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集电极

  • 一种基于双极工艺的大电流高输出电阻恒流源
    曲线的延长线与集电极-基极电压轴的交点[4-5]；IC为P2 的集电极电流。可以看出，若要增大电流，势必要降低增益级输出电阻，从而降低运算放大器增益，同时降低密勒补偿等效电容。在原始电流一定的情况下，增益级需要提供的电流增大，P2 的面积也需要等比例放大，造成版图面积和寄生电容增加，这种情况在需要输出大电流的功率运算放大器中尤为严重。这种情况不但会造成性能的衰退，也会造成芯片面积的增加，这与低成本、小型化的需求[6]是矛盾的。3 改进型恒流源电路结构及直流

    电子与封装 2023年12期2023-12-31

  • 兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
    面通过优化选取集电极金属提升器件的击穿特性,另一方面通过采用衬底偏压结构优化设计,在保持较高击穿特性的同时增大器件的电流增益。1 器件建模对于BCPT而言,为了形成npn型器件,在电极金属和Si厚度选取方面需要满足如下条件:1) 发射极金属的功函数φmE需要满足φmEχ(Si)+Eg/2,其中:χ(Si)为Si的电子亲和势;Eg为Si的禁带宽度。2) 未掺杂的Si层厚度需要小于Debye长度LD[3-4],LD为(1)式中:ε(Si)为Si的介电常数;uT

    北京工业大学学报 2023年11期2023-11-13

  • 弗兰克-赫兹实验集电极电流微分测量分析
    能量,通过测量集电极电流变化推断原子激发电位. 常规方法可观测到的实验现象普遍包括:1)随集电极电位VP增大,集电极电流IP的起始第二栅极电压VG2升高;2)随VP增大,IP-VG2曲线整体下移;3)随VP增大,IP-VG2曲线中的IP谷电位或峰电位向VG2高电压端移动;4)即使VP高于原子激发电位,仍可清晰地观测到IP-VG2的变化规律;5)在VP恒定的条件下,IP-VG2曲线随VG2增大呈现类周期振荡上扬;6)原子激发电位随VG2升高而逐渐增大(激发电

    物理实验 2023年9期2023-10-16

  • 近似等效法在高频电子线路教学中的应用与探讨
    增加时，基极与集电极之间的容抗变小，此时使用近似等效法，基极与集电极之间形成一个有效通路，如图2所示，集电极上的电流会有一部分通过该通路泄露到基极上去，造成基极电压升高，根据晶体管是将基极电压放大为集电极电流原理，使得更进一步放大升高后的信号，形成一种类似于正反馈机制，使得晶体管从线性区迅速过渡到非线性区，进而使晶体管失去放大能力。图2 高频下晶体管极间电容近似等效以上的分析说明了电子线路对频率高低敏感的原因之一，了解了晶体管对高频信号影响之后，在实际的电

    电子制作 2023年2期2023-03-01

  • 基于RS 触发器的危险区域安全保护装置
    基极电位降低，集电极电位升高，因此三极管T2的基极电位升高，集电极电位降低，在KA 两端产生电压差，其线圈得电，常开触点吸合，M 断电、停止运转，发光二极管VD 及SP 得电，分别发出灯光示警和声音示警。当人离开M 运转区域时，R1受到的光照增加，阻值减小；T1的基极电位升高，集电极电位降低，因此T2基极电位也降低，集电极电位升高，KA 两端没有电压差，其线圈掉电，返回常闭触点，M 正常运转；SP 停止，实现电机的自动控制[3]。图1 无RS 触发器安全保

    宁夏工程技术 2022年4期2023-01-31

  • 一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT
    T 背面的P+集电极区引入部分N+区，在IGBT 体内集成续流二极管。RC-IGBT 不仅实现了逆导能力，而且可以减少引线带来的寄生电感并减小系统体积，因此被广泛应用［4-5］。但是传统的逆导型IGBT 在正向导通时往往存在电压折回现象。这是由于RC-IGBT 引入的集电极N+区会使器件在集电极电压低时工作在单极型导通模式，随着集电极电压的增大，器件才进入双极型导通模式。从单极型导通向双极型导通模式转换时，由于电阻的下降，电压发生折回现象［6］，这不仅影响

    电子与封装 2022年9期2022-10-12

  • 一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT 设计
    控IGBT 的集电极电压和电流的变化率(dVCE/dt和dICE/dt);同时受到IGBT 开启速度的影响,电路中的续流二极管(Freewheel Diode,FWD)的反向恢复速度也随之加快,导致FWD 反向恢复时的阳极电压变化率dVKA/dt过大,进一步造成集电极电流和电压的变化过快,最终在系统中引发较为严重的电磁干扰EMI 噪声问题,对器件及应用系统的可靠性产生不利影响,这种情况在小电流应用环境中尤为明显[4]。EMI 噪声的主要来源是开启瞬态较高的

    电子元件与材料 2022年8期2022-09-27

  • 集电极调幅电路仿真分析
    430033)集电极调幅电路[1-2]是以丙类谐振功率放大电路为基础构成的，是输出电压幅度受集电极所加调制信号控制的高频谐振功率放大器，其输出调幅信号有较高的功率，是一种高电平调幅。理论上高频谐振功率放大器工作在过压状态时，调制信号和集电极电源电压共同作为放大器的有效集电极电源电压，即可在输出端获得AM调幅信号。如何调整电路参数，才能使高频谐振功率放大器工作于过压状态；如何设置集电极电源电压才能获得不同调制度的调幅信号；如何调整载波、集电极电压，才能获得不

    电气电子教学学报 2022年3期2022-07-30

  • 考虑非线性结电容的SiC BJT模型改进
    结电容和基极-集电极（B-C）结电容不连续等.考虑到准饱和效应，Y.Huang等［6］在电路仿真软件SABER中建立了SiC BJT 的GP 模型，但该模型未考虑温度以及 SiC/SiO2界面复合效应的影响 .Johannesson 等［7］在PSpice 中建立了1200 V/800 A 的4H-SiC BJT行为模型，该模型考虑了温度的影响，并研究了杂散电感、基极电阻、器件内部建模参数、载流子寿命、发射极掺杂等对开关损耗的影响，但该模型未考虑SiC/S

    湖南工程学院学报（自然科学版） 2022年2期2022-07-02

  • 民用航空气象设备执照问题解析
    是发射极 C.集电极D.发射极(C)晶体管有三种工作状态：放大、饱和和截止。以NPN型三极管为例，截止状态为当加在三极管发射结的电压VBE小于PN结的导通电压，这时基极电流等于零，集电极电流、发射极电流均为零，三极管失去了对电流的放大作用，集电极和发射极之间处于断开状态，称三极管处于截止状态。放大状态为当加在三极管发射结的电压VBE大于PN结的导通电压，并处于某一合适的值时，三极管的发射结正偏，集电结反偏，基极电流控制集电极电流，使三极管产生电流放大。其电

    黑龙江科学 2022年8期2022-04-28

  • 抑制或消除RC-IGBT 回跳现象的技术发展概述
    详细研究了p+集电极区宽度对电压折回以及正、反向导通电压的影响。英飞凌(Infineon)是最早推出产品的公司之一,先后于2003 年、2007 年前后和2010 年之后陆续推出3 代产品,2010 年英飞凌首次推出应用于低压低功率场合的RC-IGBT。飞兆半导体(Fairchild)于2010 年和2013年推出2 代产品。以上产品主要定位在中低压家电领域(额定电压600～1600 V)。在中高压领域,2012 年ABB 研制出了3300 V BIGT

    电子元件与材料 2022年2期2022-03-09

  • 基极调幅电路性能仿真分析
    如何调整载波、集电极电压，才能获得不失真的调幅信号，如何增大输入调制信号的动态范围等问题，都是高电平调制电路仿真测试时遇到的难点。对于基极调幅电路的仿真，调整丙类谐振功率放大器的欠压、过压、临界3 种工作状态是基础，在此基础上进行不失真的调制则是重点和难点。关于丙类谐振功率放大器电路[3-5]设计、仿真、测试等方面研究较多，基于模块功能的普通调幅解调系统仿真[6-9]也较容易实现，但是对于基极调幅电路的仿真测试研究文献相对较少。文中引入LTspice 仿真

    电子设计工程 2022年4期2022-02-27

  • 基于VEe反馈控制的大功率IGBT软开关驱动策略
    献[3]提出的集电极-发射极电压VCE退饱和技术，利用二极管来检测集电极-发射极电压VCE，这种方法结构简单，但是当IGBT发生硬短路时，IGBT一直工作在线性阶段，较长的检测时间导致IGBT过电流引发的过热，烧毁IGBT。文献[4]提出的FPGA数字式闭环控制方法，采用数字编程处理器，控制方便灵活，提高了系统集成度，但是由于需要将模拟信号转换为数字信号，即D/A转换，对反应速度要求在几微秒的IGBT来说存在较大延迟，而且由于利用了数字处理器，电路复杂，成

    制造业自动化 2021年9期2021-09-29

  • 变压器反馈式晶体管L C振荡器的阻值选择及形式演变*
    原因。1 减小集电极电阻，降低输出电阻对电压耦合的影响参数调整的实验表明，无法产生正弦波的原因不在于放大倍数A，不在于反馈系数F，因为AF＞1满足起振条件；也不是因为不满足正反馈，因为电路满足相位条件。问题出在放大环节和反馈环节的耦合上面——晶体管放大器的集电极电阻构成了放大器的输出电阻，它会影响放大器输出电压的能力。从反馈环节的输入端来看，放大器相当于一个理想电压源和一个内阻的串联（即一个实际电压源），而这个内阻的大小取决于集电极电阻Rc的阻值。Rc越大

    广西民族大学学报(自然科学版) 2021年2期2021-08-18

  • 栅射极并联电容对大功率IGBT开通过程的影响*
    的情况下，高的集电极电流变化率易导致IGBT模块在短路时超过其安全工作区而损坏［2］。文献［3］分析了栅极电阻对IGBT开关过程中的影响，指出门极电阻的减少能够降低IGBT的开通损耗，但是会产生更高的dic/dt，单纯改变栅极电阻往往无法做到既优化开关特性又降低开通损耗，文献［3］指出在栅射极并联电容可以平衡这一对矛盾体，但是未针对这一对矛盾体的影响展开详细说明。常规的中高压大功率IGBT往往通过引线式连接对应的驱动板，因此不可避免的引入了栅极引线电感［4

    铁道机车车辆 2021年3期2021-07-12

  • 差动放大器实验研究与探索
    在两个晶体管的集电极得到输出信号。差动放大器中采用双电源供电即UCC和-UEE,一方面可以给两个晶体管的基极提供电流IB1和IB2,另一方面可带动更高的射极电阻RE;T1和T2这两个晶体管的射极通过一个阻值较小滑动变阻器RP可以对电路进行调零,同时接入射极电阻RE,构成了共射极放大电路。电阻RE的阻值越大起到的抑制零点漂移作用也越大,接入负电源[5]用来补偿电阻RE的直流电压。差动放大器电路图如图1所示。图1 差动放大器实验电路图当差动放大器单端输出时,即

    太原学院学报(自然科学版) 2021年1期2021-04-22

  • 基于晶体三极管的放大电路分析
    三极是发射极、集电极以及基极。在三极NPN的情况下，通过在硅片上生长的掺杂工艺在三极管上形成两个PN结，并在不同的偏压下控制两个PN结的开关控制。电压和电流放大效应大大加快了电子技术的发展。晶体的三极管分为不同的类型，根据制造材料分为锗管和硅管，根据结构不同可分为PNP管和NPN管。把微弱的电信号按一定倍数放大。它还具有开关作用，用来构成多种脉冲与数字电路。它体积小、能耗低、价格便宜，已广泛应用于电子线路中。2 不同组态的三极管放大电路根据三极管电路中的连

    中国设备工程 2021年24期2021-04-03

  • 一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究
    退火后得到P+集电极；(4)去除过渡层并翻转SiC基片，利用成熟UMOSFET工艺形成沟槽栅MOS结构；(5)淀积金属，形成良好欧姆接触的电极。表1 C-TIGBT与N-TIGBT结构参数Table 1. Structural parameters of C-TIGBT and N-TIGBT1.2 4H-SiC N-TIGBT工作原理4H-SiC N-TIGBT的设计初衷在于改善4H-SiC C-TIGBT关断能量耗过大的问题，同时尽量不影响器件其它特性

    电子科技 2021年1期2021-01-07

  • 汽车电子电气基础知识详解(五)
    、基极(B)和集电极(C)。电荷载体从发射极移动到基极(发射出去)并由集电极吸收。因此晶体管有两个PN结，一个位于发射极与基极之间，另一个位于集电极与基极之间。图67 晶体管的电路符号1.工作原理下面以一个NPN晶体管为例介绍工作原理。PNP晶体管的工作原理相同，但电流流动方向相反。如图68是一个晶体管及其三个接头(发射极、基极和集电极)的工作原理图。图68 发射极电路中的晶体管工作原理发射极内有很多电子，基极内只有少量空穴(缺陷处)。在正电压UBE的作用

    汽车维修与保养 2020年6期2020-10-24

  • 基于高频谐振功率放大电路分析的仿真教学研究
    作状态的设置、集电极余弦脉冲波形的产生、LC谐振回路的窄带选频特性、电路的3 种状态、电路高效率的获得和电路的四大特性. 在高校教学改革的新形势下，课程学时数普遍缩减，用于高频谐振功率放大电路的教学通常在4 学时左右. 如何在有限的学时内讲清楚这个重要的高频电路，相关学者开展了大量的教学研究. 朱高中等［1－4］将Multisim 软件用于高频谐振功率放大电路的分析，采用Multisim 软件的电路设计、虚拟仪器测试、仿真分析等功能，深入分析了高频谐振功率

    广东第二师范学院学报 2020年5期2020-10-10

  • 聚焦深度学习的课堂任务设计
    只给出了三级管集电极和发射极的电压3V。多数学生也能正确回答是放大状态。最后小题，仅仅给出了NPN型三极管的电路图，没任何的数据，学生的出错率就高了。从这个小题看出，学生抓不住隐藏的信息，就像一个会点武功的人，会的招式很多，但是却很找不到对手的破绽，不能一击即中。从这里开始，我并引导他们仔细观察做过题目，总结做题规律，得出快速的解题技巧或方法。难度提升：设计意图是通过题目当中的变量分析，引导学生抓住不变的量，进行发散性的思考，碰撞出思维的火花，拓宽解题的思

    数理报（学习实践） 2020年29期2020-09-10

  • 垂直腔面发射激光器与异质结双极型晶体管集成结构的设计和模拟
    型中加入了过渡集电极.首先将HBT导通,电流由发射极流向过渡集电极,然后增大过渡集电极与N型电极之间的电压,使VCSELs导通且把过渡集电极的电流降为零.由于过渡集电极的电流为零,在实际结构中可以将其移除.模拟结果表明,当电流增益系数为400时,基极电流对输出光功率的最大调制率达到280 mW/mA.本文所设计的集成结构及其模拟方法对光电集成器件(opto-electronic integrated circuit,OEIC)具有一定的指导作用.1 引 言

    物理学报 2019年20期2019-10-25

  • 不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取
    el 曲线，即集电极电流IC和基极电流IB随发射结电压VBE的变化曲线。图6 则为TA4 晶体管的交流测量曲线，粗略估计其截止频率fT约为8GHz。图6 TA4晶体管交流测量曲线4 参数提取及Gummel图分析4.1 非理想因子n的提取晶体管中集电极电流和基极电流皆满足如下公式[5]：其中I0为反向饱和电流，n 为非理想因子，VT为热电压，进而有：因此，Gummel 曲线可变换得到n 随VBE变化的曲线，如图7、图8。图7 TA4集电极电流变化曲线图8 T

    微处理机 2019年1期2019-04-09

  • 高频谐振丙类功率放大器仿真分析
    输出功率和高的集电极效率，一般将电路设置为丙类工作状态[4]，即半通角θC1 仿真电路的搭建Multisim软件是一款基于Windows的仿真软件，由美国国家仪器(NI)有限公司推出，被誉为计算机里的电子实验室[7-9]。Multisim 13.0是该软件的一个新版本。该软件具有庞大的元器件模型参数库和功能齐全的仪器仪表库，能够完成交流分析、瞬态分析、傅立叶分析、参数扫描等十几种电路分析功能，实验速度快,效率高。根据高频谐振丙类功率放大电路的要求，在Mul

    长春师范大学学报 2019年2期2019-02-27

  • 基于Multisim13的高频谐振功率放大器仿真研究
    仿真，主要进行集电极脉冲波形观察、频谱分析，可以克服试验箱不易观察集电极脉冲的情况；实验箱进行负载特性分析的时候测量电阻需要断电测量，比较麻烦，而且不够准确，本文使用Multisim的参数分析进行负载特性分析，集电极特性分析，方便，快捷，准确，直观.运用瓦特表进行输出功率的测量，计算效率.1 高频功率放大器的原理高频功率放大器也称丙类功放，它是一种能量转换器件，可以将电源供给的直流能量转换为高频交流输出.高频谐振功率放大器是无线通信系统发送端的重要组成部分

    赤峰学院学报·自然科学版 2018年8期2018-09-23

  • IGBT暂态实时仿真模型
    压，Vce0为集电极与发射极在IGBT截止稳态下电压，Vces为集电极与发射极在导通下电压，Ic为集电极电流，Ic0为集电极在导通稳态下电流，Vth为IGBT开启电压。图1 IGBT开通过程IGBT开通过程划分为4个阶段，对于各个阶段IGBT的状态分析如下：阶段Ⅰ（t0～t1）：在驱动电源作用下，栅-射极电压Vge开始上升，在t1时刻到达开启电压Vth。这个时间段内，IGBT尚未导通，集电极电流Ic为零，集-射电压Vce为直流母线电压Vce0。阶段Ⅱ（t1

    机电信息 2018年27期2018-09-21

  • 以“实”为证、以“理”服人开展通用技术教学尝试 ——以NPN型三极管与PNP型三极管置换为例
    么负载必须接在集电极上，而不能接在发射极上。二、以“实”为证实例：光控路灯模拟电路为实例器材准备：面包板一块，47K、10K、1K定值电阻各一只，光敏电阻MG47一只，S9012（PNP型）、S9013（NPN型）三极管各一只，发光二极管一只（绿色），电解电容器（16V，100uF），3V、6V电池组各一套，工作电压5V的电磁继电器一只，普通二极管一只，多用电表一只。实验一：按书本（苏教板P11练习）搭接电路，实测发现并不能实现光暗二极管亮、光亮二极管暗的

    中学课程辅导·教学研究 2018年17期2018-06-09

  • 电子技术实践课程改革探索
    极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES＝0.7V（锗管UBES＝-0.3V），而UCES＝0.3V，可见，UBE＞0，UBC＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB＝0，此时集电极IC＝ICEO≈0（ICEO 为穿透电流，极小），UBE＜0，UBC＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0＜IB＜IBS。三极

    数码世界 2018年5期2018-06-04

  • 可控硅整流器及其测试技术
    PN管，Q1的集电极作为Q2基极的驱动，同时，Q2的集电极作为Q1基极的驱动。图1所示电路的特殊连接方式构成了正反馈，Q2基极电流的任何变化都将被放大并且通过Q1的反馈得到增强。这种正反馈将持续改变Q2的基极电流直至两个晶体管都进入饱和或者截止状态。一方面，如果Q2的基极电流增加，则其集电极电流也增加，从而使Q1的基极和集电极电流增加，Q1集电极电流的增加将会进一步增大Q2的基极电流。这种放大反馈作用会一直持续到两个晶体管均达到饱和，此时，电路的功能类似于

    视听 2018年4期2018-05-09

  • 高压IGBT驱动1SP0635剖析
    测及短路保护、集电极有源箝位、欠电压保护等功能。图1 驱动器基本结构2.2 短路保护在1SP0635驱动上配备有Vce检测电路。由于内部有60 V电源，其基准电压可以达到50 V以上，如图2所示。此Vce检测电路采用电阻网络结构。IGBT关断时，内部MOSFET开通，Ca电位被箝在低电位，比较器不输出短路信号，当IGBT处于正常导通过程中，内部MOSFET关断，集电极电压给电容充电，电位接近IGBT通态压降。当IGBT短路时，退出饱和区，集电极电压升高，给

    科技与创新 2018年8期2018-04-25

  • 含变阻结构的线性光耦隔离MOSFET/IGBT高速驱动
    阻，R3为光耦集电极电阻，Uo为光耦输出信号。图1　线性四脚光耦常用隔离电路根据图1所示电路，光耦集电极电阻的不同值，以SFH610A-2四脚线性光耦为例，在实验室条件下当驱动信号的频率为43.2 kHz时，测得Uo的输出数据如表1所示。表1　光耦在集电极电阻值不同情况下的输出参数由表1中数据可知，当光耦集电极电阻值小于2 kΩ时，此时光耦不能完全开通；当光耦集电极电阻大于6 kΩ时，此时光耦不能完全关断。所以在以上两个电阻区间，光耦的输出信号不利于作为工

    通信电源技术 2018年1期2018-04-09

  • 调幅信号的产生方法及电路仿真研究
    幅的调制方法有集电极调幅和基极调幅。3 低电平调幅电路及其仿真平方律调幅是利用电子器件的伏安特性曲线平方律部分的非线性作用进行调幅；斩波调幅是将所要传送的音频信号按照载波频率来斩波，然后通过中心频率等于载波频率的带通滤波器滤波，取出调幅成分；模拟乘法器调幅是将所要传送的信号与载波信号相乘，然后通过中心频率等于载波频率的带通滤波器滤波，取出调幅成分。平方律调幅电路所用的电子器件多为二极管，产生的AM波如图1（a）所示。改变调制信号的幅度或直流电源的电压值，将

    设备管理与维修 2017年5期2018-01-02

  • 高频谐振功率放大器的仿真教学探究
    的教学，并选取集电极余弦脉冲电流和高频谐振功率放大器的设计这两大教学难点进行实例分析。选取这两个示例进行研究是具有代表性和必要性的，前者是高频功率放大器的研究基础，后者是理论与实际结合的体现，两个知识点都具有抽象难懂、需要借助电路分析的特点。本文通过采用Multisim仿真，将各傅里叶级数数值以电路方式合成，学生可以直观地观察到叠加后波形的变化，使集电极余弦脉冲电流的合成形象具体地展示。另外，设计出实际电路，学生能观测到各电路节点的参数和波形，并能验证课本

    电气电子教学学报 2017年5期2017-11-23

  • 感性负载条件下IGBT开通过程分析
    程中栅极电压、集电极电流、集射极电压随时间变化的特点及其相互关系。详细阐述了栅极电容随栅极电压变化的机理以及栅极平台电压产生的机理，分析了驱动电阻对栅极电压的影响。根据IGBT开通电流特点，提出用二次函数来拟合IGBT开通时的集电极电流波形，同时还分析了主回路杂散电感对开通波形的影响。搭建了IGBT动态开关特性测试平台，测量结果验证了本文分析的正确性。IGBT；感性负载；开通过程0 引 言绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar T

    华北电力大学学报(自然科学版) 2017年2期2017-04-21

  • 中波发射机A/D转换电路工作电压分析
    ）/R48），集电极电流IC约为2.3mA,集电极输出电压UC为－9.1V（UC=2.3mA×R50-22V），即为X7-7输出端开路时的工作电压。当X7-7输出端显示电路板时，工作电压将下降为－7V，此时A/D转换板-15V电压检测处于正常不关功放状态，并显示正常绿灯亮。如图1所示。图1　A/D转换板-15V稳压正常输出电路图－15V没有或低于某值时：设某值为UX,可以根据运算公式算出其值，＋5V电压和UX电压在N20C比较器反向端叠加电压U反≥同相端的

    数字传媒研究 2017年12期2017-04-03

  • 新型IGBT驱动策略在船用直流电网短路保护中的应用
    CE为IGBT集电极对发射级电压；VCC为门极驱动电压最大值；VEE为门极驱动电压最小值；Vbus为直流母线电压。在FUL情况下，IGBT的开通过程[11]见图3。图2 HSF情况下IGBT的开通过程图3 FUL情况下IGBT的开通过程3 di/dt与集电极电压VCE联合检测短路策略根据上述IGBT短路特性，采用一种di/dt与集电极电压VCE联合检测短路策略，其原理图见图4。该策略集合传统集电极电压VCE退饱和检测与di/dt检测的优势，可更加快速、准确

    中国航海 2017年4期2017-04-02

  • UPS的使用安装维护和运行
    栅极；发射极；集电极；整流；逆变DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.01.1111 UPS的工作原理和主要元件的保护UPS其工作原理是在正常的情况下输入回路向既向负载提供电源，要向UPS的电池充电，储备能量以备停电时向负载提供电源。当UPS内部故障或UPS必须进行保养维修，测试时能转换到旁路。输入电源通过旁路直接向负载供电。而负载不需中断。为了保证负载不间断的运行，就要保护主要元件，如果发现输入的电源回路断电或故障的时候，

    山东工业技术 2017年1期2017-01-24

  • 上海研达调频发射机故障简析
    意一只发射机与集电极短路时，或MJ11032由于其他原因使输出电压大于48.7 V时，整机降为半功率，电压表头指数变大。如图1所示，其电路流程原理为：高电平由“半功率报警HA”处进入，经过L11至D7，由于是高电平，D7导通直至TR-2基极为高电平。则TR-2集电极为低电平。直至1/4C1-2的同相输入端5脚，那么输出端2脚也为低电平。至TR-1的基极为低电平，TR-1集电极也为低电平。直至栅压增益，增益不够使功率降为半功率状态。1.2 末级故障报警末级功

    无线互联科技 2016年21期2016-12-10

  • 基于Multisim的LED花样电路的设计
    在一个晶体管的集电极和发射极之间，电源电压通常取5-8V，在具体的花样流水灯的套件测试过程中，所要的电压可能要更小一些，通常可用手机电池代替电源。每当电源刚接通的瞬间，3个晶体管要争先导通，但由于元器件存在差异，只有某一个晶体管先导通。假设晶体管Q1先导通，则Q1集电极电压降低，导致第一组（LED1-LED6）阳极电压降低，没有被点亮；与此同时，与Q1集电极连接的电容C1的左端电压接近0V，由于电容器两端的电压不能突变，所以与电容C1连接的晶体管Q2基极也

    电子世界 2016年18期2016-10-24

  • IGBT模块电气参数测试及分析
    30)针对不同集电极电流及开关频率下的开关过程设计并搭建了IGBT电气参数测试系统。试验测录了IGBT模块在开关过程中的电压、电流波形,对电压、电流波形进行数据处理,得到IGBT模块的开关时间和开关损耗;根据对IGBT模块的开关损耗进行分析,得到IGBT模块的开关损耗在随着集电极电流和开关频率变化的规律。IGBT模块;开关波形;开通时间;关断时间;开通损耗;关断损耗在新能源领域上,绝缘栅型晶体管(insulated gate bipolar transis

    西北大学学报（自然科学版） 2016年2期2016-10-10

  • 三种基本放大电路分析与比较
    由共发射极、共集电极或共基极基本放大电路通过一定的耦合方式组成，只要弄清楚了这三种基本放大电路，由它们构成的多级放大电路就不难理解和掌握。三种基本放大电路是模拟电路教学的重要内容。一、三种基本放大电路分析方法三种基本放大电路分析分为静态分析和动态分析，也称为直流分析和交流分析。在没有信号输入时，放大电路中各电流电压都是保持不变的直流量，称为静态，对静态的分析称为静态分析；当有交流信号输入时，输入的交流信号会叠加在直流量上在放大电路中进行放大和传输，这时电路

    安徽电子信息职业技术学院学报 2015年1期2015-12-04

  • 基于MATLAB的C类功率放大器设计
    角小于90°，集电极电流失真严重，输出端需要配置滤波网络，同时为了输出最大功率，还要实现阻抗匹配。匹配网络和滤波网络连在一起，相互影响，如果设计不当会使匹配网络降低作用，输出功率大打折扣，且波形失真不能消除，这是C类功率放大器设计的最大难点之一。本文将C类放大器的输出匹配和滤波网络转换为交流等效电路，求出等效电路的整体传递函数，利用MATLAB绘制传递函数曲线。通过分析传递函数在基波上的增益和谐波上的衰减情况，确定网络结构和元件参数，从而达到设计目的。该方

    网络安全与数据管理 2015年19期2015-09-21

  • 高频功率放大器调制特性分析
    表明基极调制比集电极调制所需的调制功率更小，与理论分析一致；与传统实验相比，仿真分析结果形象直观，容易理解，仿真实验更能激发学生的积极性和主动性。高频功率放大器；调制特性；Multisim；仿真实验0 引言高频功率放大器是通信系统发送设备的重要组成部分[1⁃2]。它的主要功能是可以提供足够大的高频输出功率，以便将信号通过天线辐射出去。高频功率放大器的另外一个作用是可以构成高电平调幅电路，利用调制信号控制放大器的输出，这样既可以实现调幅，又能够兼顾功率和效率

    现代电子技术 2015年3期2015-02-21

  • 共发射极放大电路反相原理的教学分析
    小的变化会引起集电极电流较大的变化。在上面的共发射极电路中，当输入端为正弦波的正半周上升过程时，三极管的基极电流是在随着这个过程上升的，根据公式Ic＝βIb可以知道，此时的集电极电流也是在上升的，根据欧姆定律Ur2＝IcR2，Ic在上升，Rc固定不变，那么Ur2就上升了，即：电源在集电极电阻R2上的压降就增大了，这一增大的后果就使得输出电压U0下降，根据U0＝Vcc-Ur2得出。从波形上看就是输出电压负半周下降的那一段，如图2所示。当电路的输入端为正弦波正

    电子世界 2015年15期2015-02-07

  • 高频小信号单调谐放大器实验设计
    谐是指放大器的集电极负载为调谐回路(如LC谐振回路)。这种放大器对谐振频率 f0信号具有最强的放大作用，而对远离 f0频率的信号放大作用很差，因此放大器不仅具有放大作用，而且还起着滤波或选频的作用。调谐放大器的频率特性如图1所示。图1 调谐放大器的频率特性1 单调谐放大器工作原理高频小信号调谐放大器按照晶体管的连接方式不同，分为共基极、共发射极和共集电极调谐放大器等，本设计以共发射极单调谐放大器为例，其原理电路如图2所示。图2 共发射极单调谐放大器原理电路

    中国现代教育装备 2014年23期2014-11-28

  • 基本放大电路工作波形的Multisim仿真
    压、基极电流、集电极电流、集电极发射极电压及输出电压等有关电量的波形，虚拟仿真实验结果与理论分析结果相一致。结论是仿真实验可直观形象地描述电路的工作特性，有利于系统地研究电路的构成及电路的工作过程。基本放大电路；工作波形；Multisim ；虚拟仿真共射极基本放大电路是模拟电子技术的基础电路[1]，电路中各电量用工作波形描述，可形象理解电路的工作过程。文中以Multisim10为平台[2-3]，设计了共射极基本放大电路工作波形的虚拟仿真实验，给出了电路中各

    电子设计工程 2014年3期2014-09-23

  • 一种IGBT集电极电压测量电路的设计
    )一种IGBT集电极电压测量电路的设计任强 孙驰 胡亮灯 陈玉林(海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室,湖北 武汉 430033)由于大功率IGBT开通和关断集-射电压具有跨度大的特点,现有的大功率IGBT驱动检测电路无法同时实现宽范围、高精度的测量。为此提出了一种新的IGBT集电极开通和关断电压集成的测量电路。该电路通过电阻分压网络实现IGBT关断电压的测量;利用驱动信号来控制电流源向高压隔离二极管注入微小电流使其导通,并对此二极管误差进行补偿

    自动化仪表 2014年9期2014-05-25

  • Vishay新款IGBT模块为太阳能逆变器和UPS提供完整集成方案
    0L120S的集电极到发射极的击穿电压为1 200 V，集电极电流达到30 A，适合三电平NPC拓扑。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三电平逆变器级，集电极电流分别为75 A和150 A，集电极到发射极的击穿电压分别为600 V和650 V，可在+175℃高温下工作。15A VS-ETL015Y120H适用于双路升压转换器，集电极到发射极的击穿电压为1 200 V，采用高效硅启动二极管，集成62 A旁路二极管、电池板短路全电流反

    电子设计工程 2014年20期2014-03-25

  • MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究*
    中可以看出，在集电极电压相同时，MCT具有更高的电流密度，这是由于在相同的集电极电压下，MCT具有更剧烈的电导调制效应，使得器件漂移区产生更高的载流子密度，另外正向导通后CIGBT的电流受正面NMOS沟道的束缚，而MCT不存在这种限制。当电流密度为50 A·cm-2时，MCT和CIGBT的正向压降分别为1.3 V和2.6 V，并且都表现出正的温度系数。图1 MCT和CIGBT的器件结构和等效电路图实际上，MCT和CIGBT的集电极电流可以表达为：其中，公式

    电子与封装 2014年6期2014-02-26

  • 一种干扰条件下的水底监测层网络体系结构
    安装的传感器和集电极视为运行在不同层。由于集电极层的节点数量大大小于传感器层的节点数量，通过分析不同节点间距之间通信频率与信噪比的关系，可分别求得传感器层与集电极层的最优工作频率，使其分别采用不同的通信频率进行同层之间的交互。由于信息传输频率和接收频率可以不同，设置集电极层的接收频率为传感器层的最优工作频率，集电极层在收到传感器层发来的消息后，采用本层最优工作频率将信息交付给上层。该方法可有效减少两个层次之间的通信干扰，仿真实验也验证了该方法的可行性。2

    计算机工程与应用 2014年15期2014-01-31

  • 差分放大电路的研究
    有发射极调零和集电极调零两种。图1所示的电路是带有集电极调零的差分放大电路。图2所示的电路是带有发射极调零的差分放大电路。2.集电极调零的差分放大电路的电路分析在图1所示集电极调零差分放大电路中，设电位器RP滑动端左边的电阻为R1，右边的电阻为R2。即有：R1+R2=RP。当电位器RP滑动时，流过负载电阻RL的电流I相应变化。由于0≤R1≤RP，所以当电位器滑动时，流过负载电阻RL的电流I的变化范围是：负载电阻RL的电压uO的调节范围是：3.发射极调零的差

    电子世界 2013年4期2013-12-10

  • 基于Multisim的高频谐振功率放大器仿真实验
    b控制了较大的集电极电流ic，ic流过谐振回路产生高频功率输出，从而完成了把电源的直流功率转换为高频功率的任务。为了使高频功放以高效输出大功率，常选在丙类状态下工作。由工作原理可得关系式。（1）外部电路关系式：（2）晶体管的内部特性：图2 谐振功率放大器原理图（3）（半）导通角：根据晶体管的转移特性曲线可得：2.2 高频功率放大器的特性曲线在高频功率放大器中根据晶体管工作的是否进入饱和区域，可把高频谐振功率放大器分为欠压、临界和过压3种工作状态，其高频谐振

    实验室研究与探索 2013年2期2013-05-16

  • 基于PSpice的IGBT擎住效应的仿真教学分析
    作为IGBT的集电极，形成PN结J1，由此引出的栅极和源极则与VDMOS完全相同(如图1所示)。P+区又称为漏注入区(Drain injector)，它是IGBT特有的功能区，起集电极的作用，向N+区注入空穴，进行电导调制，以降低器件的通态压降。使得高耐压的IGBT同时也拥有较低的通态压降，具有很强的通流能力；断态时，只有很小的泄漏电流存在。图1 IGBT元胞结构剖面图衬底到发射极构成一个PNP型晶体管，其基极到发射极由NMOS管控制。如果在栅极加上开启电

    中国现代教育装备 2013年17期2013-02-03

  • 半导体管特性图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定
    其是图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定。针对其检定的特殊性和复杂性，下文简要介绍通用的检定方法。1 工作正常性检查被检图示仪所有旋钮转动灵活，波段开关跳步清晰，定位准确。调整被检图示仪“辉度”、“聚焦”和“辅助聚焦”旋钮，被检图示仪的X轴、Y轴位移机构能使光点在屏幕有效工作面内作平滑移动。集电极扫描信号峰值电压的调节应连续均匀，极性正确。适当调整扫描“幅度”、X轴（VC）电压偏转因数（V/度）和Y轴（IC）电流偏转因数（A/度）。图示仪能正常显示各类

    上海计量测试 2012年5期2012-07-17

  • 对基础元件三极管的简介
    PN；发射极；集电极中图分类号TN112 文献标识码A 文章编号 1674-6708（2012）67-0197-02随着电子技术的发展，其理论已经广泛的运用到了各行各业，《模拟电子技术基础》成了通讯工程、自动化及其他电力工程类各专业的一门必修技术基础课程。三极管却是个完全陌生的概念，使得我们难以入门。晶体三极管也称晶体管或者三极管，是双极性晶体管的简称，具有信号放大和开关的基本特性，属于电流控制元件，是常用半导体组件之一。其种类繁杂，有NPN型、P

    科技传播 2012年10期2012-06-06

  • 半导体三极管的识别和检测
    基极（b极）和集电极（c极）。发射区和基区在交界处形成发射结；基区和集电区在交界处形成集电结。根据半导体各区的类型不同，三极管可分为NPN型和PNP型两大类，如图1（a）、（b）所示。图1 三极管的结构符号及等效电路2.三极管的电流放大作用三极管最基本的作用是电流放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β，即当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流

    职业技术 2011年12期2011-10-30

  • SiGe HBT射频噪声模型研究
    T的基极电流和集电极电流噪声的模型有van Vliet模型[1]和transport模型[2]。它们都建立在对基极少数载流子的输入非准静态效应进行建模的基础之上，而对现代的双极型晶体管而言，载流子在基极和集电极的空间电荷区传输延迟可比基极渡越时间，甚至要大于后者。因此为了更精确的模拟晶体管的高频噪声特性，需要在晶体管高频噪声模型中加入基极集电极空间电荷区传输延迟效应。1 扩展的van Vliet模型和transport模型根据基本的器件物理，当双极型晶体管

    通信技术 2011年10期2011-08-11

  • 简易测谎器的制作
    电路，晶体管中集电极电流随基极电流的变化而变化，我们这里采用的晶体管的电流放大系数为120-240。根据我们学到的晶体管知识，我们知道，发射极电流值，应该为基极电流和集电极电流之和。所以，晶体管基本工作为以下3点：1）若基极电流变化，集电极电流也相应发生变化；2）基极电流比集电极电流小得多；3）基极电流+集电极电流=发射极电流。3.2 将阻值变化转换为电流变化我们看到，图1中基极什么也没连接，所以集电极中无电流流动，若将两个测试端子的两端短路，通过R1有一

    科技传播 2011年13期2011-04-14

  • 基于ATLAS新型硅磁敏三极管特性仿真研究
    硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高，最大可达227%／T，具有负温度系数且温度系数较小［3－6］。本文在分析新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性基础上，通过采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型，研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对其特性的影响，为进一步实现新型硅磁敏三极管优化设计奠定基础。1 新型硅磁敏三极管结构和工作原理采用MEMS技术在p型高阻（ρ≥100Ω· cm）＜100＞晶向单晶硅片表面制作具有矩形板

    黑龙江大学工程学报 2011年4期2011-03-19

  • 快乐ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩电黑屏故障检修
    压为7.8V，集电极电压为0.5V，与正常值基极5.2V、发射极5.4V、集电极2.0V相差较大；拆出Q253，测量Q253电路板上的焊盘电压，基极焊点仍为8V，发射极焊点升到12V，集电极焊点降为0， 分析电压变化，主要是TA7698AP的23脚电压升高引起的。将脚与外电路断开， 23脚电压恢复正常值6.8V，说明是脚外电路引起的Q253基极电压升高，检查Q253基极电路，除与TA7698AP的23脚相连接外，还与D254、D255组成的行、场消隐电路、

    电子世界 2004年1期2004-03-14

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