RDX单晶的培养与表征

2013-07-07 12:27王建华王变红刘玉存
火工品 2013年3期
关键词:晶体生长键长丙酮

刘 瑶,王建华,王变红,刘玉存

(1.中北大学化工与环境学院,山西 太原,030051;2.晋西工业集团有限责任公司,山西 太原,030027)

单晶研究是深入认识炸药本质特性最重要、最直接的手段,其对认识炸药降感、起爆等物理过程,为炸药安全性能预估、炸药配方和武器装药设计等,可提供基本性能数据[1]。RDX作为公认的性能最好的炸药之一[2],开展单晶培养,对其性能的进一步认识具有重要的意义。

目前,国外J.H.ter Horst[3-5]等在丙酮、环己酮、γ-丁内酯等溶剂中培养RDX单晶,认为不同溶剂对RDX形貌产生较大影响;Antoine E.D.M.van der Heijden[6]等通过对RDX的结晶与表征研究,分析了不同溶剂对RDX的晶体形貌的影响,并提出溶剂/晶体表面的相互作用、过饱和度的变化,以及系统中的杂质会对RDX晶体的形状产生影响。国内,宗和厚[7]等利用丙酮作为溶剂,在一定的条件下培养得到了RDX的单晶,并用微焦点CT技术研究了RDX单晶体的微细结构,得到了炸药晶体的三维细微形貌、内部孔隙的定位定量、密度分布等信息;李洪珍[1]等通过溶剂蒸发法研究RDX单晶的生长,证明结晶时所用的溶剂对晶体形态有很大的影响;朱勇[8]等通过冷却结晶制备不敏感RDX,考察了RDX在不同溶剂中的冷却结晶行为。基于目前国内外对于RDX单晶的培养方法,笔者采用丙酮溶剂缓慢挥发法,分别在室温和恒温条件下,进行了对RDX大块单晶的培养,并对培养出来的单晶进行表征。

1 实验

1.1 试剂与仪器

药品:丙酮(无水,分析纯)、RDX(工业级)。

仪器:电子显微镜、X-射线衍射仪、数码相机、HBR 4数显加热锅、锥形瓶若干等。

1.2 单晶的培养

1.2.1 室温培养

步骤:(1)取适量丙酮小心滴入置于40℃水浴的培养容器中,搅拌下缓慢加入RDX,直至RDX不再溶解为止,有少量溶质未溶解过滤得澄清透明滤液;(2)将滤液倒入锥形瓶中用保鲜膜封口,并用无菌针头扎孔,在室温下冷却,静置数周后长出细小单晶,取出单晶;(3)重复步骤(1)获得透明澄清溶液;(4)把获得的数颗质量较好的小单晶作为晶种投入到步骤(3)得到的溶液中;(5)将步骤(4)所得溶液重复步骤(2)操作,获得线径更大的单晶,从而得到RDX的单晶。

1.2.2 恒温培养

具体步骤同1.2.1,只是在第2步骤中,冷却到一定温度,置于预先调好的32℃HBR 4恒温水浴锅中,使水的液面完全浸没溶液液面,然后静置。

1.3 晶体结构的测定

选择尺寸为0.63mm×0.52mm×0.44mm的单晶,在 AFC10/Saturn724+衍射仪上,用λ=0.710 73Å 的Mo Ka射线、石墨单色器,在2.467°<θ<29.126°范围内,用10 148个衍射点精确测定晶胞参数和取向矩阵。在153(2)K温度下,扫描范围为3.04°<θ<29.11°,在h=-15~15,k=-11~14,l=-17~17的条件下,以ω扫描方式扫描,共收集衍射点数目2 143个,选取I>2σ(I)的1 813个可观察点,用于结构的测定和修正,全部数据均经LP因子和半经验吸收校正。原子位置由差峰值Fourier合成法得到。对于I>2σ(I)的数据最终偏差因子R1=0.030 9,wR2=0.085 7,s=1.002,消光系数为 0.019 0(16),ω=1/[s2(Fo2)+ (0.051 6P)2+0.216 0P],P=(Fo2+2Fc2)/3;末轮优化的最大参数位移(Δ/σ)max=0.001,最高峰值:Δρmax= 0.34eÅ-3,最低峰值:Δρmin=-0.19eÅ-3。晶体结构的解析和结构修正在计算机上用SHELXL-97程序完成。

2 结果与讨论

2.1 单晶培养

2.1.1 两种方法所得晶体

实验过程中,对室温及恒温条件下的晶体培养结果进行对比,发现在室温条件下培养的晶体主要偏向于长扁块状晶体生长,晶面少,质地较脆,如图1所示。在恒温条件下培养的晶体主要偏向于球体型晶体发展,晶面较多,质硬密度较高,如图2所示。

图1 溶剂挥发室温培养的RDX晶体Fig.1 Solvent volatilization room cultivation of RDX crystals

图2 溶剂挥发恒温培养的RDX晶体Fig.2 Solvent volatilization thermostatic cultivation of RDX crystals

与室温条件下培养的晶体相比,在恒温条件下得到的晶体晶面多、面积大,所受到的应力不均匀,在其离开培养环境之后容易开始出现裂纹,而且这种裂纹的生长能够明显地观察到。针对这种情况,根据RDX单晶不溶于水的性能,实验中采用了向其培养液中直接加入蒸馏水的方法。即转移大部分的培养液(待下次培养时使用),留下部分溶液使其能够浸没晶体,防止晶体碎裂;然后直接加入蒸馏水,将其上部分的液体用滤纸过滤,收集其中残留的 RDX,捞出晶体用水洗干净,并用滤纸吸干。这种方法能够有效地防止晶体在离开培养环境之后出现裂纹的情况。

2.1.2 培养过程中存在的晶体缺陷

RDX单晶培养实验过程中,发现决定晶体生长外形的因素,除了晶体内部结构因素外,还存在外部物理化学条件的影响。这不仅影响到晶体生长外形,有时还能影响到晶体内部结构的变化,产生各种晶体缺陷。在晶体的生长过程中,通过控制扎孔(孔径<φ0.5mm)的数目来控制饱和溶液的溶剂挥发速度。当溶剂挥发速度过快,晶体中容易出现溶剂包覆、气孔等现象,如图3中(a)、(b)所示。

图3 RDX单晶培养中的缺陷Fig.3 The defects in the cultivation of RDX single crystals

当溶剂挥发速度过快,在晶核形成的时候,容易出现大量的晶核,在其生长过程中多个晶体长大到一起,就形成了孪晶,如图3(c)所示。这对于大晶体的培养会产生影响,而且容易出现大尺寸低密度的晶体,对晶体质量的提高也不利。实验过程中也出现部分线缺陷晶体,如图3(d)所示。产生的原因可能是:(1)籽晶的引入,籽晶的位错会如同遗传一样,随着晶体的长大,逐渐地延伸到晶体中。(2)热应力的影响,晶体生长中产生热应力或由于膨胀系数的差异,都会产生应力,由于温度的波动造成晶体生长时出现条纹状缺陷,在这些条纹的边界处存在着应力,这些应力的不同都会使晶体出现裂纹缺陷。晶体的体缺陷在实验中占到了多数,如图3(e)所示。这是由于晶体的底部与瓶底接触的部位常常会出现底部孔洞,为避免这种情况,可以在晶体生长到一定的时间、尺寸之后,进行一次“翻身”的处理,但这种方法操作起来比较困难;比较好的方法是采用载晶架,关键是找到合适的载晶架。

2.2 单晶测试数据分析

通过晶体结构测定,该晶体的分子结构和分子在晶胞中的堆积分别如图4和图5所示,原子坐标、等效温度因子、部分键长、部分键角分别列于表1~2。

图4 RDX晶体的分子结构图Fig.4 Molecular structure of RDX

图5 RDX晶体的分子在晶胞中的堆积图Fig.5 Packing diagram of RDX in crystal lattice

晶体结构分析结果表明,该晶体属于正交晶系,Pbca空间群,以C1-N1-C2-N2-C3-N3形成一个六元环,所得的晶体学参数为:a=11.471(3)Å;b=10.611(2)Å;c=13.146(3)Å;α=β=γ=90°;体积V=1 600.1(6)nm3,Z=8,D=1.844g/cm3,F(000)=912。最终偏差因子R1=0.030 9。由图4可以看出,RDX的结构中存在着一种氢键类型,邻近的分子之间通过H-O键结合。由表2中的键长数据比较可以看出,C-N键的键长最长,在1.451 8~1.464 0 Å之间,其次是N-N键,键长在1.357 7~1.404 6 Å之间,之后是O-N键的键长,键长在1.215 8~1.228 6 Å之间,最后是C-H键,键长0.990 0 Å。由表2中数据还可以得出,分子中C-N-C的键角平均为114.91°,C-N-N的平均键角为 117.46°,O-N-O的平均键角为 125.39°,N-N-O的平均键角为117.22°,N-C-N的平均键角 为109.24°。

表1 原子坐标和等效温度因子Tab.1 Atomic coordinates and equivalent temperature factor

表2 RDX部分键长和键角Tab.2 Bond lengths and bond angles of synthetic product

3 结 论

(1)采用丙酮饱和溶液缓慢挥发溶剂法,分别在室温和恒温条件下培养得到了厘米级的RDX单晶,最大尺寸达到2cm。

(2)在室温条件下培养的晶体,其主要偏向于长扁块状晶体生长,晶面少,质地较脆;在恒温条件下培养的晶体主要偏向于球体型晶体发展,晶面较多,质硬密度较高。实验中存在多种晶体缺陷。

(3)晶体结构分析结果表明,RDX晶体属于正交晶系,Pbca空间群,以C1-N1-C2-N2-C3-N3形成一个六元环,所得的晶体学参数为:a=11.471(3)Å;b=10.611(2)Å,c=13.146(3)Å;α=β=γ=90。;体积V=1 600.1(6)nm3,Z=8,D=1.844 g/cm3,F(000)=912。最终偏差因子R1=0.030 9。

[1]李洪珍,周小清,徐容,等.RDX单晶的生长及加工[J].含能材料,2011,19(6):745-746.

[2]戴隆泽,尹世英,陈耀坤,等.炸药生产工艺设计[M].北京:兵器工业出版社,1996.

[3]J.H.ter Horst,R.M.Geertman ,G.M.van Rosmalen.The effect of solvent on crystal morphology[J].Journal of Crystal Growth,2001 (230) :277-284.

[4]Antoine E.D.M.van der Heijden and Richard H.B.Bouma.Crystallization and characterization of RDX, HMX, and CL-20[J].Crystal Growth & Design, 2004, 4(5):999-1 007.

[5]Ter Horst, J.H.Molecular modelling and crystallization:morphology, solvent effect and adsorption[D].Thesis:Delft University of Technology, 2000.

[6]Ter Horst, J.H.; Geertman, R.M.; Van der Heijden, A.E.D.M.Van Rosmalen, G.M.Workshop on crystal growth of organic materials[C]//Proceedings of the 4th Int.Germany:1997.

[7]宗和厚,张伟斌,等.HMX和RDX晶体微细结构μCT表征[J].含能材料,2010,18(5):514-517.

[8]朱勇,王伯周,葛忠学,等.冷却结晶法制备不敏感 RDX 研究[J].含能材料,2010,18(5):501-504.

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