.05,更接近 6,结合公式(1)和(2)结果,可以认为在 Na2Ca1-xSiO4∶xEu3+荧光粉中引起 Eu3+浓度猝灭效应的能量传递方式是电偶极-电偶极相互作用。

图4 lg(I/C)和 lg(C/d)的线性关系Fig.4 Linear relationship between lg(I/C)and lg(C/d)

2.4 WO42-含量对 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+发光性能的影响

图 5 (a) 给 出 的 是 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+和Na2Ca0(.8SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-产品的激发和发射光谱图。由图5(a)可知,掺入WO42-后荧光粉的荧光光谱图仍然保持Eu3+的特征峰,峰位置出现红移的现象,但峰的形状没有变化,且激发和发射光谱的强度都增强了,激发光谱是掺杂前的3.11倍,发射光谱是掺杂前的2.74倍。掺杂前后的R值分别为1.48和4.96。根据XRD的检测结果,WO42-进入Na2CaSiO4晶体中,除了起到电荷补偿剂的作用外,还使Na2CaSiO4晶胞参数发生变化,晶体场环境发生变化,这种变化促进了基质Na2Ca0.8SiO4与激活离子Eu3+之间的能量传递,从而使WO42-掺杂Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+荧光粉的发光强度得到了提高。另外,适量浓度的WO42-掺入发光材料能够提高晶格中的氧空位浓度,使晶体场对称性降低,促进能量转移,从而发光强度增加[18]。

图6给出的是Na2Ca0.8(SiO4)1-y∶0.20Eu3+,yWO42-(y=0.00%~0.2%)产品在激发波长393 nm时的发射光谱图。由图可知,WO42-的掺杂可以有效提高荧光粉的发光强度,WO42-掺杂浓度为0.07%时,发光最强。少量的掺杂起到电荷补偿和增加晶体中的氧空位作用外,少量的WO42-取代SiO44-,也有利于体系中能量的传递,促使发光增强。另一方面,WO42-取代SiO44-后,改变了Eu3+晶体场环境,更多Eu3+处于非对称位置,使得614 nm处发射光强度增强。当WO42-掺杂浓度大于0.07%时,过多的掺杂将破坏基质Na2CaSiO4的晶格,造成晶体扭曲,从而抑制能量传递效率,引起发光强度降低。

图5 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+和Na2Ca0(.8SiO4)0.93:0.20Eu3+,0.07WO42-的荧光粉激发和发射光谱图Fig.5 PLE and PL spectra of fluorescent properties Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+and Na2Ca0(.8SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-

图6 Na2Ca0(.8SiO4)1-y∶0.20Eu3+,yWO42-不同WO42-离子浓度荧光粉发射光谱图Fig.6PL spectra of Na2Ca0(.8SiO4)1-y∶0.20Eu3+,yWO42-with different WO42-ion concentrations

2.5 色坐标分析

如图7为Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+和Na2Ca0.8(SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-的色坐标图。分别取 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+和Na2Ca0.8(SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-的发射光谱的数据,经过GOCIE计算得到两种荧光粉的色坐标值分别是(x=0.64,y=0.36)和(0.66,0.34),掺杂WO42-后,荧光粉的色坐标值与标准的红光色坐标(0.67,0.33)更接近。说明 WO42-掺杂入荧光粉Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+后,对荧光粉起到电荷补偿和增加氧空位作用,对荧光粉的发光起到增敏作用,同时由于WO42-进入晶格当中,晶体发生畸变,非对称性增强,致使5D0→7F2电偶极跃迁强于5D0→7F1磁偶极跃迁,从掺杂前后的R值变化(R前=1.48,R后=4.96)也可说明这点。

图7 Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+和Na2Ca0(.8SiO4)0.93:0.20Eu3+,0.07WO42-荧光粉色坐标图Fig.7 CIE chromaticity diagram value of Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+and Na2Ca0(.8SiO4)0.93∶0.20Eu3+,0.07WO42-

3 结论

(1)采用高温固相法合成一系列Eu3+,WO42-掺杂Na2CaSiO4红色荧光粉,该荧光粉晶体结构为立方晶系,Na2CaSiO4分别掺杂Eu3+和WO42-后的晶胞参数与未掺杂的Na2CaSiO4的晶胞参数相比较发生了改变,Eu3+进入晶格后使晶胞体积变小,W6+进入晶格后使晶胞体积变大。

(2)荧光粉随 Eu3+,WO42-掺杂浓度的增加,发光强度逐渐增大,当Eu3+含量为20%时,荧光粉Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+的发光达到最大值。WO42-的掺杂对Na2Ca0.8SiO4∶0.20Eu3+荧光粉具有增敏作用。当WO42-掺杂浓度为0.07%时,此时的发射光谱的强度是掺杂前的2.74倍。而且掺杂后的R值4.96大于掺杂前的R值1.48,荧光粉掺杂WO42-能起到电荷补偿和增加氧空位作用,使晶格产生畸变,促使荧光粉发光强度增大,5D0→7F2电偶极跃迁增强,色纯度更好,荧光粉可应用于紫外光激发的白光LED当中。

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