基极

近似等效法在高频电子线路教学中的应用与探讨
，当频率增加时，基极与集电极之间的容抗变小，此时使用近似等效法，基极与集电极之间形成一个有效通路，如图2所示，集电极上的电流会有一部分通过该通路泄露到基极上去，造成基极电压升高，根据晶体管是将基极电压放大为集电极电流原理，使得更进一步放大升高后的信号，形成一种类似于正反馈机制，使得晶体管从线性区迅速过渡到非线性区，进而使晶体管失去放大能力。图2 高频下晶体管极间电容近似等效以上的分析说明了电子线路对频率高低敏感的原因之一，了解了晶体管对高频信号影响之后，在

电子制作 2023年2期2023-03-01
基于RS 触发器的危险区域安全保护装置
加；三极管T1的基极电位降低，集电极电位升高，因此三极管T2的基极电位升高，集电极电位降低，在KA 两端产生电压差，其线圈得电，常开触点吸合，M 断电、停止运转，发光二极管VD 及SP 得电，分别发出灯光示警和声音示警。当人离开M 运转区域时，R1受到的光照增加，阻值减小；T1的基极电位升高，集电极电位降低，因此T2基极电位也降低，集电极电位升高，KA 两端没有电压差，其线圈掉电，返回常闭触点，M 正常运转；SP 停止，实现电机的自动控制[3]。图1 无R

宁夏工程技术 2022年4期2023-01-31
一种高PSRR快速响应线性电源调制器的电路设计
比为8∶1，二者基极——发射极电压差为：该电压为PTAT电压，经过电阻R9及其上面的电阻放大后，从VOUT到Q16基极的电压，也是一个PTAT电压，与下方BYP端相连的LPNP管Q13的BE结CTAT（负温度系数）电压补偿后，得到一阶零温度系数的电压VBG，为：由式（6）可知，调整R8与R9比例，使得VT正温度系数与VBE13负温度系数相等，即可得到稳定的带隙基准电压。考虑到在高温下VT与VBE变化速率的不同，在高温时，VBE13降低速率更快，使得基准电压

环境技术 2022年6期2023-01-25
基于MATLAB的线性电流调节的LED驱动器设计与仿真
R2的低电位端，基极二极管D2输出端，发射极连接至电阻R3；一个NPN型三极管，电路集电极连接至LED2低电位端，基极连接至电阻R3的低电位端，发射极连接至地端；连个LED灯LED1和LED2，并进行串联。图中的函数f(x)=0表明低电位的电压值为理想的0V。图1 驱动器仿真电路其中分段线性电源V Src为电源线性变化模块，如将电源的电压值在0-1s时间内从0V沿直线上升至10V，可知电压上升的斜率为10；两个单向导通二极管D1和D2连接在分段线性电源的正

电子制作 2022年18期2022-10-31
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
至-0.8 V，基极和集电极均接地。深能级陷阱测量采用PhysTech公司的FT1230 HERA-DLTS测试系统，重点针对NPN三极管的发射结开展深能级瞬态谱测试和分析，获取其缺陷特性。测试过程中P型基极接低电位，N型集电极接高电位。DLTS测试过程中设定的主要参数为：反向偏压VR=1 V，脉冲电压VP=-0.2 V，测试周期TW=0.3 s，脉冲宽度TP=10 ms，扫描温度50～450 K。在温度扫描时，可同时测试不同温度下发射结的C-V和I-V曲

原子能科学技术 2022年10期2022-10-29
基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路
N/PNP器件的基极-发射极阈值电压只有0.6 V（MOSFET器件普遍在1 V以上），因此与CMOS工艺的驱动电路相比，双极工艺驱动电路拥有更低的导通损耗和更长的使用寿命；同时双极型器件输出电流与基极-发射极电压成指数关系，器件输出跨导效率相比MOS器件显著增加，同等面积下可以比MOS器件得到更大的输出电流，因此采用双极工艺实现的驱动电路可以有效减小芯片面积，提高经济效益。国内外已经研制出了多种基于双极工艺的栅驱动电路[5-7]。文献[5]采用级联达林顿

电子与封装 2022年10期2022-10-29
一生都在学习,81岁爷爷直播教电工知识走红
：为什么三极管的基极电压Ub与发射极电压Ue同相位？三极管的基极电压与集电极电压为什么反相位？他的每场直播同时在线人数最高上万，单场直播观看人数超过40万，来直播间听他上课的学生遍布大江南北。走红后，王广杰在直播间被数十万网友“催更”，他还登上热搜榜，短短4天時间粉丝增加了50余万。王广杰坦言，自己学的都是电工基础内容，随着时代的发展，如今的科技也在进步，他又自学PLC（可编程逻辑控制器）知识，并在直播间里讲解，“我没有落后于时代，我很喜欢这个专业，这一生

文萃报·周二版 2022年25期2022-06-23
一种低偏流、低失调的高精度运算放大器设计
镜采样了Q4 的基极电流并返回一个近似相等的电流到Q2 的基极，从而完成偏流补偿，减小输入偏流。实际上，由于采样管Q4 和输入管Q2 的集电极电流和β并不完全匹配，再加上PNP 电流镜基极电流和厄利效应带来的误差，最终会有1/20～1/5 的基极电流未补偿。图1 传统偏流补偿一考虑基极电流时的误差情况：根据上式分析，由于PNP 管β较小，所以相比于采样电路而言，PNP 电流镜会成为更大的误差来源。此外，这一偏流补偿结构由于匹配性较差会导致失调电流的增大。失

电子设计工程 2022年11期2022-06-15
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应*
合增加,最终导致基极电流增大、增益下降;其中EB Spacer 氧化层中产生的陷阱电荷主要影响正向Gummel 特性,而LOCOS 隔离氧化层中的陷阱电荷则是造成反向Gummel 特性退化的主要因素.通过数值模拟分析获得的SiGe HBT 总剂量效应损伤规律与不同偏置下60Co γ 辐照实验的结论符合得较好.1 引言锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)由于硅基能带工程材料和器件结构的优势,通过对基区Ge 组分梯度的控制,可实现大跨度的工作温度范围[1-

物理学报 2022年5期2022-03-18
基极调幅电路性能仿真分析
430033）基极调幅电路[1-2]是以高频谐振功率放大电路为基础构成的，是输出电压幅度受基极所加调制信号控制的高频谐振功率放大器，输出调幅信号有较高的功率，也是高电平调幅。理论上高频谐振功率放大器工作在欠压工作状态时，调制信号和基极直流偏压共同作为放大器的偏置电压，即可在输出端获得AM 调幅信号。如何调整电路参数，才能使高频谐振功率放大器工作于欠压工作状态；如何设置基极直流偏压才能获得不同调制度的调幅信号；如何调整载波、集电极电压，才能获得不失真的调幅

电子设计工程 2022年4期2022-02-27
射极跟随器实验研究与探索
电源电压Vcc，基极电阻RB，和发射极，射极电阻RE，构成了输入回路，同时电源电压Vcc的正极通过基极电阻RB接入基极也保证了发射结正偏；电源电压Vcc，集电极，发射极，射极电阻RE，构成了输出回路，电源电压Vcc正极接入集电极，电源电压Vcc负极通过射极电阻RE接入集电极。所示的直流通路可看出，在输入回路中，其中RB为可变电阻，依据基尔霍夫电压定律(KVL)及晶体管的电流分配关系,可得如下公式：(1)和(1)基极电阻RB为可变电阻，通过改变电阻RB的阻值

太原科技大学学报 2021年6期2021-12-31
双极型晶体管总剂量效应的统计特性*
照效应主要体现在基极电流(IB)的退化, 其作用机理是电离辐射在SiO2中及Si/SiO2界面作用导致的氧化物陷阱电荷面密度(Not)和界面陷阱电荷面密度(Nit)的增长.本文基于定制设计的栅控横向PNP晶体管, 开展了大样本、多剂量点的电离总剂量效应实验, 获得了双极型晶体管IB, Not, Nit的分散性及其随总剂量变化的统计特性, 初步建立了晶体管损伤分散性与Not分散性的关联.该研究成果可以有效支撑双极型电路辐射可靠性的机理研究与定量评估.1 引

物理学报 2021年13期2021-08-04
单管放大器电路解析及探讨
调节T1晶体管的基极电位;滑动变阻器RW1连接着拨动开关,需要将拨动开关拨到“通”,可以将电源电压的正极连接到T1晶体管的基极,从而保证了发射结处于正向偏置;T1晶体管的集电极电阻RC1通过导线连接到电源电压的正极,就保证了集电极处于高电位,这样单管放大器就满足外部条件发射结正偏,集电结反偏,保证T1晶体管处于放大状态。单管放大器电路中,由发射结连接基极电阻和射极电阻,加上电源构成了输入回路,集电结连接集电极电阻和射极电阻,加上电源构成了输出回路[3]。2

太原学院学报(自然科学版) 2021年2期2021-06-29
基于晶体三极管的放大电路分析
射极、集电极以及基极。在三极NPN的情况下，通过在硅片上生长的掺杂工艺在三极管上形成两个PN结，并在不同的偏压下控制两个PN结的开关控制。电压和电流放大效应大大加快了电子技术的发展。晶体的三极管分为不同的类型，根据制造材料分为锗管和硅管，根据结构不同可分为PNP管和NPN管。把微弱的电信号按一定倍数放大。它还具有开关作用，用来构成多种脉冲与数字电路。它体积小、能耗低、价格便宜，已广泛应用于电子线路中。2 不同组态的三极管放大电路根据三极管电路中的连接方式可

中国设备工程 2021年24期2021-04-03
结合通用技术课程促进物理教学① ——以“电容器在延时电路中的应用”为例
手没有触摸VT1基极时，由于VT1、VT2均未导通，因此VT3基极为高电位，符合导通条件，因此VT3导通，发光二极管点亮，当手触摸VT1基极之后，VT1、VT2相继导通，VT3由于基极电位被拉低而截止，发光二极管熄灭，因此该电路有触摸关灯的效果。在理解上述电路的基础上，请学生思考：该电路能够实现触摸关灯的功能，但只有在手触摸的时候灯才会关闭，手一离开，灯就会立刻点亮，应用性较差，我们能否让灯在手离开之后继续保持一段时间的熄灭状态，然后再自动点亮呢？通过对这

物理之友 2021年1期2021-03-15
一种适用于毫米波的InP HBT小信号模型与参数提取方法
源等效电路部分。基极-发射极重叠电容和基极-集电极重叠电容分别被吸收到基极-发射极电容Cbe和外部基极-集电极电容Cbcx中[7]。其中总基极-集电极电容Cbc的物理机理可表示为:式中:Cbc0为零偏置电流下的基极-集电极电容;Ic为集电极电流。参数K1和Itc描述了集电极区的电子速度调制效应。通过对基极-集电极电容Cbc与集电极电流Ic进行拟合,结果如图5(a)中实线所示。通过有源等效电路所得到的Z参数能够提取基极-集电极电容Cbc。式中:Za为有源等效

电子元件与材料 2021年1期2021-02-05
偏置条件对国产SiGe BiCMOS 器件总电离辐射效应的影响
进行了分析，得到基极电流Ib和集电极电流Ic随辐照累积剂量的变化关系，并对其进行了Gummel 特性曲线的测试，得到Ib和Ic随基极-发射极电压VBE的变化关系。2 实验结果随剂量而增大，从而导致了图2中电流增益以及峰值电流增益随剂量的不断退化。表明Ib是SiGe BiCMOS器件的主要敏感参数，Ic基本不受电离辐射效应的影响。当辐照总剂量累积到12 kGy(Si)时，3种偏置条件下器件峰值hEF仍高于170，说明其在高剂量率辐照下有着良好的抗电离总剂量辐

辐射研究与辐射工艺学报 2020年5期2020-10-30
汽车电子电气基础知识详解(五)
为发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。电荷载体从发射极移动到基极(发射出去)并由集电极吸收。因此晶体管有两个PN结，一个位于发射极与基极之间，另一个位于集电极与基极之间。图67 晶体管的电路符号1.工作原理下面以一个NPN晶体管为例介绍工作原理。PNP晶体管的工作原理相同，但电流流动方向相反。如图68是一个晶体管及其三个接头(发射极、基极和集电极)的工作原理图。图68 发射极电路中的晶体管工作原理发射极内有很多电子，基极内只有少量空穴(缺陷处)。在正电

汽车维修与保养 2020年6期2020-10-24
基于基本共射级放大电路的增益计算及教学实践
交流信号由三极管基极和发射极输入，从集电极和发射极输出，因为发射极作为输入和输出的共同接地端，因此该种放大电路也被称为共射放大电路，其结构如图1所示：图1 基本共射放大电路其中，三极管VT作为整个放大电路的核心器件，将输入信号产生的微弱基极电流，控制集电极电流的变化；基极直流电源VBB：通过基极电阻RB为三极管发射结提供正向偏置电压以及合适的基电流；基极电阻RB：确保输入信号有效的施加到放大电路的基极和发射极之间；集电极直流电源VCC：为三极管集电结提供反

山东化工 2020年8期2020-06-12
NPN双极型晶体管抗辐照加固研究
参数为双极晶体管基极电流（IB）、集电极电流（IC）和电流增益（β=IC/IB）。同时对辐照的样品进行DLTS 深能级瞬态谱测试。辐照实验及其参数的测量均是在室温下进行，每次参数的测试都在辐照或退火后20 min 内完成。3 实验结果与分析3.1 辐照后直流参数的变化及成因对实验样品辐照后测试的直流参数研究表明，不同的电参数对于辐照的敏感程度是不同的。图1所示为在不同总剂量水平下的基极电流IB、集电极电流IC随基-射结偏压VBE的变化情况。图1 NPN 晶

微处理机 2019年5期2019-11-06
垂直腔面发射激光器与异质结双极型晶体管集成结构的设计和模拟
片上,通过HBT基极电流调制VCSELs的输出光功率.本文设计了一种VCSELs与HBT集成结构,该结构包括VCSELs和PNP InGaP/GaAs HBT,为直接串联结构,并利用PICS3D软件模拟了该集成结构的电光特性.为了模拟能够顺利进行,在模型中加入了过渡集电极.首先将HBT导通,电流由发射极流向过渡集电极,然后增大过渡集电极与N型电极之间的电压,使VCSELs导通且把过渡集电极的电流降为零.由于过渡集电极的电流为零,在实际结构中可以将其移除.模

物理学报 2019年20期2019-10-25
浅谈估算法计算单管放大电路静态工作要点
开）。两电位：指基极电位VBQ 和发射极电位VEQ。确定基极电位和发射极电位是关键中的关键，是解题的中心枢纽，只要把这个枢纽打开，整个解题过程就畅通了。如图1（固定偏置放大电路），图2（分压式偏置放大电路）所示的两电路：（1）先确定发射极电位VEQ，然后根据UBEQ=VBQ - VEQ 求出 VBQ=VEQ + UBEQ，再求ICQ=βIBQ，UBEQ=VCC-ICQ(RC+RE)。（2）先确定基极电位VBQ，然后根据UBEQ=VBQ-VEQ 求出VE

石河子科技 2019年6期2019-06-12
氢气浸泡辐照加速方法在3DG111 器件上的应用及辐射损伤机理分析*
—1.2 V; 基极和集电极均接地,测试基极电流IB和集电极IC随发射极电压的变化趋势. 本文选取的电流增益β值为VBE=0.65 V 时对应的IC与IB的比值. 通常利用电流增益倒数的变化量表征器件损伤程度.深能级瞬态谱仪(deep level transient spectroscopy,DLTS)是检测双极型器件内部深能级缺陷的有效手段,可以定量表征微观缺陷种类、浓度及能级等信息. DLTS 测试过程中主要参数设定为: 脉冲宽度TP=0.01 s,脉

物理学报 2019年6期2019-04-10
基于摩擦起电和静电感应控制的机器人触觉系统
通过R1与Q2的基极相连，Q2的集电极通过R2与Q1的发射极相连，Q1的基极通过导线与Q2的集电极相连；自锁触发电路模块(红色框部分)，由NPN 型三极管Q3、电源E1、分压电阻R3和R4，以及自锁触发端A 端构成，具体结构：Q3基极通过R4与自锁触发端A 端相连，发射极与电源负极相连，电源正极通过R3与Q2基极相连。图3 系统中控制电路电路图解锁触发电路模块(蓝色框部分)：由NPN 型三极管Q4、NPN 型三极管Q5、电源E2、分压电阻R5和R6，以及解

实验室研究与探索 2019年2期2019-04-02
按钮控制的节能灯电路的设计
9013(1)的基极电阻使其达到饱和。实验过程中不断调试基极电阻RB,最后确定RB应小于68k,具体取值如电路图1所示,RB=47k+10k。延时电路可利用电容器的充放电构成,按钮并接在电容器的两端。延长时间的长短取决于电容和电阻的取值,这里取C=470μF,R=100k。怎样才能把延时电路与继电器下面的三极管电路联系到一起呢?设计的思路是在按下按钮时,电容器开始充电,同时三极管9013(1)饱和导通,继电器的金属片与线圈吸合,灯泡亮;过一会儿,电容器充电

太原学院学报(自然科学版) 2018年4期2019-01-16
Si3N4钝化层对横向PNP双极晶∗体管电离辐射损伤的影响机理
现,有钝化器件的基极电流随着栅压变化出现展宽现象.由此得出推论,有钝化层的器件可能是由于制备钝化层过程中引入了氢分子,导致界面电荷的增加并使得界面态能级分散.然而,上述研究无法排除栅极工艺的影响.上述研究表明,双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性.然而,迄今无法直接证明钝化层对电离辐射损伤的影响机理.为了解决上述问题,本文选取60Co源作为辐照源,针对横向PNP(LPNP)双极晶体管,采用电性能测试及深能级缺陷分析等两种研究手段相结合,深入研究了有/无

物理学报 2018年16期2018-09-11
一种基于忆阻器的截流型过电流保护电路
保护电路三极管的基极电压。将通过simulink搭建出忆阻器的等效实现电路模型，然后构造基于忆阻器的截流型过电流保护电路并进行理论分析和仿真验证。1 基于simulink的忆阻器等效实现电路通过simulink仿真构建了忆阻器的等效实现电路，如图2所示。其伏安特性曲线如图3所示。图2 忆阻器的simulink模型图3 忆阻器的伏安特性曲线2 基于忆阻器的截流型过电流保护电路本文所构造的基于忆阻器的截流型过电流保护电路如图4所示。图4中Q1是调整管，R2是电

机械制造与自动化 2018年4期2018-08-21
以“实”为证、以“理”服人开展通用技术教学尝试 ——以NPN型三极管与PNP型三极管置换为例
VT（9013）基极电压为0.5V，没有达到三极管的导通条件，现把47K电阻换成50K的可调电阻，重新接线，调节可调电阻，发现可调电阻阻值在10K左右时，可实现对应功能，以下电路中都使用10K电阻。实验二：PNP型管9012直接调换NPN型管9013，发光二极管接在9012的发射极上，如图2。按原理分析，实现的功能应与原电路功能相反，即光亮时二极管亮，光暗时二极管不亮，实验结果也确实如此，但光亮时二极管只是微亮，亮度明显比上一实验低很多，即不能完全实现原电

中学课程辅导·教学研究 2018年17期2018-06-09
一种输出可调的三端稳压电路的设计
一路送到了T5的基极，另一路经R1、R2送到了T3、T4的基极。由于R4的负反馈作用，导致T6基极的信号变化比T2基极更为激烈。T6将此信号反相放大后加到了T5的发射极上，这样在T5的发射结上就得到了一个更大幅度的误差信号。T8、T9组成了1∶1的比例电流源，一方面作为T5的有源负载，另一方面，将T5放大后的信号传递到了T10的基极。误差信号也通过R2、R10被T7所放大。由于T5、T7都是反相放大，经过电流镜后，进入T10基极的电流为两个放大后信号之差。

现代工业经济和信息化 2018年5期2018-06-07
电子技术实践课程改革探索
于饱和状态，必须基极电流足够大，三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES＝0.7V（锗管UBES＝-0.3V），而UCES＝0.3V，可见，UBE＞0，UBC＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB＝0，此时集电极IC＝ICEO≈0（ICEO 为穿透电流，极小），UBE＜0，UBC＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。要使三极管处于放大状态，基极

数码世界 2018年5期2018-06-04
可控硅整流器及其测试技术
的集电极作为Q2基极的驱动，同时，Q2的集电极作为Q1基极的驱动。图1所示电路的特殊连接方式构成了正反馈，Q2基极电流的任何变化都将被放大并且通过Q1的反馈得到增强。这种正反馈将持续改变Q2的基极电流直至两个晶体管都进入饱和或者截止状态。一方面，如果Q2的基极电流增加，则其集电极电流也增加，从而使Q1的基极和集电极电流增加，Q1集电极电流的增加将会进一步增大Q2的基极电流。这种放大反馈作用会一直持续到两个晶体管均达到饱和，此时，电路的功能类似于闭合的开关。

视听 2018年4期2018-05-09
调幅信号的产生方法及电路仿真研究
法有集电极调幅和基极调幅。3 低电平调幅电路及其仿真平方律调幅是利用电子器件的伏安特性曲线平方律部分的非线性作用进行调幅；斩波调幅是将所要传送的音频信号按照载波频率来斩波，然后通过中心频率等于载波频率的带通滤波器滤波，取出调幅成分；模拟乘法器调幅是将所要传送的信号与载波信号相乘，然后通过中心频率等于载波频率的带通滤波器滤波，取出调幅成分。平方律调幅电路所用的电子器件多为二极管，产生的AM波如图1（a）所示。改变调制信号的幅度或直流电源的电压值，将灵敏地改变

设备管理与维修 2017年5期2018-01-02
一种低温度系数高电源抑制比带隙基准
）提出了一种基于基极电流补偿的具有低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电压源结构，通过消除三极管基极电流对基准输出电压温度系数的影响，有效降低了基准的温漂系数，同时通过自偏置电流镜结构和滤波电容提高了基准在全频段的电源抑制比(PSRR)。Cadence中利用TSMC 0.18 μm工艺进行的仿真结果表明，在-55～125℃的温度范围内，得到9.1×10-6/℃的温漂系数，低频时的电源抑制比达到-80 dB。基极电流补偿；低温漂系数；高电源抑制比1 引言现代集

电子与封装 2017年12期2017-12-23
恒流激励型开关电源
功率开关晶体管的基极加入RC振荡回路。通过电容的充放电来改变基极电位使开关管产生自激振荡。同时又加入一个分流调整管，通过采样电路对输出电压进行采样，把这个采样电压通过分流调整管反馈回开关管，并影响开关管基极电流，通过改变开关管基极电流的大小来改变占空比，从而实现稳压的目的。但是由于振荡电路中的电压是直接由变压器感应而来，也就是说这个电压直接受到输入电压的大小而影响，这样的电路设计决定了该电路对输入电压的范围有了较大的要求，使得稳压范围相对变窄。2 恒流激励

时代农机 2017年9期2017-12-08
用于反激式变换器的BJT功率管驱动电路的设计
精确复制到功率管基极；针对BJT管较慢的开关速度，配合数字控制，缩短功率管状态转换所需时间，降低了功率管损耗。在CSMC 18 μm 18 V工艺下，利用Hspice软件进行仿真，结果表明，BJT功率管工作在饱和区，开关转换速度增强，满足了反激式变换器对BJT功率管开关速度的要求。反激式变换器；BJT功率管；驱动电路；数字控制；饱和区；开关转换随着数码电子产品的井喷式发展和国家对LED照明技术的重视，反激式开关电源市场日趋成熟。数字控制技术由于其设计可复用

电子元件与材料 2017年6期2017-10-14
一款增益可调且平坦的超宽带低噪声放大器*
连接晶体管Q1的基极,新型偏置bias2连接晶体管Q2的基极。Cbe1、Cbe2分别为晶体管Q1、Q2的基极与发射极之间的结电容,Rbe1、Rbe2分别为晶体管Q1、Q2的基极与发射极之间的等效电阻,gm1、gm2分别为晶体管Q1、Q2的跨导。图2 FTG UWB-LNA的输入级电路图及其等效小信号电路图根据图2(b)的小信号电路图,输入阻抗可表示为:(1)为了实现良好的宽带输入阻抗匹配,需要满足下列条件:(2)Rbe1≈50Ω(3)此外,由于晶体管Q2结

电子器件 2017年2期2017-04-25
浅析单管共射放大电路组成及静态工作点的设置
极的电位就可以比基极的电位高。简言之，+VCC可以保证集电结处在反向偏置。所以+VCC起到了两个作用：一是使得发射结处于正向偏置，b、e 之间的电压大于死区电压；另一个则是使集电结处于反向偏置。这也是三极管处于放大作用的两个外部必备条件。也就是说，+VCC可以提供满足三极管放大作用的外部必备条件。再来谈谈放大电路中电阻的作用：Rb叫做基极回路电阻，它的作用就是和+VCC共同确定一个合适的IB。Rc叫做集电极电阻，在整个电路中，起到非常重要的作用。它把三极管

广东教育·职教版 2017年1期2017-03-04
强电磁脉冲对双极型晶体管的毁伤效应研究
、C、E分别表示基极、集电极和发射极,P、N分别为p型掺杂和n型掺杂,N+表示n型重掺杂,ad=9μm,de=3.7μm,ab=cd=2μm,其中掺杂分布如图1(b)所示。3.1 集电极注入从集电极注入频率为3GHz,幅度为40V的电磁波,器件内5ns时的温度分布如图2所示,温度的峰值点出现在发射极的边缘,另外在基极附近以及发射极和集电极之间的区域内也有较多热量产生。图2 从集电极注入时器件内温度分布图3 从集电极注入时器件烧毁和失效时间与电压幅度、频率的

舰船电子工程 2017年2期2017-03-03
上海研达调频发射机故障简析
导通直至TR-2基极为高电平。则TR-2集电极为低电平。直至1/4C1-2的同相输入端5脚，那么输出端2脚也为低电平。至TR-1的基极为低电平，TR-1集电极也为低电平。直至栅压增益，增益不够使功率降为半功率状态。1.2 末级故障报警末级功放（600 W功放）出现故障时，D24变为红灯，整机降为半功率。图1中的电路流程原理为：高电平由“末级报警PA”处进入，经过L10和R47至1/4C1-4的第8和第9脚，同时输入高电平。由于是或非门电路，所以它的输出10

无线互联科技 2016年21期2016-12-10
警报！有人“搬”书
为例，我们定义从基极B到发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C到发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向全部都是从发射极流出的。不要小看三极管的放大作用。集电极电流会受基极电流的控制，基极电流很小的变化，会引起集电极电流发生很大的变化，且变化还满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十、几百）。如果我们将一个变化很小的信号加到基极跟发射极之

科学Fans 2016年6期2016-07-25
PT对称晶格势中的光孤子传输特性的研究
T对称晶格势中的基极和二级光孤子。研究表明，两种孤子功率都随着传播常数的增加而增大，随着调制深度的增加而减小。二极孤子内部的排斥力作用导致光束在PT势中分裂成四极孤子。而对于PT 晶格势，当实部的晶格调制系数V0增大时，PT势的相对强度的带隙结构发生变化，PT强度呈波浪式增大，而孤子在低能量区域是稳定的，高能量区域不稳定。改进的平方算符法；分步傅里叶算法；多极光孤子；PT对称势孤子又是一种特殊的超短脉冲，孤立波是一种在传播过程中保持形状、速度、幅度不变的脉

湖北科技学院学报 2016年12期2016-03-04
一种低温度系数带隙基准源设计
）采用两个三级管基极－发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS工艺中，三级管的正向电流放大倍数β很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响，带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题，提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用TSMC 0．25μm工艺，经过spectre仿真验证，进行－55℃－125℃的温区扫描，基准随温度变化范围为1．85mV，相应的温漂系数为8．44ppm／℃，加入基极电流补偿

微处理机 2015年4期2015-12-16
浅谈晶体三极管开关速度的提高*
制型开关器件，当基极有驱动电流时晶体管工作在饱和状态等效于开关的导通，当基极没有驱动电流时晶体管工作在截止状态等效于开关的关断。1 晶体三极管的开关过程假设晶体三极管是一个理想的开关元件，其饱和状态等效开关的闭合，截止状态等效开关的断开，开关是闭合还是断开主要取决于晶体三极管发射结的偏置情况。当发射结正向偏置时，晶体三极管工作在饱和状态，等效开关闭合;当发射结反向偏置时，晶体三极管工作在截止状态，等效开关断开。实际问题中，晶体三极管并非理想的开关元件，它从

河南工学院学报 2015年2期2015-06-23
RCC电路间歇振荡分析与改进研究*
入电路主管Tr1基极。当达到并超过 Tr1的阈值电压时，Tr1开始导通，这里的电流 ig称为起动电流，电阻 Rg称为起动电阻。1.1.2 开关管Tr1处于ON状态当Tr1处于ON状态时，Vce非常小，可忽略不计。由图1可知Vb与主管导通的极性一致，所以主管 Tr1在Vb的作用下维持导通状态。令主管Tr1基极与发射极之间的压降为Vbe1，二极管 D2的正向压降是 Vf2。初级绕组 Np的压降为 Vin，绕组 Nb的分压 Vb如式(1)，基极电流 Ib如式(2

电子技术应用 2015年3期2015-02-23
高频功率放大器调制特性分析
了分析。结果表明基极调制比集电极调制所需的调制功率更小，与理论分析一致；与传统实验相比，仿真分析结果形象直观，容易理解，仿真实验更能激发学生的积极性和主动性。高频功率放大器；调制特性；Multisim；仿真实验0 引言高频功率放大器是通信系统发送设备的重要组成部分[1⁃2]。它的主要功能是可以提供足够大的高频输出功率，以便将信号通过天线辐射出去。高频功率放大器的另外一个作用是可以构成高电平调幅电路，利用调制信号控制放大器的输出，这样既可以实现调幅，又能够兼

现代电子技术 2015年3期2015-02-21
三极管共基极放大电路分析
张坦通三极管共基极放大电路分析河南牧业经济学院信息与电子工程系张坦通目前大部分教材在讲解三极管放大电路过程中，对共基极放大电路的分析不是太全面，甚至忽略不讲，因此，本文主要对共基极放大电路进行了讨论，并分析了共基极放大电路的性能指标，最后，总结了共基极放大电路的特点及其应用。共基极放大电路；静态工作点；稳定性；性能指标0 引言目前大部分教材都把基本放大电路作为基本内容，基本放大电路分为共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路三种形式，其中以共

电子世界 2015年24期2015-01-16
一种多路输出兼做辅助电源的稳压电源设计
电流供给调整管的基极，而比较放大电路供不出所需要的大电流，另一方面，调整管需要有较高的电流放大倍数，才能有效地提高稳压性能[2]，但是大功率管一般电流放大倍数都不高。解决这些矛盾的办法，除了使用复合管，还通过给原有的调整管再配上一个辅助电源，增加其抗干扰能力，并提高基准电压稳定性。串联反馈型稳压电路实际上是一个闭环反馈，具有执行元件和反馈支路，包括取样电路、基准电压源、误差比较放大器及调整管单元电路[3]。取样电路取到电压值后与基准电压比较，比较后的误差信

电子设计工程 2014年9期2014-03-16
XJJ-1型心脏除颤仪放电故障维修实例
24V。再检测其基极电压，在按下和不按下除颤按钮时，基极电压无变化。说明功放管2BG9前级没有送来触发信号，顺触发信号走向检测2BG7、2BG5、2BG4各极电压，发现均无变化。说明除颤控制信号根本没有送到2BG4来。在不按除颤动钮时，2BG4基极的电压应为其基极所接的稳压二极管2BG11(2CW12)上的电压，在按下除颤按钮时，该电压通过电阻器2R16接地。按下除颤钮后，除颤控制信号送不到2BG4基极来，2BG4基极对地形不成回路，也就放不了电。根据以上

医疗装备 2014年7期2014-03-10
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理*
极接法中,信号从基极输入,从集电极输出.因此,强电磁脉冲(EMP)最有可能从基极和集电极耦合进入电路,对其造成干扰或破坏.针对EMP从集电极注入的情况,国内外已有不少相关研究[1-11],而针对EMP从基极注入的情况报道却较少[12,13].文献[12]借助二维数值仿真研究了EMP分别从集电极、发射极和基极注入时晶体管的瞬态响应,通过分析BJT内部温度分布得到了基极注入最难烧毁的结论,但是并未计算出基极注入时的烧毁时间和损伤能量,因此该结论的正确性有待进一

物理学报 2013年6期2013-09-25
栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应
会导致双极晶体管基极电流增加和电流增益减小。由于双极器件和电路中存在低剂量率辐照损伤增强效应，使其在卫星和航天器上的应用受到了限制[1]。自低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)发现以来，国内外开展了大量工作，研究双极器件的低剂量率辐照损伤增强效应及其失效机理，但是多数都是对试验现象的定性分析，对感生电荷的定量分离一直是研究的难题[2-5]。自1993年Koiser及其同事利用栅控二极管研究辐照感生电荷[6]，到1999年Barnaby提出栅控双极晶体管的

核技术 2012年11期2012-09-23
半导体三极管的识别和检测
发射极（e极）、基极（b极）和集电极（c极）。发射区和基区在交界处形成发射结；基区和集电区在交界处形成集电结。根据半导体各区的类型不同，三极管可分为NPN型和PNP型两大类，如图1（a）、（b）所示。图1 三极管的结构符号及等效电路2.三极管的电流放大作用三极管最基本的作用是电流放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β，即当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极

职业技术 2011年12期2011-10-30
一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器
和Cf串接Q1的基极与集电极之间形成反馈环路进一步减小低频增益，提高 PA的稳定性。传统单片集成 PA采用片外电感和电容作为输出匹配元件和集电极扼流圈以减小损耗[5,6]，但片外元件使面积和成本显著增加。工艺所提供的片上螺旋电感在2.4 GHz工作频率Q值超过12，且直流阻抗较低。本设计中采用片上螺旋电感和MIM电容，以实现全集成的PA。3 SiGe BiCMOS PA自适应偏置电路设计目前已有多种 PA线性化技术报道，比较常见的有包络恢复和消除技术、包络

电子与信息学报 2011年12期2011-09-19
SiGe HBT射频噪声模型研究
iGe HBT的基极电流和集电极电流噪声的模型有van Vliet模型[1]和transport模型[2]。它们都建立在对基极少数载流子的输入非准静态效应进行建模的基础之上，而对现代的双极型晶体管而言，载流子在基极和集电极的空间电荷区传输延迟可比基极渡越时间，甚至要大于后者。因此为了更精确的模拟晶体管的高频噪声特性，需要在晶体管高频噪声模型中加入基极集电极空间电荷区传输延迟效应。1 扩展的van Vliet模型和transport模型根据基本的器件物理，当

通信技术 2011年10期2011-08-11
简易测谎器的制作
管中集电极电流随基极电流的变化而变化，我们这里采用的晶体管的电流放大系数为120-240。根据我们学到的晶体管知识，我们知道，发射极电流值，应该为基极电流和集电极电流之和。所以，晶体管基本工作为以下3点：1）若基极电流变化，集电极电流也相应发生变化；2）基极电流比集电极电流小得多；3）基极电流+集电极电流=发射极电流。3.2 将阻值变化转换为电流变化我们看到，图1中基极什么也没连接，所以集电极中无电流流动，若将两个测试端子的两端短路，通过R1有一定电流（称

科技传播 2011年13期2011-04-14
基于ATLAS新型硅磁敏三极管特性仿真研究
向电场的作用，与基极注入的空穴复合，即形成基极电流Ib。当B＞0T时，如图2（b）所示，e－i－b作为n＋－i－p＋型长基区硅磁敏二极管，在外加磁场且B＞0T时，发射极注入的电子和基极注入的空穴受到洛仑兹力的作用，载流子向发射极e一侧偏转，大部分在基区复合掉，使载流子有效寿命减小，致使有效扩散长度减小，基区内压降增大，n＋－i和p＋－i结压降减小，使载流子输运到集电结的数量减小。故集电极电流Ic减小。当B＜0T时，如图2（c），e－i－b作为n＋－i－p＋

黑龙江大学工程学报 2011年4期2011-03-19
接口电路中的抗干扰技术
由两个电阻组成(基极泄漏电阻和将VA与基极连接的限流电阻)[1].按常规，为防止印制板上通过寄生电容耦合到晶体管基极的微秒级以下的干扰，泄漏电阻接≤0.1μF的旁路电容[2].近年来随着星上总体测试新需求的提出，抗干扰能力的要求也不断提高，提出克服毫秒级的脉宽干扰信号的要求，常规的接口电路不再适用.本文设计了如图1所示的接口电路(其中Q1是继电器驱动电路中被驱动的晶体管，Rbe是泄漏电阻)试图满足这种需求.图1(a)不限制驱动基极的电流脉宽，即驱动电流与V

空间控制技术与应用 2010年4期2010-12-11
自激多谐振荡器的电路仿真与应用
三极管 BG1的基极耦合的一侧产生“负跳脉冲”，促使三极管BG1迅速截止。电路由此进入了自激振荡的过程，两个暂态交替进行。正是由于相同类型的器件上微小的不同，使得“对称”的电路开始“振荡”。1）暂态一：三极管BG2饱和导通，电容器C2开始放电（反向充电），三极管BG1截止，电容器C1开始充电。现象为LED2发光，LED1熄灭。前一时刻，C1放电完成，放电结果使得C1与BG2基极耦合的极板电位提升至0.7V，导致BG2由截止状态转向饱和导通状态，BG2的饱和

山东电力高等专科学校学报 2010年1期2010-07-23
数字卫星接收机开关电源的检修方法与实例
04加到Q101基极,提供启动工作电压,于是Q101导通,流经T102初级绕组①--②产生感应电势,在磁耦合作用下,反馈绕组③--④产生一个③正④负的脉冲电压,③脚的正脉冲通过D104、C107、R104加到Q101基极,使Q101基极电压进一步增大,开关管Q101进入饱和导通。在此期间,C107被充电,电容两端右正左负,Q101基极电位不断降低,迫使Q101截止,此时C107通过Q102的c--e结与T102的③--④绕组放电,这样周而复始地不断进行,完

卫星电视与宽带多媒体 2009年17期2009-10-13
欠压／过压锁定
Z1注电到Q1之基极，这样使Q1导通、因而拉下该Gate In/PC引脚及把模块停止下来。Q1保持导通直至该输入电压，经过R3及R4分压后，达到1.24V，此1.24V为U1(TLV431)之参考电压。当这情况发生时，U1从Z1之阴极分流电流并把该点拉到约1V；这就相应拉低Q1之基极强使它截止并启动模块。R2防止Z1之漏电流作用而把Q1拉出截止区。当该Gate In/PC引脚走向高电压时，反馈电阻(R5)拉高U1的参考电压，因而在该电路上加进磁滞效应。当G

电子产品世界 2009年8期2009-09-05
快乐ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩电黑屏故障检修
，测量三个视放管基极和发射极电压均为7.6V左右，反偏截止；将显像管加速极电压调高后，出现纯净的白光栅，但有回扫线，说明显像管供给中、高电压正常，判断故障在解码和亮度电路。该机为东芝TA二片机（TA7680AP和TA7698AP），微处理器为TMP47C433AN。查扫描、解码电路TA7698AP的脚12V供给电压正常（见附图），亮度控制端脚电压为4V左右，且随亮度调整上下变化， TA7698AP内部亮度电路输出端23脚电压为8V，随亮度调整也有相应变化，

电子世界 2004年1期2004-03-14

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