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晶体生长

  • 晶升股份(688478) 申购代码787478 申购日期4.11
    项目、半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目。基本面介绍：公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。核心竞争力：公司基于在晶体生长设备行业

    证券市场红周刊 2023年51期2023-04-22

  • 三轴运动式KDP晶体生长驱动机构设计
    式溶液降温法晶体生长装置[4]。图1 转晶式溶液降温法晶体生长装置示意图转晶式溶液降温法的晶体生长实验，结果发现其生长的晶体时常会出现各种不同程度的透明度差、裂纹等晶体缺陷[3]。1 三轴运动式晶体生长驱动机构图2 晶体运动示意图文章研究用一伺服电机驱动的运动轨迹、运动参数可变的三轴运动晶体生长驱动机构取代步进电机，带动掣晶杆做三轴直线运动。图2所示为晶体运动示意图，O为运动起始点，即籽晶的运动起始位置，这一位置可通过设计的控制软件随意更改和设置。晶体运动

    现代机械 2022年6期2023-01-18

  • 无定形药物制剂物理稳定性表界面影响机制的研究进展
    的成核，发现晶体生长速率相似的条件下，结构类似的多元醇类药物成核速率有显著差异。如图2所示，其成核速率的温度依赖性也符合经典成核理论。Yao等[10]在此基础上研究高分子材料聚维酮（PVP）的添加对多元醇类药物成核的影响，研究表明 PVP 可有效抑制山梨醇和阿拉伯醇成核，且该抑制作用随PVP含量增加及分子量增大而显著增加。Zhang等[11]最新研究表明经典的抗真菌药物氟康唑的成核同样可由经典成核理论进行解释，且其不同晶型成核速率之间呈数量级的差异。该作者

    食品与药品 2022年6期2022-12-09

  • 光浮区法生长高光产额快衰减Ce:GGAG闪烁晶体
    一[1]，在晶体生长、透明陶瓷制备以及组分调控等方面已经开展了大量研究工作[2-4]。Ce:GGAG是Gd3Al5O12（GAG）和Gd3Ga5O12（GGG）的组分间化合物，属于石榴石结构立方晶系。Ce3+作为发光离子部分取代占据十二面体格位的Gd3+，Al3+和或Ga3+占据四面体和八面体格位。其晶体结构易于阳离子置换或替代，在组分掺杂改性上有很大的研究空间[5]；GAG密度较低（5.83 g/cm3），且如相图（见图1）所示是非一致熔融化合物[6]，

    应用技术学报 2022年3期2022-09-19

  • 碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究
    料配方优化、晶体生长过程中Cd源气氛控制以及生长完成后对晶片气氛热处理这三种途径。这三种途径中,晶体生长过程中Cd源气氛控制相较于初始原料配方优化,能够更加有效地控制晶体生长过程中的组分变化,使晶体达到近化学计量比生长,从而抑制二次相缺陷的产生；同时,其相较于晶片的热处理,不需要额外增加工艺工序,并且能够避免二次相缺陷在晶体生长及降温过程中诱发其他缺陷。因此在许多报道中都提到应用晶体生长过程Cd源气氛控制进行碲锌镉晶体生长。P.Rudolph详细研究了垂直

    激光与红外 2022年5期2022-06-09

  • 基于神经网络和遗传算法的铸锭晶体硅质量控制及工艺优化
    核心参数包括晶体生长速度与生长界面温度梯度之比V/G、壁面热流q、生长界面高度差Δh和硅熔体内部温差ΔT等。以提高生产效率及晶体质量为目标研究晶体生长的热场特性，采用基于物理模型的数值方法模拟晶体生长过程成为有效的途径，一部分研究集中于通过二维或三维数值模拟优化热场[2-5]，如改变坩埚形状、加热器位置、隔热笼分隔块位置等。除了优化热场结构，另外一部分研究针对晶体生长过程的工艺控制参数进行优化[6-9]。然而使用传统的数值模拟方法及实验会耗费大量时间，如文

    人工晶体学报 2022年3期2022-04-14

  • 高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
    艺等都会影响晶体生长的速率和结晶质量，是目前的研究重点。本文首先总结回顾了TSSG法生长SiC单晶的发展历程；接着简要介绍和分析了该方法生长SiC单晶的基本原理和生长过程；然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法主要的研究进展，并归纳了TSSG法生长SiC单晶的优势；最后，提出了该技术在未来的研究重点和发展方向。1 TSSG法生长SiC单晶的发展历程与现状HTSG法生长SiC并不是一种新的尝试，已有60多年的发展历史。1961年，Halden等首次从

    人工晶体学报 2022年1期2022-02-21

  • Ce∶LuAG闪烁晶体的生长研究
    晶十分困难，晶体生长需要苛刻的温场环境，其高熔点(2 010 ℃)容易使保温系统变形或损坏保温层，导致温场的不稳定。而且，在高温条件下更难把控晶体生长的轴向和径向温度梯度，温度梯度过大容易导致晶体开裂，梯度过小则晶体容易滋生各种缺陷[12]。不仅如此，还需要调控适当的提拉和晶体旋转速度。因此，高质量Ce∶LuAG晶体的生长工作仍然具有挑战性。目前对Ce∶LuAG晶体研究主要集中在提拉(Cz)法、Bridgman和微拉法晶体生长，以及晶体的闪烁性能方面，而对

    人工晶体学报 2022年12期2022-02-01

  • 碲锌镉晶体生长炉自主设计与控温性能实验
    聪,4碲锌镉晶体生长炉自主设计与控温性能实验罗亚南1,3，陈亦忻2，郭关柱1,3，李照存3，许 聪3,4（1. 云南农业大学 机电工程学院，云南 昆明 650201；2. 昆明物理研究所，云南 昆明 650223；3. 昆明沃特尔机电设备有限公司，云南 昆明 650204；4. 云南沅丰祥机电设备有限责任公司，云南 昆明 650224）)针对直径4英寸碲锌镉单晶材料生长的需求，在研究国外碲锌镉晶体材料生长取得的成果基础上，自主设计了一种基于移动炉体技术的碲

    红外技术 2022年1期2022-01-25

  • 硅晶体生长温度梯度及生长速度的数值模型建立与分析
    。因此，对硅晶体生长过程的生长参数进行建模输出，是提高晶体质量的方式之一[3]。在硅晶体生长参数的研究中，前人主要从温度以及生长速度两个参数进行优化。这是因为温度的分布会影响晶体中点缺陷和原子氧的形成、扩散和聚集，同时会影响晶体冷却过程中产生的残余应力[4-5]。而均匀的晶体生长速度能让结晶过程稳定进行并提高晶体质量。因此,Natsume等[6]研究了硅晶体生长速率与温度梯度的关系，建立了晶体生长过程的体积辐射传热模型，采用体辐射算法对参与的不规则壳体进行

    青海大学学报 2021年6期2021-12-07

  • 《晶体生长微观机理及晶体生长边界层模型》书评
    唐先生所著《晶体生长微观机理和晶体生长边界层理论模型》一书由科学出版社在年前出版了，尽管早已读过这本书的初稿，出版后重学此书，还是收获和感慨良多。功能晶体是现代高技术发展和许多重大工程所不可或缺的重要基础材料。我国的光电功能晶体研究和发展自20世纪50年代中期起步，20世纪70年代后走上独立自主发展的道路，阴离子基团理论的提出，偏硼酸钡(BBO)、三硼酸锂(LBO)和氟硼铍酸钾(KBBF)等“中国牌”晶体被发明，在国际首创的“介电体超晶格”理论和实际成果称

    人工晶体学报 2021年6期2021-07-12

  • 基于耦合机制的AlN 晶体生长速率模型
    程。AlN 晶体生长动力学过程比较抽象,建立一个生长模型可以加深对生长动力学过程的理解。由于生长速率是晶体生长动力学的一个外在体现,晶体生长速率模型的建立可以指导晶体生长实验。Dryburgh 等[9]最先提出了升华法生长AlN 晶体的模型,他们预测了当气相组成符合化学计量比时AlN晶体的最大生长速率。Liu 和Edgar 等[10]发展了AlN晶体生长速率的预测模型,认为在多晶源和籽晶界面上不存在吸附或成核壁垒的现象。Segal 和Karpov等[11]

    电子元件与材料 2021年6期2021-07-05

  • CR,TM,HO:YAG激光晶体的生长与元件加工性能研究
    o：YAG;晶体生长;加工;检测0引言Cr，Tm，Ho：YAG激光晶体是实现2.1μm波段激光的优异晶体材料，是医学、光通信、激光雷达、军事等方面应用的理想光源[1-4]。目前国内外对Cr，Tm，Ho：YAG激光器的研制作了大量的工作，也取得了较好的成果。基于高平均功率，高重复频率，短脉冲的目标，高质量的Cr，Tm，Ho：YAG激光增益介质和高精度晶体加工是首要解决的关键问题。1、晶體生长本文采用提拉法进行Cr，Tm，Ho：YAG激光晶体生长，生长方向为方

    锦绣·中旬刊 2021年1期2021-06-11

  • 一“晶”一世界
    培育，这就是晶体生长。不同晶体的生长技术和工艺基本都是独一无二的，因此每种晶体成熟的生长工艺都要经过长期的实验探索，故行业中流传着“十年磨一晶”之说，反映了晶体生长研究工作者的坚忍不拔和辛劳。殷绍唐研究员是国内晶体生长界著名专家，在高质量晶体生长和晶体生长机理的研究中都取得了卓越的成果，他生长研制的多个功能晶体获得中国科学院科技进步奖一、二等奖和国家科技进步奖二等奖；他在晶体生长微观机理研究中创建了“晶体边界层生长理论模型”，揭示出晶体生长的实验规律和经验

    科学中国人·上半月 2021年2期2021-04-18

  • 大尺寸YVO4晶体的自动控径提拉法生长
    多种常用光学晶体生长方面得到推广应用，该生长工艺应用于生长YAG、GGG、TGG、LT和LN等光学晶体[3-6]，在改善晶体产品均一性以及节约生长成本等方面显示出良好效果。然而，长期以来钒酸钇晶体大多采用人工调控提拉法生长，尚未见采用自动控制直径条件下生长钒酸钇晶体的研究报道。光纤通信产业已多年普遍应用钒酸钇双折射晶体，下游客户对晶体光学质量的技术要求越来越高，而连年上涨的人工成本使得产品利润越来越低，近年来高温晶体生长专用铱金坩埚器材价格大幅上涨，这些技

    人工晶体学报 2021年2期2021-03-24

  • 一“晶”一世界 ——记中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所资深研究员殷绍唐
    培育，这就是晶体生长。不同晶体的生长技术和工艺基本都是独一无二的，因此每种晶体成熟的生长工艺都要经过长期的实验探索，故行业中流传着“十年磨一晶”之说，反映了晶体生长研究工作者的坚忍不拔和辛劳。殷绍唐研究员是国内晶体生长界著名专家，在高质量晶体生长和晶体生长机理的研究中都取得了卓越的成果，他生长研制的多个功能晶体获得中国科学院科技进步奖一、二等奖和国家科技进步奖二等奖；他在晶体生长微观机理研究中创建了“晶体边界层生长理论模型”，揭示出晶体生长的实验规律和经验

    科学中国人 2021年3期2021-02-26

  • 聚合物辅料对阿司匹林结晶动力学影响机制的非平衡热力学建模及预测
    象对非洛地平晶体生长的影响，发现中等疏水性的聚合物抑制结晶的效果好于非常亲水或非常疏水的聚合物，且聚合物的表面覆盖率和聚合物的有效性呈线性相关。Ishizuka等[19]利用FTIR 和NMR 研究了卡马西平和醋酸羟丙基甲基纤维素琥珀酸酯(HPMC-AS)的特定分子间相互作用力，以探究聚合物抑制药物重结晶的机理，发现LF 型HPMC-AS 抑制卡马西平重结晶的效果好于HF型HPMC-AS，其主要原因是LF型含有更多琥珀酸酯取代基，能和卡马西平形成更强的分子

    化工学报 2021年1期2021-01-30

  • CR,TM,HO:YAG激光晶体的生长与元件加工性能研究
    o：YAG;晶体生长;加工;检测0引言Cr，Tm，Ho：YAG激光晶体是实现2.1μm波段激光的优异晶体材料，是医学、光通信、激光雷达、军事等方面应用的理想光源[1-4]。目前国内外对Cr，Tm，Ho：YAG激光器的研制作了大量的工作，也取得了较好的成果。基于高平均功率，高重复频率，短脉冲的目标，高质量的Cr，Tm，Ho：YAG激光增益介质和高精度晶体加工是首要解决的关键问题。1、晶体生长本文采用提拉法进行Cr，Tm，Ho：YAG激光晶体生长，生长方向为方

    锦绣·中旬刊 2021年2期2021-01-28

  • 郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司研制出可用于超高温晶体生长炉温场的高纯钇锆固溶体陶瓷
    可用于超高温晶体生长炉的高纯钇锆固溶体陶瓷，该材料的使用温度达到2 650 ℃，比金属钼材料的使用温度更高，特别适用于泡生法蓝宝石晶体生长炉，能够有效解决泡生法制备过程中的温场温度不稳定和电能损耗问题。该材料反复升降温周期使用寿命达到3年，较金属温场提升6倍，以120 kg级蓝宝石晶体使用陶瓷温场为例，较金属温场缩短生长周期25%，节省能耗40%以上，同时还可避免金属材料高温时出现的过收缩、破裂等问题，显著延长了人工晶体生长炉温场的寿命，突破了大尺寸晶体生

    人工晶体学报 2020年9期2020-10-21

  • KDP类晶体快速生长技术研究
    备，需要坚持晶体生长的“确定性控制”及装备与工艺“双轮驱动发展”的理念，稳步提升晶体生长可控性和晶体的性能；对于点籽晶快速生长工艺生长晶体中存在的柱锥交界面问题，需要在原来传统慢速生长及点籽晶快速生长工艺基础上创新发展新的晶体生长技术，满足国内外高功率激光装置建设对KDP类晶体元件愈来愈高的尺寸、性能及批量化供货的要求。1 晶体生长系统集成化KDP类晶体快速生长工艺涉及到原材料配制、配料槽及生长槽溶液转移、点晶、晶体生长过程温度及转动控制、晶体生长液位检测

    人工晶体学报 2020年6期2020-07-18

  • B2O3质量对VGF晶体生长工艺成晶率的影响
    是目前熔体法晶体生长工艺中普遍使用的液封剂。在VGF晶体生长工艺中，使用B2O3覆盖剂有以下优点：①防止熔体组分的挥发。由于 B2O3的密度比 GaAs熔体的密度小，因此它会漂浮在 GaAs熔体上形成一液封层并包裹整个熔体，可防止 GaAs熔体中 As的挥发，起到保证熔体化学计量比的作用。②使晶体生长具有可重复性。GaAs熔体只能部分浸润 pBN坩埚，因此极容易异相成核导致多晶。B2O3能在熔体与坩埚壁之间形成一隔离层，避免了熔体与 pBN坩埚壁的直接接触

    天津科技 2020年2期2020-03-03

  • 《晶体生长的物理基础》再版发行 序
    先生的专著《晶体生长的物理基础》再次出版了。该书首次出版是在1982年，由上海科技出版社出版，并于次年获全国科技图书一等奖。这次重新出版保持了原版的体系和特色，又补充了先生生前百忙之中对原书亲自做的仔细校订与补充，使得读者在使用该书时更方便。这次再版既满足了晶体界与材料界对一本高水平晶体生长教科书和参考书的期待，也了却先生生前为了呼应同行们的需求，将其修订出版的心愿。闵先生一生追求科学，兴趣广泛，对诸多领域都有涉猎，但最成系统，最有影响的贡献涉及二个方面，

    人工晶体学报 2019年9期2019-12-22

  • 重新刊发闵乃本院士《实际晶体的生长机制》一文序
    本先生在实际晶体生长理论机制方面也做出了有重大国际影响的成果。功能晶体是一类在当代科技、经济民生和国家安全等方面不可或缺的基础高技术材料。从二十世纪初开始，人们一直期盼着有普适的晶体生长机制来解释神奇的晶体生长过程。尽管有不少机制企图说明当时晶体生长动力学成核理论预言和实际晶体生长过程之间的巨大差距，均未成功。直到1949年，才由F.C.Frank提出螺型位错(简称螺位错)作为永不消失的台阶从而成功地解释了实际晶体的生长；1951年发展为著名的BCF(Bu

    人工晶体学报 2019年9期2019-12-22

  • 吴以成院士在《晶体生长的物理基础》再版发行仪式上的发言
    本先生专著《晶体生长的物理基础》再版发行仪式。该书再版既是对为我国人工晶体事业发展做出重大贡献的闵乃本先生的纪念与追思，也是对闵先生学术思想与学术体系的宣传, 这对推动人工晶体从基础研究到产业高质量发展,解决国家重大需求具有深远意义。闵院士是国际著名晶体物理学家，材料学家。他为我国晶体学、凝聚态物理学和材料科学的学科发展、人才培养作出了杰出贡献。早在上世纪七十年代，工业性的晶体生长已经初具规模，但是缺乏系统的科学理论指导，闵先生在极其困难条件下,通过总结大

    人工晶体学报 2019年9期2019-12-22

  • 中科院固体所发现新的晶体生长模式
    现了一种新的晶体生长模式。相关结果在线发表在细胞出版社旗下的《物质》(Matter)杂志。研究人员在稳定的碳酸钇纳米颗粒悬浮液中加入电解质，在适当温度经过反应之后，形成微米级的片状单晶体。X射线衍射的数据分析表明，得到的产物为复盐。他们进一步采用一系列先进的实验手段对反应前后的产物的颗粒微观形貌以及局域原子结构进行表征，并结合第一性原理计算，令人信服地证明了这是一种新的取向聚集模式。由于伴随颗粒取向聚集过程发生化学反应，故这一晶体生长模式被称之为化学反应导

    人工晶体学报 2019年6期2019-12-22

  • 晶体要发展 设备是关键 ——记陈创天院士对人工晶体生长设备的关心与重视
    对于我国人工晶体生长设备产业发展的鲜明观点和实质重视。陈创天院士是国际著名晶体材料学家，是我国非线性光学晶体研究领域的奠基人，在晶体生长理论和实践中做出了突出的贡献。同时，陈老师对我国人工晶体生长设备产业的发展高度重视，对晶体生长设备提出了能够更好地满足工艺要求的创新要求，很多原创性的晶体材料都是陈老师团队在定制的国产设备上完成的，以实际行动支持和推动我国人工晶体生长设备和工艺技术的发展。工欲善其事，必先利其器。要想生长出满足设计需求的晶体材料，必须要有先

    人工晶体学报 2019年10期2019-11-25

  • 中国获得第21届国际晶体生长和外延大会(ICCGE-21)举办权
    第19届国际晶体生长和外延大会(ICCGE-19)于2019年7月28日到8月2日在美国科罗拉多州基斯通举行。来自世界各地的近千名专家学者报道了国际晶体生长与外延技术研究的最新成果以及发展趋势，同期还举办了晶体生长暑期夏令营。此外，在本会议期间，西北工业大学介万奇教授和山东大学王继扬教授代表中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会，向国际晶体生长学会执委汇报了中国计划举办第21届国际晶体生长和外延大会(ICCGE-21)的情况。最终35位执委中24位投票(印度晶体

    人工晶体学报 2019年8期2019-09-18

  • 张克从先生与人工晶体
    学、晶体学、晶体生长与材料等学科的教学与科研一线工作46年。上世纪五十年代，张先生毕业留山东大学任教后不久，到厦门大学化学系进修，师从卢嘉锡先生。回校后在化学系组建了晶体生长专门化小组(山东大学晶体材料研究所前身)。五十年代中后期到六十年代，张先生带领研究组进行大尺寸磷酸二氢铵(ADP)晶体的溶液法生长研究，研究成果得到成仿吾校长的高度赞赏。上世纪六十年代末，张先生和中科院物理所张乐潓先生牵头组织全国的晶体生长骨干研究人员编写了我国第一部晶体生长理论与技术

    人工晶体学报 2019年8期2019-09-18

  • 基于改进BP神经网络算法的激光晶体生长控制研究
    求。随着激光晶体生长长度的增加，固熔生长界面的散热效果越来越差，晶体炉的特性具有参数时变性，应用传统PID控制算法难以较好的克服被控对象的时变性和非线性[4]。不少学者投入大量精力致力于激光晶体生长控制算法的研究，在传统PID控制算法中引入专家控制、模糊智能控制等，取得了一定程度上的进步[5-6]。采用传统BP神经网络算法收敛缓慢、容易陷入局部最小化，笔者将自适应学习率优化算法应用于改进BP神经网络，改进后的BP神经网络算法既保留了传统BP算法强大的非线性

    人工晶体学报 2019年8期2019-09-18

  • 提拉法生长直径8 inch Yb∶YAG激光晶体
    ∶YAG激光晶体生长技术。本文报道了采用提拉法生长的高质量大尺寸Yb∶YAG晶体，晶体坯直径达到8 inch。Yb∶YAG晶体的熔点达1970 ℃，为一致熔融化合物，通常采用感应加热熔体提拉法生长。生长大尺寸晶体，需要采用大尺寸的坩埚，晶体尺寸越大，坩埚埚壁温度就会越高，维持热场系统及整个晶体生长系统的热稳定性越困难。本文采用Φ360 mm×360 mm铱坩埚，构建了积木式模块化大尺寸Yb∶YAG晶体生长热场，利用小块耐火材料之间的缝隙，有效解决传统一体式

    人工晶体学报 2019年7期2019-08-22

  • 晶体生长数值模拟领域的若干研究进展
    )1 前 言晶体生长数值模拟技术基于对晶体生长过程各种物理和化学现象的精确数学描述，借助现代计算机技术和计算技术，以计算机模拟为手段，研究晶体生长过程中的基础共性问题和关键技术，揭示晶体生长过程中各种复杂非线性现象的产生机理和相互作用机制，从而实现晶体生长过程工艺的持续优化和相关设备的不断改进，促进晶体生长技术的迅速发展。计算机数值模拟技术自20世纪80年代开始在晶体生长领域得到应用以来，经过三十多年的发展，已经应用于直拉法、定向凝固法、浮区法、导模法、布

    中国材料进展 2019年5期2019-07-20

  • 不同合成方法对纳米 La2(Zr0.7Ce0.3)2O7晶体生长活化能的影响
    因此对材料的晶体生长行为进行研究是非常有必要的。本文通过水热合成法和溶胶凝胶法分别制备了La2(Zr0.7Ce0.3)2O7纳米粉体,讨论了不同合成方法对 La2(Zr0.7Ce0.3)2O7纳米材料物化性能的影响,同时对引起晶体生长活化能差异的机制进行了探索。1 实验样品制备分别以La2O3(广东澄海化学试剂公司,99.9%)、 ZrOCl·6H2O、 Ce(NO3)3·6H2O(上海化学试剂公司,99.9%)和柠檬酸作为原材料。水热合成法:首先将La2

    电子元件与材料 2018年11期2019-01-04

  • 上称重自控径晶体生长直径突变的研究
    同时也带动了晶体生长设备的发展[1-3]。传统的人工控制晶体生长已完全不能满足大尺寸晶体的发展要求。目前，国内外关于大尺寸Nd:YAG晶体的生长已基本实现自动化控径，完全摆脱人为因素的干扰[4]。虽然上称重自控径技术能给大尺寸激光晶体生长带来了便利，但在实际晶体生长过程中也存在着一些问题，如：电子秤受干扰引起控制直径的波动；温场环境不合适造成晶体的缺陷；外界干扰给控制体系带来的影响。本文将讨论在上称重自控径大直径Nd:YAG晶体生长等径过程中，直径突变产生

    山东化工 2018年15期2018-09-20

  • “美国化学周”三十周年：“珍珠婚”中的化学
    国化学周； 晶体生长； 生活化学习； 学科综合； 非正式学习文章编号： 1005-6629（2018）6-0092-05 中图分类号： G633.8 文献标识码： B1 美国化学周发展历程美国化学周是由美国化学学会（American Chemistry Society， ACS）前任主席Pimentel博士发起，于每年10月份举办的一项科技普及活动。每年的美国化学周都会推出一个全新主题，据此展开系列活动。该活动面向全体公民，活动主题不仅涉及化学的各个方面，

    化学教学 2018年6期2018-09-17

  • 金刚石的人工合成与应用
    气相沉积 晶体生长中图分类号：TQ050 文献标识码：A1金刚石化学结构及特性在晶体学中，金刚石的晶体结构十分常见，是一类晶体的典型和代表。金刚石晶体中，每个碳原子的4个价电子以sp3杂化的方式，形成4个完全等同的原子轨道，与最相邻的4个碳原子形成共价键。这4个共价键之间的角度都相等，约为109.5度，这样形成由5个碳原子构成的正四面体结构单元，其中4个碳原子位于正四面体的顶点，1个碳原子位于正四面体的中心，金刚石结构的空间堆积率约为0.34。虽然金刚石

    科教导刊·电子版 2018年3期2018-06-06

  • 多晶炉大尺寸高效率热场的设计与研究
    分布，从而对晶体生长过程中的形核质量、固液界面形状、流体流动模式以及杂质输运过程等都有直接影响。对热场结构的合理设计及不断优化是提高多晶硅晶体品质的重要手段之一。本项目通过对热场的优化，改善了熔体流动模式，有利于杂质向硅锭边部及外部输运，减少了杂质对多晶硅晶体品质的负面影响。【关键词】固液界面 杂质输运 晶体生长1 目前热场缺陷热场作为铸锭的硬件部分，起到的作用不言而喻，整个铸锭工艺必须围绕热场的结构和原理进行调整。因此有一套好的热场，工艺人员调整工艺也会

    电子技术与软件工程 2017年15期2018-01-30

  • 高均匀性掺镁铌酸锂晶体的生长及光学性能研究
    锂；高掺镁；晶体生长；均匀性；吸收谱中图分类号：G642.0 文献标志码：A 文章编号：1674-9324（2017）35-0059-03一、引言前人已经对掺镁铌酸锂做了大量的深入研究，南开大学付博[1]等人研究了紫外光辐照下，吸收边与Mg掺杂浓度的阈值变化关系。比较了300—400nm波长范围内的吸收光谱，得到掺Mg会让晶体的吸收边发生紫移的结论，掺Mg的浓度越高，吸收边移动越大。相比于同成分掺镁铌酸锂，近化学计量比LiNbO3：Mg晶体还拥有更高的抗光

    教育教学论坛 2017年35期2017-08-29

  • 坩埚下降法晶体生长自动化控制
    发展，而人工晶体生长工艺繁琐、设备复杂，想实现机器人替代人工需要一些时间。经过不断探索与试验，在坩埚下降法晶体生长过程中初步实现自动化控制。利用组态监控软件，构建出晶体生长过程的人机互换界面，通过组态与简单的程序编写实现人工晶体生长的自动化控制。本文通过使用MCGS组态软件与PMC、温控仪进行通讯、数据采集与发送指令，实现自动控制。可提高生产效率，降低人工成本，为企业创造更多利润。关键词：自动化；晶体生长中图分类号：TB476 文献标识码：A文章编码：16

    工业设计 2017年7期2017-05-30

  • 稀土氧化物闪烁晶体提拉法自动控制系统设计
    ；专家控制；晶体生长DOIDOI：10.11907/rjdk.162724中图分类号：TP319文献标识码：A文章编号：1672-7800（2016）012-0042-040 引言稀土闪烁晶体能够将高能射线或粒子转换为紫外或可见荧光脉冲， 是核辐射探测的关键材料。在医学领域，闪烁晶体作为辐射探测材料主要应用于X射线计算机断层扫描成像（X-CT）、正电子发射断层成像（PET）等设备中，这类闪烁晶体具有高密度、高光输出、大的有效原子序数等优点。PET是目前核医

    软件导刊 2016年12期2017-01-21

  • 虎杖苯亚甲基丙酮合酶PcPKS2的表达纯化和晶体生长
    的表达纯化和晶体生长马文瑞1，柳春梅2，杨明峰2，薛飞燕2，陈青2，马兰青2，吕鹤书2 1 北京农学院 植物科学技术学院，北京 102206 2 北京农学院农业部都市农业 (北方) 重点实验室，北京102206马文瑞, 柳春梅, 杨明峰, 等. 虎杖苯亚甲基丙酮合酶PcPKS2的表达纯化和晶体生长. 生物工程学报, 2016, 32(2): 250–258.Ma WR, Liu CM, Yang MF, et al. Preparation and cry

    生物工程学报 2016年2期2016-06-22

  • 硒酸对ZTS晶体生长的影响研究*
    硒酸对ZTS晶体生长的影响研究*禹化健1a，常新安1a，陈学安1a，肖卫强1b，涂衡2（1.北京工业大学a.材料科学与工程学院；b.北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京100124；2.中国科学院理化技术研究所，北京100190）摘要：以H2SeO4为添加剂，通过亚稳区宽度和诱导期的测定考察了不同添加浓度下ZTS溶液的稳定性，采用水溶液降温法进行了在同样添加条件下ZTS的晶体生长实验。结果表明，在实验浓度范围内，随着H2SeO4浓度的增大，ZTS溶液稳

    化学工程师 2016年3期2016-04-21

  • 一维钴纳米材料的简单制备及其磁性和电磁性能研究
    ;磁性材料；晶体生长；外加磁场； 电磁性能Received date：2015-04-30.Foundation item：The Natural Science Foundation of China (50902045).Biography：MENG Hongjie (1990-), female, postgraduate, majoring in nano-composite absorbing materials.*Corresponding a

    化学研究 2015年6期2016-01-31

  • 光学质量大尺寸蓝宝石单晶工艺研究
    了影响蓝宝石晶体生长的9大因素:①温场的轴向和径向温度梯度大小对晶体生长的影响;②氧化锆层对晶体质量的影响;③原料对晶体生长的影响;④籽晶的质量和晶向对晶体生长的影响;⑤引晶对晶体中残余应力、位错和晶界的影响;⑥放肩角度对晶体的影响;⑦等径生长速度对晶体的影响;⑧收尾拉脱与否对晶体质量的影响;⑨退火时间长短对晶体的影响．通过分析各影响因素，改进生长工艺，成功生长出70 kg蓝宝石单晶．对其进行表征发现，在晶体气泡、晶体方向和应力等方面均达到发光二极管芯片衬

    深圳大学学报（理工版） 2015年4期2015-12-24

  • PVT法生长大尺寸CdS单晶
    。基于气相法晶体生长的热力学和动力学理论对晶体生长速率进行了分析，并对CdS晶体材料的电学、光学等性能进行了表征。1 实验1.1 CdS晶体材料制备PVT法属于一种气相的晶体生长方法，多用于高熔点、高蒸气压材料的单晶生长，特别是生长CdS、ZnSe等II-VI族半导体材料。PVT法晶体生长过程包括气源形成、气相传输和晶体生长三个主要环节，在生长表面附近气相的温度、成分和生长压力决定了晶体生长能否实现，并直接影响着晶体生长速率、晶体成分和结晶质量。图1是本文

    河南科技 2015年7期2015-08-28

  • CdSe单晶生长技术研究
    ［2］。1 晶体生长理论基础从热力学的角度分析，晶体生长是一个从非平衡态向平衡态过渡的过程。当体系达到两相热力学平衡时，并不能产生新相，只有在旧相处于过饱和或过冷状态时，才会出现新相。图1 是单组分物质p-T 状态图，图中分为气相、液相和固相三个相区，阴影区称为亚稳区［3］。当热力学条件处于亚稳区才能有新相形成，并不断使相界面向旧相推移，随之完成成核与晶体长大的过程。图1 单组分物质p-T状态图以气相法晶体生长为例进行说明。图2（a）中A点处于亚稳区内，在

    河南科技 2015年8期2015-08-09

  • FEMAG亮相2015国际半导体技术大会
    著名的半导体晶体生长模拟商业软件，软件耦合了晶体生长过程中所有重要物理现象，包括辐射传热、导热传热及对流传热，并耦合了各种电磁场对晶体生长过程传热、对流的影响。中仿科技此次在中国国际半导体技术大会上展出的晶体生长模拟仿真软件 FEMAG依托于中仿中国研发中心的创新性研发，融合了比利时 FEMAG SA.公司全球领先的技术。中仿科技公司对于FEMAG软件完全拥有中国自主知识产权和技术专利。endprint

    智能制造 2015年4期2015-05-12

  • VGF法生长半导体晶体的研究进展
    是，在VB法晶体生长过程中，生长炉的温度是固定不变的，利用机械的作用使坩埚或是炉体产生移动，当固－液界面经过温度梯度区结晶成核，实现晶体生长;而在VGF法晶体生长过程中，坩埚和炉体位置均是固定不动的，改变的是温度，晶体生长时进行缓慢降温，晶体形核。VGF法可实现晶体生长过程中温场的人为设定，实现预先设计的温度梯度和降温速度，使固液界面以一定的速度由下而上移动，完成晶体的自下而上生长。相对于VB法，VGF法具有如下优点:无机械误差和机械振动;炉体内温度分布可

    激光与红外 2015年5期2015-03-29

  • 垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件优化
    ，因此在影响晶体生长质量的诸因素中，坩埚的性能与质量占有重要地位。坩埚的性能包括强度、热导率(径向、轴向)、热膨胀系数、与熔体的浸润角、表面光洁度、纯度、高温化学稳定性、与熔体是否反应、与晶体是否粘连等。为了提高单晶体的质量，研究人员不断地改进晶体生长中与坩埚相关的工艺，如旋转坩埚，改进坩埚材质和形状等。生长CdZnTe单晶体的坩埚主要有内壁熏碳的石英坩埚、石墨坩埚和热解氮化硼坩埚(PBN坩埚)［1－3］。实际工艺中一般采用熏碳的石英坩埚，其合成与生长均在

    激光与红外 2015年8期2015-03-23

  • 浅析磁场在晶体生长中的应用研究进展
    介绍了磁场对晶体生长影响的两种机制和磁场的类型，然后分析了磁场在蛋白质晶体生长中的应用和磁场在氧化物晶体生长中的应用，最后探讨了磁场在半导体晶体生长中的应用。关键词：磁场；晶体生长；应用中图分类号： P144 文献标识码： A从熔体中生长晶体，由于对流，尤其是湍流的存在而产生宏观及微观的生长条纹，影响到晶体的物理及化学性质的均匀性。克服对流的方法主要有微重力环境和磁场，而前者的实验费用昂贵，实验次数少，可用于基础性的研究，大规模的商业应用在目前来说是不现实

    城市建设理论研究 2014年25期2014-09-24

  • 空间材料加热实验的遥操作技术研究
    文中通过研究晶体生长加热炉试验的遥操作系统及其关键技术，进行基于遥操作的晶体生长加热炉试验来对空间材料加热实验的遥操作技术进行研究。图1 晶体生长加热炉试验遥操作方案图Fig.1 The scheme of crystal growth furnace experiment of teleoperation2 遥操作系统及关键技术2.1 晶体生长加热炉试验系统根据空间站长期在轨自主飞行、无航天员时舱内空间材料加热实验情形以及晶体生长加热炉试验对遥操作的需求

    载人航天 2013年5期2013-09-19

  • 晶体生长可作为火山地震预测的新信号
    山岩浆房内的晶体生长有关。火山岩浆房内晶体的生长如树木年轮一样自中心向外扩展，与此同时保存了有关火山喷发的关键信息。其个别区域细微的化学成分的变化反应出岩浆房内物理条件（如温度）的改变，从而指示了火山喷发过程及其喷发周期。研究人员分析了美国圣海伦火山岩浆房晶体的化学组成并将其与1980年圣海伦火山的喷发过程相结合。分析结果显示，晶体的生长高峰同火山喷发之前的数月中地震频率及气体喷发量的增加直接相关。因此，可以将晶体的生长作为岩浆涌入不断扩展的岩浆房的证据，

    地震科学进展 2012年7期2012-04-01

  • 泡生法蓝宝石晶体生长工艺的探讨
    泡生法蓝宝石晶体生长设备及工艺的研究，并通过在晶体生长过程中终止生长取出晶体观察生长前沿形态的方法进行实验验证，得出了与模拟设计几乎完全吻合的结果，对研究泡生法蓝宝石晶体生长设备与工艺提供了科学的思维方法和依据.而乌克兰Pryroda工程有限公司(Pryroda Engineering Ltd)则无疑是商业化量产泡生法晶体生长设备的先驱.在工艺方面，美国的卢比肯公司早在2009年就已经掌握泡生法生长200 kg巨型蓝宝石单晶的技术［3］.相比之下，我国在该

    哈尔滨工业大学学报 2011年3期2011-03-12

  • KTa1－xNbxO3晶体生长固/液边界层结构的微区研究*
    xNbxO3晶体生长固/液边界层结构的微区研究*周文平1)万松明1)张庆礼1)殷绍唐1)†尤静林2)王媛媛2)1)(中国科学院安徽光学精密机械研究所，合肥230031)2)(上海大学上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室，上海200072)(2009年9月8日收到;2009年11月23日收到修改稿)测量了KTa1－xNbxO3(KTN)晶体在常温和高温下的Raman光谱;实时测量了晶体生长过程中，固/液边界层内以及边界层两侧的晶体和熔体的高温显微Raman

    物理学报 2010年7期2010-09-08

  • 水热法人工晶体生长的原理及应用
    ）水热法人工晶体生长的原理及应用刘菊（天津渤海职业技术学院，天津300402）人工合成晶体的方法有很多，本文着重论述了利用水热法合成人工晶体的基本原理以及影响因素，同时还介绍了水热法合成人工晶体的应用。水热法；人工晶体；合成当今，在高新技术材料领域中，人工晶体作为一种特种功能材料，在材料学、光学、光电子、医疗生物领域有着广泛的作用。用于人工晶体生长的方法有多种，如：物理气相沉淀、水热法、低温溶液生长、籽晶提拉、坩埚下降等。其中水热法晶体生长可以使晶体在非受

    天津化工 2010年5期2010-03-22

  • 晶体生长实验室寓教于乐
    本期推荐的晶体生长实验室系列产品是由烟台蚂蚁工坊生态科技公司推出的生态系列玩具。10月14日，晶体生长实验室获得了中国玩具协会“创星大赛”教育类产品金奖。晶体生长实验室系列产品是基于晶体生长科学原理创新而成的一系列供广大青少年自己动手来制作晶体的科学玩具产品，让他们从中学习晶体生长的科学知识，感受科学的神奇魅力，提高科学研究能力和动手能力，更重要的是给他们探索、实践、创造和解决问题的机会，在乐趣中掌握科学原理，更加体现寓教于乐。水晶工坊这是一款可以充分锻炼

    玩具 2009年11期2009-11-30

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