硅片
- ASM2000机台机械手运行的影响因素分析
艺水平[1]。在硅片传递过程中，采用“正面、非接触式”模式，较好地避免了硅片表面缺陷的产生。但是，在这种传递模式下，偶有发生硅片掉落现象。该现象通常发生在机械手传递腔处（图1）。为了提高掉片故障处理的效率及成功率，提升机台的标准化程度，保障产品的一致性，优化设备参数，提升机台的可靠性和稳定性[2]，文章将从硅片传递的工作原理开始分析，总结导致硅片掉落的可能原因，供故障排查所用[3]。图1 机械手传递腔区域2 吸盘取片工作原理介绍ASM2000外延设备通过吸
甘肃科技 2023年6期2023-08-03
- 太阳能级硅片清洗液原料配比研究
620)0 引言硅片清洗是指硅片制绒前采用物理或化学的方法去除硅片表面的污染物和其自身的氧化物，清洗硅片是太阳电池制备过程中的重要环节。这是因为硅片经切割研磨加工后，表面会粘附油污、粉尘和金属离子等污垢，通常以原子、粒子或膜的形式，以化学或物理吸附的方式存在于硅片表面，各种各样的污垢会影响后续的制绒和扩散效果。同时，残留在硅片上的重金属离子会击穿硅片表面的薄层，使其产生晶格缺陷并影响太阳电池的光电转换效率。因此，对于高效太阳电池而言，硅片的表面清洁处理十分
太阳能 2023年6期2023-07-03
- 硅片清洗方法及硅片清洗设备的研发讨论
001 引言在对硅片的制造和使用过程中，需要对其表面进行清洗，没有灰尘污物才可以使后续生产工艺顺利进行。所以，需要在制造之前对硅片进行清洗，在整个制造流程当中清洗是一个循环频次最高的过程，硅片的清洗过程比较复杂，清洗过程的重要与难点在于随着硅片体积的日益减小，半导体集成电路对硅片的敏感性愈来愈高。例如，半导体收音机的生产与加工过程中不可避免要吸收一些粒子与尘埃等污染物，为了降低其他污染物质对器件品质的危害，在实际制造流程中常常要求对硅片进行一次清洗，这一清
工程技术与管理 2023年4期2023-03-20
- 汽车硅片生产工艺中封装环节颗粒污染的分析
晓东，董 敏汽车硅片生产工艺中封装环节颗粒污染的分析郑晓东1,3，董 敏*2（1.武城县水利局，山东 德州 253000；2.武城县第二实验小学，山东 德州 253000；3.山东有研艾斯半导体材料有限公司，山东 德州 253000）半导体制造过程中，封装工艺需要对汽车硅片进行充氮和真空处理。这一过程，对于汽车硅片的运输和保存相当重要。文章主要研究封装工艺对汽车硅片颗粒污染的程度，对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。封装工艺由于稳定性、无污染性和防氧化
汽车实用技术 2023年3期2023-02-18
- 细粒度金刚石砂轮超精密磨削硅片的表面质量
旋转法超精密磨削硅片的加工包含粗磨和精磨，其中，粗磨主要使用600目以下的金刚石砂轮，精磨主要使用2000目以上的金刚石砂轮。金刚石砂轮磨削硅片的材料去除是磨粒的单一机械作用，一定会在硅片的加工表面和亚表面产生磨痕、裂纹和位错等缺陷，需要通过其他的损伤去除工艺如化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)加工，才能获得超光滑无损伤的表面，满足后续芯片制造工艺的要求。CMP加工效率低，因此提高硅片磨削加工的表面质量能直接
中国机械工程 2023年2期2023-02-17
- 超薄单晶硅片加工检测技术的研究进展
300）1 单晶硅片概述半导体领域中广泛应用的硅材料己成为集成电路（Integrated Circuit，IC）产业最重要的基础功能材料，在民用和军事工业中都占有重要的地位。电子信息产业的高速发展亟需提高生产效率、降低生产成本，为此，单晶硅片的直径尺寸越做越大。300 mm 大直径单晶硅片已在IC 器件中得到了广泛的应用，直径＞400 mm 的单晶硅片也进入了开发、研究的阶段。单晶硅片直径的增长导致其重量增加、自支撑性变差而更易破碎。因此，需要单晶硅片的厚
现代工业经济和信息化 2022年9期2022-11-03
- 工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度预测
4）1 引言单晶硅片是制造集成电路、MEMS器件、智能传感器、光子器件等半导体器件的重要衬底材料，在超平整超光滑低损伤表面的硅片上运用注入、沉积、光刻等工序制成晶圆，再经过背面减薄和封装等工序最终制造出半导体芯片［1］。工件旋转法磨削作为硅片超精密加工的关键技术，主要用于大尺寸硅片（主流产品尺寸为300 mm）平整化加工和背面减薄加工（从0.75 mm减薄到0.05 mm以下）［2-3］。目前，硅片的超精密磨削加工主要采用金刚石砂轮，利用超硬金刚石磨粒的微
光学精密工程 2022年17期2022-09-17
- 背钝化自动上下料机产能提升方法研究
30024）引言硅片从原料到电池片需经过制绒- 扩散- 刻蚀-退火- 背钝化-PECVD 镀膜- 丝网印刷等工序[1]。随着光伏行业的竞争越来越激烈，各个厂家对各道工序的产能要求也越来越高[2]。背钝化工艺是给电池硅片表层镀一层氧化铝的工艺，以增加硅片的导电性能，是电池硅片生产的重要一环。主流背钝化工艺生产设备产能也在逐步提高。以国内某厂家背钝化设备为例，2017 年该厂家背钝化工艺设备单机产能为3 600 片/h，至2019 年，该设备三代机产能达到7
机械管理开发 2022年7期2022-08-08
- 大尺寸PERC晶体硅太阳电池低压扩散 工艺的研究
之一，其主要是在硅片表面掺杂磷原子或硼原子，从而在硅片表面形成p-n结。目前，光伏行业内的扩散炉均采用低压扩散工艺，工艺压力一般为50～120 mbar。在低压扩散工艺中，工艺压力、工艺温度、工艺气体比例等都会直接影响到扩散效果。郭进等[1]研究了工艺温度、气体流量、工艺压力对低压扩散工艺的影响；张宝锋等[2]从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散工艺对高方阻均匀性的影响；李吉等[3]研究了源流量、扩散时间、源瓶压力、真空泵压
太阳能 2022年7期2022-07-30
- 立昂微、沪硅、中环争夺硅片本土第一
顾天娇部分半导体硅片厂未来5年产能已经售罄。2月初，日本半导体硅片巨头SUMCO（胜高）曾透露，公司产能包括新工厂的增产，至2026年财年之前产能已全部被长期合同覆盖。即使新建投资的增加起到了作用，供需紧张的局面仍将继续。没过多久，国内多家半导体公司发布2022年1-2月经营数据，其中立昂微、沪硅产业两家半导体硅片公司的业绩增长排名靠前。立昂微1-2月净利润增速高达253%，同时拟通过收购国晶半导体部分股权补齐轻掺领域短板;沪硅产业则减亏74%，即将步入正
英才 2022年3期2022-05-19
- PSG上料自动化产能分析与设计优化
工序，PSG是指硅片表面的磷硅玻璃，PSG的上一道工序是扩散工艺，在扩散过程中会通入氧气，在硅片表面形成一层氧化硅，在高温下POCl3与O2形成P2O5，部分磷原子进入后，取代部分晶格上的硅原子形成N型半导体，部分则留在氧化硅中形成PSG。磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减，降低电池的转换效率。氧化后的硅片被装在100片的料盒中，通过智能AGV小车运送到PSG工艺段，并与料盒循环组件对接后将满料盒的硅片传入PSG上料机，
电子工业专用设备 2022年6期2022-02-17
- 10亿牵手应用材料 晶盛机电颇具野心
布由于公司210硅片规模提升加速、生产产品结构转型顺利，预计上半年收入同比增长97%-108%，归母净利润同比增长160%-188%。可以看到，相比166、182硅片，210硅片的发展可谓势如破竹。而身处上游的晶盛机电，作为中环股份的主要设备供应商，则是在210硅片发展过程中率先受益的公司。晶盛机电上半年预计实现归母净利润5.53亿-6.36亿元，同比增长100%-130%，与下游光伏和半导体材料厂商的产能增长保持了较高的一致性。210硅片替代带来的机会单
英才 2021年6期2021-11-25
- 沪硅产业 拐点已至
、多做，现在全球硅片产业的竞争者更集中了，这对国内的新进者不是好消息，代表竞争对手更强大了。不过，作为半导体产业链上游的硅片公司，在下游制造廠、IDM厂纷纷扩产的背景下，行业高景气加上充沛的产能，沪硅产业真正意义上的扭亏近在眼前了。保持半导体硅片龙头地位沪硅产业的产品类型涵盖12英寸抛光片及外延片、8英寸及以下抛光片、外延片及SOI硅片。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处
英才 2021年6期2021-11-25
- 传送结构对晶硅电池性能影响的研究
备之间进行转运，硅片从载体花篮到工艺设备中主要依靠传送结构进行传输，如载体花篮至石墨舟、石英舟，载体花篮至链式清洗机台等[1]。在这些传输过程中，主要通过吸盘、皮带、滚轮等传送结构直接抓取和传送硅片，因此，这些传送结构会对硅片造成挤压，摩擦。抓取时的压力调整错误时，可能会对电池片造成磨损甚至碎片，而摩擦传送时，可能会造成杂质附着硅片表面，导致电池片性能异常[2]。调整这些传送结构的设置方式，改善优化传送方式，更换传送材料材质等，都可以有效解决各类异常，从而
山西化工 2021年5期2021-11-12
- 太阳能硅片加工中重金属杂质沾污过程的研究
行提高。在太阳能硅片的加工过程，特别是切割环节中[7]，会不可避免地产生铜、铁、镍等重金属沾污，特别是扩散速度极快的铜更易沾染硅片表面，且不易清除，从而影响硅电池器件的性能及寿命[8-9]。以往对硅中铜、铁等重金属杂质的扩散研究较多，但对这些杂质在硅片上的外沾污研究较少。本文以重金属铜杂质为主，铁、镍、锌、铬为辅，重点研究硅片加工过程(切割环节)中这些重金属杂质的沾污的产生过程及铜对少子寿命的检测，为后续控制太阳能硅片重金属杂质(铜)的沾污及清除提供必要的
兵器装备工程学报 2021年10期2021-11-08
- 硅片厚度对SE-PERC单晶硅太阳电池制备过程的影响分析
换效率，p型单晶硅片普遍采用选择性发射极－钝化发射极及背接触(SE-PERC)的技术路线；而硅片薄片化是晶体硅太阳电池降低成本的一种必然趋势，为了不影响电池的光电转换效率，目前电池产业化时的硅片厚度一般大于等于180 μm，硅片厚度减薄会对工艺配方、工装器具等提出新的要求。目前，光伏行业针对硅片厚度减薄对电池光电转换效率方面的影响的研究较为成熟[1]，但硅片薄片化对电池制备过程的影响也不容忽视。基于此，本文针对硅片厚度减薄对SE-PERC单晶硅太阳电池制备
太阳能 2021年7期2021-07-30
- 激光加热下不同形貌硅片的热力学性能分析*
能化方向发展,使硅片等半导体材料被广泛应用[1-3]。硅片一般用作电子器件的衬底材料,直接影响器件的性能、寿命、成品率[4-5]。硅片受到机械和环境作用,会出现表面磨损、翘曲变形等,直接影响微机电系统的可靠运行[6-7]。硅片在磨削加工时会造成表面磨损,强度因此受到影响。对集成电路和硅器件进行研究发现,硅片在高温工艺下出现弯曲、翘曲也是常见的现象[8-10]。如何提高硅片的机械强度和热应力,是一个重要课题。笔者在研究中采用激光加热,分析不同表面形貌硅片的强
装备机械 2021年2期2021-07-02
- 背钝化自动上下料机兼容不同尺寸硅片方法研究
背钝化工艺托盘上硅片的自动装卸，并与工艺机台对接完成托盘循环传输。光伏硅片源于半导体材料，早期尺寸规格对标半导体硅片，现阶段大尺寸硅片已经成为光伏行业发展趋势。在制造端，大尺寸硅片可以提升硅片、电池、组件的产量，从而降低单瓦成本。在产品端，大尺寸电池可以有效提高电池功率，从而提高组件效率[2]。硅片尺寸的加大，会促使相应设备的改造升级，现行市场主流还是生产158mm和166mm的硅片，主要是因为这两种尺寸硅片均可通过技术改造进行升级适配，且技改成本较低。不
山西电子技术 2021年3期2021-06-28
- 刻蚀上料机产能提升方法研究
影响因素，主要从硅片的横向排定时间，硅片从横向传送机构位传至与刻蚀机对接位的时间两方面入手，使硅片快速传送至刻蚀机的滚轮上，从而提升刻蚀上料机的产能。1 刻蚀上料机的结构和工作原理刻蚀上料机主要包括纵向传送机构、横向传送机构、侧传送机构、伸缩手传送机构，缓存机构、花篮升降机构和花篮传送机构。刻蚀上料机的工作原理如下：1)把装满硅片的花篮置于下层花篮传送机构的入口，由电机驱动同步带将满花篮传送至花篮升降机构；2)花篮升降机构将满花篮提升至首片位；3)伸缩手传
山西电子技术 2021年3期2021-06-28
- 半导体硅片制备技术及产业现状
业的不断发展，对硅片的需求量大幅度增加，硅片的工艺技术逐渐成熟，生产规模以及产品质量等不断提升。国际上直径为300 mm的硅片早已经成为市场主流，直径为450 mm的硅片正处于试验开发阶段，而我国目前面对“缺芯”的制约，从国家到地方政策频出，力求从材料、设计、制造、封装等多方面突破。面对新环境、新竞争，《国家集成电路产业发展推进纲要》[5]的出台成为我国集成电路产业发展的新起点，未来十年将会是国内集成电路产业发展的黄金期，作为基底材料的硅片必须抓住机遇，从
金刚石与磨料磨具工程 2020年4期2020-09-23
- 制绒上料插片机兼容156～220 mm硅片方法研究
动化设备将堆叠的硅片通过吹气分离传输到湿式花篮中，再依次将花篮送到工艺设备的上料台。硅片尺寸的增大已经成为光伏行业发展的必然趋势。在制造端，硅片尺寸越大，每瓦的生产成本越低；在产品端，大尺寸硅片能有效提升电池片组件的效率。但是由于硅片尺寸加大，装载硅片的花篮也相应增大，现有的光伏设备，无论是工艺设备还是自动化设备，稍加改造可以兼容156～166 mm尺寸的硅片，但是再大尺寸的210 mm甚至220 mm硅片就无法兼容；另一方面，现行市场主流的还是生产166
山西电子技术 2020年3期2020-06-18
- 单晶硅片制绒后产生白斑的原因分析及改善措施
首道工序，制绒后硅片的质量是决定能否产出高质量电池的基础和关键。但在现有生产技术中，制绒后的硅片经常产生白斑现象[1]，这个问题困扰着各电池生产厂家。白斑占比高直接影响了电池生产的节拍，既降低了产线的合格率，又增加了生产成本，因此，避免产生白斑已成为电池生产质量管控的重点。本文主要针对单晶硅片在制绒后出现白斑及脏污的现象，通过对制绒后的异常硅片进行绒面测试、厚度测试和产线对比实验来排查异常现象产生的原因，结合显微红外测试和X 射线能谱分析(EDS)测试对产
太阳能 2020年5期2020-06-09
- 浅析银铜双金属一步法制备的黑硅多晶硅太阳电池的性能
池是通过刻蚀法对硅片表面进行再次改进，从而形成纳米级结构。由于这种纳米级结构可以在一个相当大的光谱范围(250～2500 nm)内提升光的吸收率，因此可以显著增加光的整体吸收率[3]。现今市场上常见的湿法黑硅技术采用的是银单金属多步黑硅制绒方法，该方法存在工艺步骤多、槽体多不易控制、产能低、空间要求高与灵活性不佳等不足之处[4]。基于此，北京普扬科技有限公司通过与中国科学院物理研究所合作，开创性地开发出了银铜双金属一步法黑硅技术。该技术可以在控制纵向刻蚀的
太阳能 2020年2期2020-04-02
- 硅片切割质量控制的研究
0050）引言：硅片是光伏电池的重要组成部分，也是电子产品集成电路中芯片的主要原料，其生产工艺与切割质量直接影响到电池与集成芯片的最终质量，同时也影响着光伏电池与电子芯片的总体成本。硅片的生产过程中其质量的控制要求十分严格，需要从其切割工艺入手，对影响切割加工质量的各种因素以及重点工序进行管控，提高硅片切割质量，降低硅片成本。本文通过分析影响硅片切割质量的各种因素，并对生产过程中的质量控制以及工艺改进提出自己的意见，希望对硅片的加工与生产有所帮助。一、硅片
魅力中国 2019年3期2019-12-18
- 金刚石砂轮磨削贴膜硅片崩边的研究*
方向发展，对单晶硅片质量的要求也越来越高[1-2]。硅片直径增大能有效减少硅片边角的浪费，增加硅片出片率和降低集成电路成本；硅片厚度减小能有效减小硅片封装体积；硅片表面/亚表面质量越好越能提高电子元器件性能[3-5]。工件旋转法常用来获得直径最大化和厚度最薄化的单晶硅片，该方法采用树脂结合剂金刚石砂轮磨削减薄硅片以获得较高的磨削效率，较高的磨削精度以及较好的磨削质量[6]。然而，硅片直径增大以及厚度减小会导致其减薄后容易产生崩边、翘曲和碎片等现象，在制造、
金刚石与磨料磨具工程 2019年4期2019-09-18
- 造孔剂含量对树脂结合剂硅片减薄砂轮磨削性能的影响
的主要材料。单晶硅片直径直接影响半导体芯片的容量和成本，而硅片减薄和最小线宽是芯片制造的关键。因为硅片减薄技术有利于改善芯片的散热效果，最小线宽则是代表IC行业先进水平的主要指标，线宽越小，电流回路单元越小，单个芯片的容量增加，集成度提高。同时，3D立体封装技术由于其空间占用小，电性能稳定，成本低等优点而用于芯片的封装。但3D立体封装由于芯片堆叠层数多，要求芯片厚度非常小，因而要求减薄后的硅片具有高面型精度、无表面/亚表面损伤。目前，随着硅片直径的增大和超
金刚石与磨料磨具工程 2019年4期2019-09-18
- 基于机器视觉的硅片隐裂检测系统的研究
各道工艺都有隐裂硅片的存在，造成碎片。随着太阳能行业的发展，太阳能电池片厂家对良品率的要求与日俱增，迫切要求降低各个工艺段的碎片率。将视觉检测技术应用到太阳能自动化设备中，对降低碎片率有重要意义。隐裂硅片被剔除的越早就越可以降低碎片率，更能节省能源与人力成本。而电池片生产工艺流程中的第一道工艺是制绒，因此对制绒段的隐裂硅片，进行剔除刻不容缓。本文针对制绒段的隐裂硅片，设计了一套在线视觉检测装置。实践表明，本检测装置具有实用效果。在线视觉检测装置的设计难点在
山西电子技术 2019年3期2019-07-01
- 降低石墨舟上下料机碎片率方法分析
要完成将镀膜后的硅片从石墨舟中卸出装入100片花篮，同时将花篮中未镀膜的硅片插入到石墨舟中。本文主要通过研究石墨舟上下料机中硅片和石墨舟的传输、定位、插取过程，分析造成硅片碎片的主要环节，探究合理的解决方法，以快速完成调试，并降低碎片率，达到石墨舟上下料片机高效、稳定运行。1 石墨舟上下料机结构及原理图1 石墨舟上下料机结构示意图如图1所示，石墨舟上下料机主要包括花篮上料机构、硅片上料传输机构、石墨舟搬送机构、石墨舟传输机构、石墨舟定位机构、机器人装卸片机
山西电子技术 2019年3期2019-07-01
- 石英舟装片机碎片率分析及结构改进
但大致可以归纳为硅片检测、表面制绒及酸洗、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀及酸洗、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结等[1]。在扩散制结段，石英舟作为其硅片的主要载体，石英舟装片机是实现石英舟传输及硅片插取的关键设备，主要完成将制绒后硅片两两交叉重叠插入1 200片石英舟插槽中，并将扩散制结后的硅片取出分离并插入100片篮具内，硅片吸附机构及硅片校正机构作为设备的核心机构，承担着硅片吸附、重叠、插取等功能。本文通过对石英舟内硅片传输过程及调试流程进行分析，找出
山西电子技术 2018年4期2018-09-06
- MEMS用硅片的磨削工艺研究
展的特点，所使用硅片厚度变得越来越薄、尺寸也在逐渐增大。同时由于硅片厚度的减小及尺寸的增大，硅片在加工时发生破碎的几率增大，这给加工带来一定困难[1]。此外，为保证MEMS器件的结构及性能，硅片内部的损伤应尽可能小。大尺寸薄硅片加工时易出现翘曲变形，在后续器件制作过程中翘曲变形容易导致结构层形变[2]。故对MEMS用硅片的加工应尽可能确保硅片的高平整度及较小的应力。传统硅片加工中一般采用游离磨料的双面研磨工艺消除线切割引起的切痕，这种方法能够提高硅片的平整
电子工业专用设备 2018年4期2018-08-17
- N型单晶离子注入电池反向漏电原因及对策
中束流之外的磷在硅片非注入面沉积示意图（侧视图）1 引言现今P型晶体硅电池占据了绝大的光伏市场，但是N型单晶电池因高转换效率、低光衰减系数等优势，具有更大的效率提升空间，而离子注入作为一项掺杂浓度可控、均匀度更好的半导体掺杂技术，越来越被重视，两者结合，也必将成为高效晶体硅电池的制造方式之一。在实际规模化电池生产中，会出现各种工艺设备问题，对最终产品——电池片的外观或者电性能会有一定影响。本文针对生产中发现的反向漏电流偏大的问题，分析成因并验证，提出解决办
电子技术与软件工程 2018年10期2018-07-16
- 退火自动化上下料设备提升良品率的措施
是进行热氧化，在硅片表面形成较薄的钝化层。作为退火工艺的上下料设备，作为整个工艺不可缺少的一环，尽可能的降低该步骤的硅片的不良率，是追求效益最大化的生产厂家的一致愿景。2 设备的功能介绍退火工艺时，硅片的承载舟具是石英舟，其前后道工艺的硅片承载花篮是容量为100片硅片的篮具，间距为4.76 mm，本文讨论的设备使用的石英舟，是容量1 200片，间距2.38 mm，平舟。退火自动化上下料设备的功能就是，将石英舟内两两背靠背退火后的硅片取出，放入100片篮具，
山西电子技术 2018年3期2018-07-02
- 硅电池片传送过程表面划伤脏污的研究
载由传输皮带传送硅片。全自动硅片上料、下料机是太阳能电池片生产过程中的重要设备之一[1]。在传送过程中,如果皮带对硅片的磨擦过大,硅片表面极易出现划伤脏污现象导致出现不良片。使用Electroluminescent电发光测试仪(简称EL测试仪)进行检测，不良片的图像如图1。图1 EL测试仪下带有划伤脏污的电池片2 硅电池片传送过程表面划伤脏污原因分析及优化从设备结构可以看出，自动上料设备是将硅片传送入湿制程设备内进行工艺任务。自动下料设备是将完成工艺任务的
山西化工 2018年2期2018-05-28
- 匀胶托盘几何参数对硅片形变的影响研究
胶的工艺特点要求硅片在托盘真空吸力的作用下随主轴一起高速旋转，因此匀胶托盘的几何参数将对被吸附的硅片形变产生一定的影响，而过大的硅片形变将影响其表面形貌和平面度，从而影响光刻胶的均匀性。文献[6]通过数值解和解析解，指出随着匀胶膜厚的变薄，其受表面形貌的影响将增大；而文献[7-8]通过数学模型和计算机模拟分析了离心转数等参数对旋涂性能的影响规律，并通过实验分析指出基底不平将直接导致涂胶均匀性变差，从而使集成电路芯片显影后线条黑白比改变。随着大量学者的深入研
机械设计与制造 2018年3期2018-03-21
- 化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究*
NGWei*单晶硅片在碱溶液中的腐蚀会引起表面结构的变化,利用紫外可见分光光度计测量硅片表面反射率,发现碱溶液的浓度、腐蚀时间、添加剂的选择(无水乙醇或异丙醇)以及添加剂的浓度均对硅片表面反射率有影响。比较几个因素发现碱溶液的浓度和腐蚀时间对硅片表面反射率影响最大。当腐蚀温度为80 ℃,NaOH固体浓度为15 g/L,添加剂无水乙醇体积分数10%时,腐蚀30 min得到硅片反射率最低,达到11.15%。碱腐蚀;反射率;减反结构;腐蚀液随着光电探测器和太阳能
电子器件 2017年2期2017-04-25
- 全球首个采用直接硅片的商业化电站完成并网发电
全球首个采用直接硅片的商业化电站完成并网发电硅片制造商1366科技与日本IHI集团于6月29日共同宣布，全球首个采用直接硅片（Direct Wafer）的500 kW太阳能电站完成并网发电，进入商业化运营阶段。该电站由日本IHI集团旗下全资子公司IPC建造，在其生命周期内，电站预计可减少9 500 t二氧化碳的排放。“这一商业化安装传递了我们对太阳能发电的全部期望。尤其是与传统工艺相比，直接硅片技术仅仅使用了1/3的能源，因此电站的能源回收期可被大大缩短至
浙江电力 2017年7期2017-01-17
- 高速高精度太阳能硅片插片机的设计
高速高精度太阳能硅片插片机的设计张艺超1,2，俞建峰1,2，盛伟锋1,2（1.江南大学 江苏省食品先进制造装备技术重点实验室，无锡 214122；2.江南大学 机械工程学院，无锡 214122）硅片插片机是太阳能光伏电池产业的关键设备，而插片机的工作速度与精度直接影响着硅片的制造成本与加工质量。高速高精度硅片插片机是一款创新型插片设备，对其总体结构、连续上料机构、水中分离机构、水流吸附装置、检测剔除装置、纠偏对中机构、翻转装篮机构及控制系统等进行了一系列创
制造业自动化 2016年12期2017-01-04
- 重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响
重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响赵泽钢，赵 剑，马向阳，杨德仁（硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程学院，浙江杭州 310027）对比研究了轻掺硼（1.5×1016cm-3）和重掺硼（1.2×1020cm-3）直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况。研究表明：重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的。在900℃热处理时，轻掺硼硅片上的压痕位错发生显著的滑移，而重掺硼硅片上的压痕位错几乎不
材料科学与工程学报 2016年3期2016-12-23
- 高压硅堆反向漏电流IR1的改善
高压硅堆的原材料硅片和扩散源的品质直接影响了产品漏电的大小。通过试验对比验证，使用国产质量较好硅片（用美国ASIM I多晶材料生产的硅片）和高纯度硼源，解决了漏电大的问题，并应用于生产，提高了品质。高压硅堆；反向漏电；高纯度；硼源；硅片一、引言由于高压硅堆在使用中的损耗主要是反向损耗和开关损耗，因此,在高压硅堆的设计及生产中力求使高压硅堆的反向漏电流IR1尽可能小。所以，反向漏电流IR1是表征高压硅堆性能的一个非常重要的参数。二、改进前的状况目前，我公司生
大陆桥视野 2016年18期2016-11-18
- 自动硅片上料机的研制
30024）自动硅片上料机的研制贾娟芳（中国电子科技集团公司第二研究所，山西 太原 ，030024）近年来随着光伏产业发展，自动化设备在太阳能电池片生产线上得到广泛的运用。在工艺设备产能不断增长的背景下，对自动化设备的产能要求也越来越高。本文主要结合太阳能电池设计制造过程中硅片的上下料工艺，与传统上下料工艺的进行了对比。重点分析了太阳能自动化设备全自动硅片装片上下料机的结构、特性以及工作流程等。自动化设备；全自动硅片上料机；控制模式；研制随着全球能源短缺和
国防制造技术 2016年2期2016-09-27
- 红外线用于检测硅片隐裂的方法
司红外线用于检测硅片隐裂的方法王金周 杨宝玥 卢新志 保定流云精密机械制造有限公司李姗姗 逯小庆 刘子隆 英利能源（中国）有限公司隐裂是太阳能电池片的隐形杀手。前期硅片隐裂可造成后期电池碎片甚至是组件的不合格品，如不能进行及时检测，对加大的增加产成品的成本。利用某波段的红外线不可被硅材料吸收或者直接穿透硅材料，只能在硅片表面进行全反射的原理来检测硅片的隐裂，控制生产制造成本。隐裂；红外光硅片隐裂是太阳能电池制造过程中造成电池片碎裂的直接因素。因为用于制作太
电子制作 2016年24期2016-04-18
- 非标硅片粘蜡技术研究
个著名定律。随着硅片中集成器件几何尺寸的缩小，芯片内部连线和连线密度迅速上升，连线的横截面积不断缩小，刻蚀要求每层表面十分平坦，光刻的焦深必须由全局平坦化来支持。同时，硬盘技术飞速发展的今天，对表面质量的要求也越来越高。此时，传统的平坦化技术已无法满足全局平坦化的加工要求。化学机械抛光(CMP)已成为公认有效的全局平坦化技术，并得到了迅速发展和广泛应用。它不仅可以应用到Ni-P合金为表面层的硬盘盘片、硅片，而且可以用于锗、钨、铜、玻璃、宝石等材料的表面高精
天津科技 2015年6期2015-10-18
- 化学机械抛光对硅片表面质量影响的研究
的IC 都要采用硅片，是信息技术的基础材料，是固态电子发展的载体[3]。因此抛光硅片的表面质量直接影响着器件的性能、集成度、可靠性以及成品率[4]。但是目前关于单晶硅化学机械抛光的研究主要集中在工艺机理方面，关于单晶硅表面粗糙度的定义及其对粒子缺陷的影响研究甚少[5-8]。而单晶硅表面粗糙度的好坏直接影响到后续表面质量的测量，同时化学机械抛光精抛的一些重要工艺参数（压力、相对转速、抛光液流量等）对硅片表面微粗糙度也会产生很大的影响[9-10]。因此，本研究
电子工业专用设备 2015年11期2015-07-04
- 单晶硅磨削加工后的表面损伤研究
品的飞速发展，在硅片趋向大直径化的同时，对芯片的厚度也要求越来越薄，并且需要对单晶半导体硅片的背面进行减薄加工。集成电路（IC）是现代信息产业和信息社会的基础。作为IC 发展的基础和半导体芯片的理想衬底材料，硅片的表面质量直接影响着IC 器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片直径的增大和器件尺寸的减小，对硅片表面加工质量的要求日益增高，不仅要求极高的平面度，极小的粗糙度，而且要求表面无变质层、无划伤。目前，固结磨料的超精密磨削技术是加工大尺寸硅片的主要方法，
电子工业专用设备 2015年10期2015-07-04
- 晶圆超精密磨削加工表面层损伤的研究
面质量的硅晶片。硅片表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命，随着IC 制造技术的飞速发展，为了提高IC 的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。相应地，对硅片表面层质量的要求也日益增高，即要求硅片表面高度平整光洁，几何尺寸均匀，有精确的定向，表面层无任何的损伤。从硅单晶锭到单晶硅片需要一系列的机械和化学加工过程，如切、磨、抛等。在硅片切割、研磨、磨削等加工过程中会不可避免地在硅片表面产生微划痕、微疵点、微裂纹、残余应力、晶格畸变等加工损伤。然而，硅片
电子工业专用设备 2015年5期2015-07-04
- 论文名称：硅片超精密磨削减薄工艺基础研究
封装厚度，需要对硅片进行背面减薄加工。目前，采用金刚石砂轮的超精密磨削技术在硅片减薄加工中得到广泛应用，但是，超精密磨削减薄技术面临着高加工质量和高加工效率的突出矛盾。面向IC封装技术对超薄硅片的需求，作者深入研究了金刚石砂轮磨削硅片的亚表面损伤特性、变形机理和崩边规律以及采用软磨料砂轮的机械化学磨削技术，提出金刚石砂轮磨削和软磨料砂轮磨削集成的高效低损伤磨削减薄新工艺。主要研究内容和结论如下：(1)建立了工件旋转法磨削硅片的磨粒切削深度模型，确定了磨粒切
金属加工(冷加工) 2015年12期2015-04-17
- 应用材料公司推出先进全自动硅片检测系统
司推出先进全自动硅片检测系统日期在上海召开的SNEC第八届国际太阳能产业及光伏工程（上海）展览会暨论坛上，应用材料公司宣布推出具备全新功能的Applied-VericellTM太阳能硅片检测系统，以减少厂商生产成本并提高高效太阳能电池生产的总体平均良率。这些新功能包括：100%在线硅片检测，以解决人工检查的质量局限；以及通过光致发光（PL）技术自动预测硅片电池转换效率的能力，使客户能够只处理符合质量和良率规格的硅片，获取更高的利润。Vericell系统采用
电子工业专用设备 2014年5期2014-08-15
- 不同生产工艺对硅片表面翘曲及机械性能的影响
半导体器件。单晶硅片多用于制造集成电路的衬底材料，而硅片的表面质量则直接影响着器件的性能、成品率及寿命。在把单晶硅棒加工成抛光片通常需要至少6 道机械加工、两道化学加工和1～2 道抛光工艺。随着硅片尺寸的增大，对于硅片的平整度及机械强度有着更加高的要求，但是磨削加工会不可避免地损伤硅片表面，该损伤会影响硅片强度，降低成品率和加工效率。因此，如何提高硅片的平整度及机械强度是硅片研磨的一个重要问题。集成电路和其他硅器件在高温工艺中，硅片的翘曲和弯曲现象是普遍存
电子工业专用设备 2014年10期2014-07-04
- 硅片在线视觉检测的实现
)1 光伏行业的硅片检测近年来，随着厂家对产品质量的重视。对产品的分档有了越来越高的要求，尤其是在光伏工艺的前段，如果不合格的硅片如尺寸不合格、崩边等流入后道工序将造成巨大的浪费。人工检测的话因为费时费力，所以只能抽检。仍有大量的不合格片流入后道工序，对成品的品质造成了影响。因此光伏行业对硅片的自动检测有了巨大的需求。2 硅片在线视觉检测通过视觉系统实现检测是自动化领域常用的方式，根据被检测物在检测时是否运动可以分为定位检测和在线检测两种。在线检测因为被测
山西电子技术 2014年2期2014-05-12
- 光伏单晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片
光伏单晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片目前，由于单晶切片采用金刚线切片已成为趋势，中银国际预计，未来单晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片，从而两者之间的价差亦进一步缩短。金刚线的特点是可以将硅片切的更薄且高效，金刚线切割速度是普通刚线的两倍，而且不需要特殊切割液，用水作为溶剂。同时金刚线直径小，线损低，可切割更薄的硅片。另外，单晶硅棒因其晶格有序的特性，可以实现金刚线切片的规模应用，促进硅片薄片化，对应每瓦硅片的硅料耗量将更低。随着电池技术的改进，更薄的硅
电子工业专用设备 2014年8期2014-03-24
- 硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究*
510275)硅片的体少子寿命是表征硅片质量的一个重要参数，现在一般用WT-2000少子寿命测试仪以及WCT-120少子寿命测试仪测试硅片少子寿命[1]，但这两种方法的测试少子寿命值都包含了体寿命和表面寿命，是两者综合作用的结果[2]。本文采用WT-2000少子寿命测试仪,其测得的测试少子寿命可由下式表示[2-4](1)(2)τbulk为体内少子寿命值，τdiff为少子从样品体内扩散到表面所需时间；τsurf为因表面复合产生的表面寿命；τmeans为样品
中山大学学报(自然科学版)(中英文) 2014年3期2014-03-23
- 一种更便宜、更薄的多用途晶体硅片研制成功
更薄的多用途晶体硅片研制成功美国纳米工程研究中心（CRNE）的一个研究组与巴塞罗那大学电子工程系的研究人员共同开发出一种更便捷更便宜的晶体硅制备方法。他们的研究成果刊登在最近一期的应用物理学报上。这种很薄的硅片厚度在10 μm左右，造价昂贵但是微电子学所期望的，尤其是随着微芯片三维集成电路发展这是必然的选择。硅片技术的发展为光伏技术的发展提供了更为广阔的前景，尤其是柔性电池的发展方面收益颇大。近些年来，技术的发展带来了硅片向着更加薄的方向发展。线切割所能带
浙江电力 2013年7期2013-01-25
- 行业动态
首现分化组件价跌硅片价涨随着去年四季度以来全球光伏应用市场逐渐复苏，国内光伏产业也开始欣欣向荣。但由于过去几年产能扩张严重，光伏下游组件价格连续下挫。相比之下，由于产能不足，中游的硅片价格近期却意外上涨。根据业内人士介绍，现在硅片市场的确很热，要先付预付款才能拿到货。由于硅片产能紧张，不少企业从去年年底到现在一直是满负荷运转，甚至整个春节都没有休息。另据市场调查，去年下半年，每片硅片价格只要25元不到就可以拿到货；现在，每片硅片报价已接近30元了，上涨了2
中国建筑金属结构 2010年6期2010-12-31
- 硅片减薄技术研究
封装中使用更薄的硅片已成为必然。目前行业内可以将硅片减薄至50 μm，相当于普通人头发丝的直径。通过减薄，可以将硅片背面多余材料去除掉，不仅有效的减小了硅片封装体积，同时，也提高了器件在散热、机械、电气等方面的性能。目前减薄有以下几种方法：研磨、化学机械抛光（CMP）、干式抛光（Dry Polishing）、电化学腐蚀（Electrochemical Etching）、湿法腐蚀（Wet Etching）、等离子辅助化学腐蚀（PACE）、常压等离子腐蚀（At
电子与封装 2010年3期2010-04-20
- 硼扩散片弯曲度的控制技术研究
，由于热应力以及硅片正反两面杂质层浓度及结深不同等原因，会造成硅片弯曲度增加，尤其在进行单面扩散时，硅片的弯曲会变得非常严重。因此弯曲度的控制显得尤为重要，下面的讨论是基于弯曲度小于15μm的要求。2.1 单面扩散与双面扩散对扩散片弯曲度的影响研制过程中分别对70片硅抛光片试验了单面扩散和双面扩散实验，之后再进行抛光，结果见图1和图2。结果表明，对硅片进行单面扩散，弯曲度符合要求的硅片仅占总数的2.9%，弯曲度大于100μm的硅片占总数的34.3%；而进行
电子工业专用设备 2010年8期2010-03-23