半导体激光在慢性牙周炎磨牙区的临床疗效评价

张研 马冲 苏瑞

慢性牙周炎是一种慢性感染性疾病，中重度牙周炎的临床发病率高，清除根面的菌斑牙石是牙周治疗的首要任务，传统的龈下刮治在深牙周袋存在的情况下有一定局限性，如磨牙的根分叉区因其复杂的解剖结构很难完全清除龈下菌斑和牙石，且术中及术后患者反应较大，不易接受。近年有研究表明，半导体激光在辅助牙周非手术治疗时可以增加疗效，并有效增加附着水平[1-4]，但对于根分叉区域的激光治疗以及激光治疗后患者的舒适度方面鲜有研究。本实验通过分析半导体激光在中重度慢性牙周炎的各项临床指标以及治疗后VAS值，为半导体激光在牙周基础治疗的临床应用中提供依据，为根分叉病变的治疗提供新思路。

1 资料与方法

1.1 基本资料

选择2017 年8 月～2019 年2 月于天津市口腔医院就诊的中重度慢性牙周炎患者60 例，经天津市口腔医院伦理委员会批准后，所有受试者签署知情同意书。患者纳入标准：参照Armitage推荐的牙周炎诊断标准，选取中重度的慢性牙周炎患者；口内余留牙不少于20 颗； 6 个月内均未进行过牙周治疗； 3 个月内没有用过任何抗炎药物；无严重系统性疾病；无吸烟史；妇女非妊娠和哺乳期；就诊前6 个月内未行牙周治疗；未服用抗生素；未进行过正畸治疗。患牙纳入标准：前牙、前磨牙或第一磨牙， 6 mm≤PD≤8 mm，或3 mm≤CAL≤5 mm， 2≤BI≤4, 松动度<2度, 磨牙为Ⅱ度根分叉病变。每位患者选择符合纳入标准的左右侧各1 颗患牙，共120 颗患牙(前牙26 颗、前磨牙42 颗、 磨牙52 颗)，随机分为对照组(SRP组)、实验组(SRP+半导体激光组)，所有临床操作均由同一术者完成。

1.2 方法

所纳入患者均在术前行龈上洁治术，并行口腔卫生宣教。实验组：先行半导体激光袋内照射，随即行SRP治疗并对患者进行痛疼VAS评分。对照组：直接行SRP治疗，并对患者进行VAS评分。分别于洁治后1 周(基线)、术后3 月测量各纳入患牙的BI、PD、CAL，取其平均值，对比术前术后变化。再计算前牙、前磨牙及磨牙术前与术后3 月各牙周指标平均值的差值为Δ值。最后对比观察磨牙根分叉区位点术前与术后3 个月的变化。同时再对患者治疗后即刻进行VAS评价。

本研究所使用半导体激光(VELAS30B,武汉博激)参数设置：波长980 nm，光纤直径0.5 mm，激光功率1.5 W。使用前剥离光纤，使光纤长度与牙周袋相近。将激光光纤平行于牙体长轴进入牙周袋底，贴近袋壁呈“Z”字形近远中向的水平移动逐步到袋顶，覆盖整个牙周袋创面，每牙照射时间30 s。

VAS评分，在无痛与剧痛之间划一条长10 cm的线，线上不做标记，一端代表无痛，一端代表无法忍受的剧痛，由患者在自认为最能代表治疗疼痛程度的位置标记。标记后在对应的刻度计数(图 1)。

图 1 VAS评分

1.3 统计学方法

2 结 果

2.1 牙周指标比较

对照组与实验组术前各牙周指标的均值比较(PD、CAL、BI)P>0.05(即PD：P=0.805； CAL:P=0.277； BI：P=0.299)，术后3 月时，实验组较对照组PD、CAL、BI均降低，且各指标显著性降低(P=0.032、P=0.001、P=0.000)(图 2～3)，但2 组术后3 个月较术前均降低(P<0.001)。

图 2 治疗前及治疗后3 个月PD、CAL的比较 图 3 2 组出血指数比较

按照前牙、前磨牙、磨牙术后3个月与术前的差值分别进行统计分析可知，对照组前牙组较前磨牙及磨牙组PD及CAL变化量均较高。而实验组中磨牙较前牙与前磨牙ΔPD、ΔCAL均较高，且ΔCAL有统计学差异性(P=0.032)(表 1～2)。

表 1 2 组ΔPD比较

表 2 2 组ΔCAL比较

由磨牙根分叉区域治疗前后的变化可知SRP联合激光组较单纯SRP组的ΔPD及ΔCAL较高(P=0.030，P=0.019)(表 3)。

表 3 磨牙根分叉区ΔPD和ΔCAL比较

2.2 VAS比较

无论前牙还是后牙SRP+激光组较单独使用SRP组VAS均降低(P=0.012、P=0.038、P=0.013)(表 4)。

表 4 2 组VAS比较

3 讨 论

近年来，研究学者发现半导体激光有良好的杀菌能力促进组织再生，还有一定的凝固作用，术中术后反应小[5-7]，因此越来越广泛地应用于中重度慢性牙周炎的治疗中。

本研究结果发现术后3 个月时SRP+激光组较单独使用SRP组PD、CAL、BI均有所改善，这与Kocak等[8]的实验结果基本一致。但也有学者的研究表明，半导体激光在辅助慢性牙周炎治疗后各项临床指标无明显差异[9]。本研究认为造成上述结果差异的原因可能在于激光治疗的影响因素较多，如有效波长、功率、频率、投照时间、角度、观察周期等。本研究选择在SRP之前进行激光治疗，并纳入VAS直观的分析患者感受，证实激光辅助SRP能减轻患者在术中的疼痛。这与Dengizek等[9-11]的实验结果类似。其原因可能是：半导体激光能够直接作用于牙髓神经末梢，抑制神经对外界刺激的反应，同时还能够起封闭牙本质小管的作用，起到镇痛的效果[12-13]。

本研究发现单纯SRP组治疗后，前牙组PD及CAL变化量均较前磨牙及磨牙组明显，提示中重度慢性牙周炎，SRP治疗在前牙较前磨牙及磨牙的牙周改善更明显。而SRP+激光组中磨牙组的PD、CAL的改善最好，根分叉区尤为明显，提示磨牙区辅助使用激光治疗效果最佳。本研究认为这一现象主要是由于前牙及前磨牙多为单根牙，磨牙则为双根或三根牙，所以前牙及前磨牙较磨牙更易将根面菌斑及病原微生物清除。Makhlouf等[3]曾报道第一磨牙根分叉区开口宽<0.75 mm，有的牙根间距更小甚至形成融合根。上颌磨牙颊根和下颌磨牙近、远中根均为扁根，且根分叉一侧常有冠根方向的凹陷，约40%的牙颈部存在釉珠。这些复杂的根分叉局部解剖结构是无法彻底清除菌斑及病原微生物的主要原因[14]。虽然牙周手术治疗能够直视下清创，具有较好的临床效果[15]，但术后创伤增加患者的恐惧心理，并且根分叉区域的手术再生效果也存在一定质疑。本研究发现半导体激光辅助SRP治疗可以明显降低根分叉区探诊深度，増加附着，其原因一方面可能是半导体激光可以切除和消融牙周组织，有光生物调节的作用，能破坏并抑制微生物生长[16]，另一方面也有研究显示，激光治疗后，龈沟液中IL-1β、IL-6、IL-8、ICAM、VCAM及HbA1c均明显降低，说明激光可以降低促炎因子水平，同时延缓细菌再定植进程[8]。所以半导体激光在根分叉病变的治疗中起到了非常重要的作用。本实验组也会在后期基础实验中进一步论证半导体激光在根分叉区域的作用机制，为更好的应用与临床提供实验依据。

综上所述，半导体激光在辅助中重度慢性牙周炎非手术治疗中，能够改善患牙各项临床指标，尤其在磨牙区取得了更明显的改善，同时可提高患者治疗的舒适度，降低其恐惧心理，应用于临床能收到良好的效果，具有广阔的临床应用前景。