Cs-N2系统中精细结构能量交换的作用

2022-09-24 01:11聂琨璞安国斐
激光技术 2022年5期
关键词:激发态蒸气能级

刘 静,聂琨璞,杨 蛟,王 浟,安国斐,戴 康

(1.新疆大学 物理科学与技术学院,乌鲁木齐 830046;2.西南技术物理研究所,成都 610041)

引 言

碱金属是一种具有强化学活性的金属,普遍存在于地壳和海水之中,在早期的化学物理学、激光器的发明和最新的激光物理领域扮演着重要的角色。自激光的初始概念提出以来,人们对碱基激光器进行了大量的实验和理论研究。2003年,KRUPKE[1]小组提出了利用碱金属蒸气作为增益介质,由窄线宽半导体激光器作为抽运源的三能级系统激光器,将其称为半导体抽运碱金属激光器(diode pumped alkali laser,DPAL)。它结合了化学激光器和固态激光器的优点,量子效率高、输出线宽窄、功率高,在冷原子制备、激光加工、医学、军工和航空航天等领域中均具有很好的应用前景[2-5]。

虽然DPAL具有很大潜力,但是要实现高效运行,仍然受到多方面因素制约,需要进一步探索。这些探索主要集中在两个方面。一方面是对DPAL的泵源和抽运系统结构的研究[6-8]:ZHDANOV小组[9]提出了流动式钾金属激光器的实验方案,获得了斜率效率为31%,最大输出功率为5W的连续钾激光;YACOBY小组[10]报道的流动式碱金属激光器系统能以连续形式稳定运行1h以上。另一方面是对激光工作介质系统的研究[11-13]:在碱蒸气中充入不同缓冲气体,可以增加谱线线宽,提高抽运吸收效率,还可以加速两个精细结构能级间的能量交换,实现有效粒子数反转;KRUPKE的小组[14]发现,在Rb蒸气室中充入3He,随着压强升高,DPAL的输出功率可提高到28W,光光转换效率可以提高到50%。

在早期研究中,对Cs和Rb蒸气,通常选择烷烃类气体或惰性气体作为缓冲气体。烃类分子具有较大的碰撞转移截面,容易实现有效粒子数反转,但在温度较高时,可能会与碱原子发生反应,造成功率下降、蒸气池污染损坏等。惰性气体有较高的稳定性,但是碰撞转移截面较小。对激光介质中的碰撞能量转移及辐射过程进行探索,尤其是对缓冲气体的研究,可以为改善和提高DPAL的输出性能提供必要的数据支持。WANG小组[15-16]对激发态碱原子之间及碱-气体系统中的碰撞能量转移及辐射过程进行了大量的实验研究,得到了丰富的数据。对Rb-(Ar,N2)和Cs-(Ne,N2)混合蒸气系统,测量了不同气压下nP3/2激发态的有效辐射率,并给出了相应的碰撞转移截面。LIU小组[17]对Rb-N2系统进行了实验研究,给出了Rb(5Pj)原子的精细结构转移截面和猝灭截面(下标j为总角量子数,取1/2和3/2),并讨论了缓冲气体压强对荧光强度的影响。

本文中对Cs-N2系统中的精细结构碰撞转移过程进行了研究,并与相同条件下Rb-N2系统中的实验结果进行了比较。Cs(Rb)-DPAL的工作温度通常在380K以内,充入缓冲气体的压强在104Pa~105Pa量级。碱蒸气温度过高,会在蒸气池内温度较低的部位沉积,严重影响碱金属激光器的正常运行。此外,蒸气池内的高温,会导致蒸气池对抽运光的吸收降低,进而影响碱金属激光器的光光转换效率。因此选择的实验条件为:充入氮气压强1.33×104Pa和2.66×104Pa,系统温度在303K~368K间变化。

激光激发碱原子至nP3/2激发态,利用激光感应荧光(laser induced fluorescence,LIF)光谱方法测量了不同条件下系统的D1线和D2线荧光强度。实验结果表明,在Cs-N2系统中,N2的充入加速了精细结构能级间的能量交换,使得D2线荧光减弱,D1线荧光增强。在340K附近,系统具有较高的荧光转换效率,随N2压强增加,D1线强度增强了;温度大于340K后,D1线和D2线荧光强度迅速下降,荧光猝灭效应增强了。在Rb-N2系统中,N2分子主要参与猝灭过程,随温度升高,D1线和D2线强度同步增加,温度高于360K后,Rb-N2间的电子-振动转移迅速增加,自发辐射荧光强度下降。

1 实 验

圆柱形石英玻璃蒸气室长7.5cm,直径2.5cm,清洗后接入高真空系统,抽真空达到10-5Pa。蒸气室中充入几十毫克纯铯,在室温下充入1.33×104Pa氮气(压强由压强计测定),封闭蒸气室从高真空系统断开。利用同样方法获得充有纯铯和2.66×104Pa氮气的蒸气室,以及纯铷和1.33×104Pa、2.66×104Pa氮气的蒸气室。

实验装置如图1所示,蒸气室两端套有纯铜加热套,由直流稳压电源控制,中部裹有导热薄膜。蒸气室温度由双通道热电偶监测,最小精度为±0.1℃。调节DL 100激光器分别输出852.3nm(780.2nm)激光激发Cs(Rb)原子到nP3/2激发态,激光束的调谐准直可由电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)监测。在与激光束垂直方向上由像增强CCD(intensified CCD,ICCD)(Andor:Shamrock-SR-500i and iStar)探测碱原子D1线和D2线的荧光信号。图中,PMT为光电倍增管(photomultiplier tube)。

Fig.1 Experimental setup

2 数据分析与讨论

2.1 动力学过程及速率方程分析

碱原子的D1和D2线跃迁辐射示意图如图2所示。为了便于表述,图中nS1/2、nP1/2和nP3/2能级分别用0,1,2表示。n表示能层,激光激发碱原子至nP3/2激发态,碱原子可以通过自发辐射D2、精细结构碰撞转移D1、碰撞猝灭等过程回到基态。

Fig.2 Schematic diagram of D1 and D2 line transition radiation of alkali atom

在Cs-N2系统中,可能存在的动力学过程有:

Cs(6P3/2)+M→Cs(6P1/2)+

Cs(6S1/2)-551.4cm-1

(1)

Cs(6P1/2)+M→Cs(6P3/2)+

Cs(6S1/2)+551.4cm-1

(2)

Cs(6P3/2)+M→Cs(6S1/2)+M

(3)

Cs(6Pj)+Cs(6Pj)→Cs(6Dj)+Cs(6S1/2)

(4)

式中,过程(1)和(2)对应Cs原子的精细结构碰撞转移过程,M为基态Cs原子或缓冲气体N2分子。过程(1)的转移速率系数决定了D1线的强度。过程(3)是激发态Cs原子与M粒子的碰撞猝灭过程,这一过程不产生荧光。过程(4)是激发态Cs原子的能量合并过程,在本实验中,系统温度在303K~368K间变化,Cs蒸气压强约为10-4Pa~10-2Pa,充入缓冲气体氮气的压强约为104Pa,激发态Cs原子间的能量合并过程可忽略。在Rb-N2系统中,也有类似的动力学过程发生。

在本实验条件下,为简化求解,忽略系统中的能量合并和其它转移过程,只考虑精细结构转移、自发辐射和猝灭过程,对nP1/2和nP3/2能级建立速率方程[17]:

(5)

(6)

式中,n(t)为相应激发态粒子数密度,t为时间,Z为精细结构碰撞转移率,Γ为自发辐射率,Q为碰撞猝灭率(包括各种无辐射跃迁过程),下标代表参加碰撞的能级(如图2所示),12和21表示能级1到2,或者2到1的跃迁。

代入初始条件,设t=0时,n2(0)=n,n1(0)=0,求解速率方程有:

(7)

(8)

式中,ω±为与转移率、自发辐射率和猝灭率有关的参数。

碱原子D1线和D2线自发辐射荧光强度分别为I1和I2:

(9)

(10)

式中,ν1和ν2分别为碱原子D1线和D2线的频率。D2线和D1线的荧光强度比为:

(11)

设Q1=k1N,Z21=k21N,Z12=k12N。其中,k1为碰撞猝灭速率系数,k21和k12为精细结构碰撞转移速率系数,N为碰撞粒子数密度。由参考文献[18]可知,对于Cs原子,Γ1=2.97×107s-1,Γ2=3.39×107s-1;对于Rb原子,Γ1=3.70×107s-1,Γ2=3.89×107s-1。化简后有:

(12)

(13)

(12)式对应Cs原子荧光强度比,(13)式对应Rb原子荧光强度比。

2.2 温度和N2压强对D1线和D2线荧光强度的影响

图3a和图3b中分别给出了Cs-N2系统中充入不同压强氮气,实验系统温度从303K~368K均匀升高时,Cs原子D1线和D2线荧光强度随温度变化的实验曲线。

Fig.3 Temperature dependence of spontaneous emission fluorescence in Cs-N2 systema—D2-line transition b—D1-line transitions

从图3中可以看出,充入氮气压强为1.33×104Pa时,随温度升高,Cs原子D2线荧光强度迅速下降,D1线荧光强度先增加后减小,在333K附近出现一个极大值。此时,6P3/2能级向6P1/2能级的转移增强,有较大的精细结构转移截面。在340K以后,随温度升高,D2线和D1线荧光强度均减小,即猝灭过程(3)发生的概率迅速增加了。充入氮气压强为2.66×104Pa时,随温度升高,Cs原子D2线荧光强度下降,D1线荧光强度也是先增加后减小,在333K附近,精细结构转移增强,D1线荧光出现极大值。340K以后,随温度升高,D2线和D1线荧光强度迅速减小,N2分子与激发态Cs原子间的电子-振动能量转移迅速增加。

从图3中还可以明显看出,充入氮气压强不同,Cs-N2系统中D2线荧光强度随温度变化的实验曲线形状不同。在340K之前,充入氮气压强为1.33×104Pa时,D2线荧光强度有一个快速下降过程;充入氮气压强为2.66×104Pa时,D2线荧光强度下降较平缓。在340K之后,两条曲线基本重合。而不同氮气压强下D1线的变化规律基本相似,都有一个先增加后减小的过程。充入氮气压强为2.66×104Pa时,D1线荧光强度的峰值更高一些。

总体来说,Cs-N2系统中D1线和D2线荧光强度随温度变化的规律类似,在300K~320K之间,缓冲气体氮气压强的增加导致D2线荧光辐射减弱,D1线荧光缓慢增加;在320K~340K之间,激发态Cs原子密度达到一定阈值,N2分子更多参与到与激发态Cs原子间的精细结构碰撞转移,N2分子压强的增加使得D2线荧光的下降减缓了,D1线荧光迅速增加,在333K附近达到极大值;温度高于340K之后,D1线和D2线荧光强度下降,氮气压强的变化对荧光强度变化规律影响不大。

对Rb-N2系统,充入氮气压强分别为1.33×104Pa和2.66×104Pa时,D1线和D2线荧光强度随温度变化曲线如图4所示。图4a和4b分别是Rb原子5P3/2能级和5P1/2能级自发辐射的D2线和D1线荧光强度随温度变化曲线,实线对应氮气压强为1.33×104Pa,虚线对应氮气压强为2.66×104Pa。

从图4中可以看出,在Rb-N2系统中,在360K之前,随温度升高,D2线和D1线荧光强度均缓慢增加;在363K附近,D2线和D1线强度均达到极大值;360K之后,随温度升高,D2线和D1线荧光强度均减小,即荧光猝灭过程迅速增强了。随充入氮气压强的增加,D2线强度减弱,D1线强度增加,N2分子对激发态Rb原子间的精细结构转移贡献加强了。

比较Rb-N2系统和Cs-N2系统中D2线和D1线荧光强度随温度的变化规律,可以看出,N2分子既参与了过程(1)表述的精细结构碰撞转移,同时参与了过程(3)表述的猝灭过程。对Cs-N2系统,D1线荧光强度在333K附近有一个明显的峰值,随充入氮气压强增加,峰值强度增加。N2分子对激发态Cs原子的猝灭效应较强,温度高于340K后,虽然基态Cs原子密度增加,但D2线和D1线荧光强度迅速减小。对Rb-N2系统,在360K之前,随温度升高,基态Rb原子密度增加,D2线和D1线荧光同步增强,N2分子更多参与到激发态Rb原子的精细结构转移过程,在360K之后,D2线和D1线荧光同步减弱,N2分子的猝灭效应增强。

Fig.4 Temperature dependence of spontaneous emission fluorescence in Rb-N2 systema—D2-line transition b—D1-line transitions

2.3 Cs(6P3/2)原子的精细结构转移速率系数

对纯Cs蒸汽池和分别充入氮气压强为1.33×104Pa和2.66×104Pa的Cs-N2系统,在323K~368K温度范围测量相应的D1线和D2线荧光强度。对纯Cs系统,基态Cs原子密度随温度升高而增加,其密度可由蒸气压公式给出[19]:

lgp=5.006+A+BT-1+ClgT+DT-3

(14)

式中,参数A=4.165,B=-3830,C=D=0,T为开尔文温度,p为压强。该公式在估算10-10Pa~102Pa范围内的碱蒸气压强时,误差小于5%。在温度不太高时,Cs原子密度可由理想气体状态方程估算。计算得到303K~393K范围的Cs原子密度约为8.11×1010cm-3~4.91×1013cm-3。

图5中给出了相应温度下的荧光强度比与基态Cs原子密度的关系。拟合直线与(12)式比较,由斜率给出精细结构碰撞转移速率系数。

Fig.5 Relationship between fluorescence intensity ratio and reciprocal number density of Cs atoms in ground state

由图5中直线的斜率,得到Cs(6P3/2)原子的精细结构转移速率系数k21=3.56×10-8cm3/s。该结果与以前文献中的数据k21=5.20×10-11cm3/s相比[20],大了3个量级,这时需要考虑光学厚蒸气中的辐射陷获效应,对(11)式中的有效辐射率进行修正,由Holstein理论给出Cs原子6Pj→6S1/2的有效辐射率Γ1≈Γ2=8.01×107/s[21]。代入(11)式可得k21=8.43×10-11cm3/s,与参考文献中给出的结果量级一致。

对Cs-N2系统,由图6可以看出,在充入氮气压强为1.33×104Pa和2.66×104Pa时,N2分子对激发态Cs原子的猝灭效应较强,D2线荧光强度随温度升高而减小,基态Cs原子和N2分子同时参与精细结构转移过程,(12)式中的粒子数密度N应包括基态Cs原子和N2分子。仅由相应温度下的荧光强度比与基态Cs原子密度的关系,拟合直线给出的精细结构碰撞转移速率系数存在较大误差。图6a图和图6b中分别是充入氮气压强为1.33×104Pa和2.66×104Pa时,荧光强度比与基态Cs原子密度的关系。

Fig.6 Relationship between fluorescence intensity ratio and the reciprocal number of Cs atomic density in Cs-N2 mixturea—pN2=1.33×104Pa b—pN2=2.66×104Pa

由图6中可知,Cs(6P3/2)原子的精细结构转移速率系数分别为k21=6.39×10-8cm3/s和1.05×10-7cm3/s。这里没有考虑N2分子与Cs(6P3/2)原子的精细结构碰撞和猝灭效应,故结果比实际的精细结构转移速率系数大。由第2.2节中的分析可知,N2分子的猝灭效应使得D2线荧光强度迅速下降,荧光强度比减小,斜率下降,精细结构转移速率系数增加。

3 结 论

实验研究了Cs-N2系统中的精细结构碰撞能量转移过程,讨论了缓冲气体N2分子对Cs原子精细结构能级间的能量交换加速作用,为实现DPAL的高效运行提供参考数据。在碱原子蒸气室中分别充入1.33×104Pa和2.66×104Pa缓冲气体氮气,系统温度设定在303K~393K间变化。DL100半导体激光器激发碱原子到nP3/2激发态,利用LIF光谱方法测量了不同条件下的D1线和D2线荧光强度。

实验结果表明,在Cs-N2系统中,在温度不太高时,N2分子在猝灭D2线荧光的同时,加速了精细结构能级间的能量交换,使得D1线荧光增强。在340K附近,系统具有较高的荧光转换效率,D1线荧光具有极大值。温度大于340K后,D1线和D2线荧光强度迅速下降,激发态Cs(6P3/2)原子的能量主要以电子-振动能量转移方式猝灭衰减。温度低于340K,氮气压强的增加导致D2线荧光减弱,D1线荧光增强,N2分子促进了Cs原子精细结构能级间的能量交换。温度高于340K,N2分子的猝灭效应迅速增强,氮气压强的增加基本不引起D1线和D2线荧光衰减曲线的变化。

在Rb-N2系统中,随温度升高,D1线和D2线荧光强度同步变化,温度低于360K时,D1线和D2线荧光强度增加,N2分子对精细结构能级间能量交换的促进作用不明显。温度高于360K后,Rb-N2间的碰撞猝灭效应增强,D1线和D2线自发辐射荧光强度下降。氮气压强的增加使得D1线强度整体降低,而D2线荧光强度整体上升。N2分子密度的增加,促进了Rb原子精细结构能级间的能量交换作用。

对Cs和Rb蒸气,选择乙烷或甲烷作为缓冲气体,虽然具有较大的碰撞转移截面,但在温度较高时,可能发生化学反应影响激光器的正常工作。选择惰性气体He作为缓冲气体,可以加速能级混合效率和谱线加宽,但是碰撞转移截面较小,且有明显的渗漏效应。氮气具有丰富的振转能级,比惰性气体原子的碰撞转移截面大,且性质较为稳定,可以为不同环境下DPAL缓冲气体的选择提供参考数据。

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