产额
- BRISOL钾同位素放射性核束的产生
要求放射性核束的产额不低于106pps。BRISOL装置建立初期使用0.5 μA的质子束轰击氧化钙靶产生了37K+、38K+放射性核束，其中38K+的最高产额为1×106pps[2]。由于首次实验使用的质子束流强很小，离子源参数未达到最优化，导致放射性核束的产额较低。为了增加BRISOL产生的钾放射性核束的产额，并开发更多的放射性核束种类以满足物理实验的需求，本工作开展钾放射性核束产生的系统研究。1 钾放射性核束的产生方法1.1 靶材选择BRISOL装置为
原子能科学技术 2022年10期2022-10-29
- 兰州大学的中子发生器研制及应用展望
可实现较高的中子产额，有利于中子源的小型化。综合几十年的研究和发展历程，可将中子发生器分为强流中子发生器、密封中子管和紧凑型中子发生器等类型。强流中子发生器一般采用高压型加速器，将几十mA的D束流加速到300～600 keV，轰击大面积旋转氚钛(TiT)或氘钛(TiD)靶发生聚变反应放出快中子。早在20世纪八九十年代，美国的RTNS-Ⅱ[1]和俄罗斯的SNEG-13中子发生器[2]的D-T中子产额已达到1013s-1水平，日本、德国的D-T中子发生器中子产
原子能科学技术 2022年9期2022-10-10
- 基于自生磁场约束效应的脉冲调制X射线源用转换靶
间分辨率高及光子产额大等特点，是一种结构简单及体积小的台面式X射线光源。在前期研究中，借助日本大阪大学激光工程研究所的LFEX激光装置开展了验证性试验[13]。在此基础上，本文根据激光等离子相互作用时产生的聚焦电子束特性的测量结果，研究了聚焦电子束与X射线转换靶作用产生X射线的过程，提出了高性能调制X射线源的设计方案，并对阳极转换靶的材料和结构进行了优化。1 基于自生磁场约束效应的调制X射线源设计基于自生磁场约束效应的调制X射线源主要分为激光源和结构靶2部
现代应用物理 2022年2期2022-08-11
- 对美国国家点火装置2010 年以来实验设计思路的分析*
NIF 实验中子产额的预测.目前NIF 实验数据库还没有对外公开，我国科研工作者从各类期刊、会议报告中获取的仅为部分实验数据.由于不同实验的实验性质不同、诊断设备的升级阶段不同而导致的测量维度不同、以及各论文陈述的侧重点不同，这些发次所公布的参数并不一致，而且存在大量的数据缺失.因此深入了解已公布的NIF 实验数据，设计有效算法进行缺失数据还原，并且分析NIF 团队在不同阶段调整实验设计的出发点，不仅可以帮助深入理解LLNL在2020 年5 月20 日的报
物理学报 2022年13期2022-07-22
- 用于孔隙度测井的中子发生器产额影响研究
种参数测量。中子产额是指单位时间内产出中子的个数,其稳定性是评价中子发生器性能的一项重要指标。与使用预制靶中子管相比,采用自生靶中子管的中子发生器中子产额更稳定,但与化学源的中子产额稳定性仍有较大差距。本文对影响中子发生器中子产额的3种因素进行分析,总结了各因素对使用自生靶中子管的中子发生器中子产额的影响规律,剖析了目前较为成熟的两种中子发生器中子产额稳定措施的利弊,并提出一种用于可控源中子测井的孔隙度校正方法。1 中子发生器工作原理及中子管结构1.1 中
测井技术 2022年3期2022-07-16
- 基于抽样方法的燃耗计算核素积存量不确定度分析
面、半衰期和裂变产额不确定度在燃耗计算中的传递，清华大学RMC程序实现了随机抽样方法的燃耗不确定度分析模块[12]，但只能针对反应截面进行不确定度分析。本文采用随机抽样方法，以乏燃料同位素成分数据库SFCOMPO-2.0[13]中Takahama-3压水堆组件基准题的SF95-4样品为对象，进行反应截面、衰变常量和裂变产额不确定度引起的核素积存量不确定度的量化分析。1 不确定度分析1.1 抽样方法基本原理本文采用基于抽样方法的不确定度分析方法。其基本原理就
原子能科学技术 2022年6期2022-06-25
- 裂变产额的Zp模型评价方法及燃耗不确定度分析
10049)裂变产额在核科学技术和核工程中有着重要的作用，可应用于燃耗计算、爆炸威力确定、衰变热计算、裂变缓发光子谱计算等[1-3]。在基础领域，用于裂变机制验证，同时也是天体演化过程的基础数据，用于元素核合成的计算[2]。产额数据库的研制包括：1) 产额评价，通过实验数据收集和分析，获得可靠的产额和合理的误差，利用模型计算获得实验缺失数据；2) 产额建库，进行库格式及物理检验并燃耗计算分析，确保产额数据的合理性和可靠性；3) 提供用户使用，收集用户反馈意
原子能科学技术 2022年5期2022-06-02
- 基于贝叶斯机器学习对中子诱发235U裂变的产额-能量关系的研究
子诱发锕系核裂变产额数据。当前实验测量的裂变产额数据往往是不完整的。基于实验数据和数据评价方法，国际上各核大国建立了自己的核数据中心和核数据评价库，如中国的CENDL[7]、美国的ENDF/B-Ⅶ.1[8]、日本的JENDL-4.0[9]和欧洲的JEFF-3.1.1[10]等。但这些主要的核数据评价库中只有热中子、0.5 MeV和14 MeV 3个能量点的中子诱发裂变的完整产额分布。因此对连续能量的中子诱发裂变的产额进行可靠的评价是非常受关注的问题。目前裂
原子能科学技术 2022年5期2022-06-02
- 工业钚能谱的分析
，自发裂变的中子产额为3.7×10n/s·g，中子产额较高。由于Pu的含量非常低，因此该核素及其衰变子体对总剂量率的贡献相对较小。1.2.2 Pu、PuPu和Pu有共同的衰变子体U。Pu 在物料中的初始含量约为3%。Pu的半衰期为86.4 a，衰变时会产生能量为0.7600 MeV和0.8750 MeV的γ射线，但产额较低。Pu先衰变成为U，接着U和Th构成短期平衡，再与Ra构成长期平衡，然后经过一系列寿命非常短的子体产物衰变成为稳定核素Pb。Pu自发裂变
中国新技术新产品 2022年3期2022-05-06
- 电镀法制备富集112Cd靶
111In存在低产额或低放射性核纯度的问题[5]，限制了111In在核医学领域的进一步发展。111In一般可以通过以下几种核反应产生[6-12]：(1)用α辐照天然银，通过natAg(α，xn)111In核反应制备；(2)用质子辐照天然锡，通过natSn(p，x)111In获得；(3)用质子或氘辐照天然或富集镉通过natCd(p，xn)111In或112Cd(p，n)111In生产。与银或锡作为靶材相比，镉靶制备的111In产额普遍较高[5]。然而，由于天
同位素 2021年6期2021-12-28
- 低能高电荷态氮离子与Cu表面相互作用致K-X射线发射的研究
研究了K-X射线产额、K壳层电离截面值与入射离子动能及电荷态之间的依赖关系。这对离子与金属表面相互作用中形成的上表面“空心原子”的退激过程、高电荷态离子在固体表面的中性化过程具有重要意义。1 实验装置及技术本工作在中国科学院近代物理研究所的电子回旋共振离子源（Electron Cyclotron Resonance Ion Source，ECRIS）上进行，图1是实验平台示意图。Nq+（q=3，5，6）离子束流由14.5 GHz的ECRIS提供。ECRIS
核技术 2021年12期2021-12-22
- 面向集装箱安检应用的Mg4Ta2O9闪烁晶体及其掺杂改性
dWO4晶体的光产额及能量分辨率，是一种面向集装箱安检应用的新型闪烁晶体。本文将介绍Mg4Ta2O9晶体的晶胞结构、制备方法、闪烁性能的研究进展及通过掺杂优化Mg4Ta2O9晶体闪烁发光性能。1 Mg4Ta2O9的晶胞结构图1 Mg4Ta2O9的晶胞结构Fig.1 Crystal structure of Mg4Ta2O92 Mg4Ta2O9晶体制备方法2.1 微下拉法微下拉法(micro-pulling-down method, μ-PD)是一种可实现高
人工晶体学报 2021年10期2021-11-26
- 靶表面粗糙度对低能电子致厚Ni靶特征X射线产额的影响研究
提高了特征X射线产额计数率。厚靶的特征X 射线产额是评估蒙特卡罗（Monte Carlo，MC）模拟中所用理论模型和数据库准确性的重要依据，涉及到内壳层电离截面、原子弛豫参数、电子和光子在材料中的传输参数等［12］。然而，之前的厚靶实验方法都是假定靶表面是光滑的［10−11］，事实上很多情况下所用的靶都有一定的粗糙度，Geil 和Yesil 等［13−14］已经通过MC 模拟证实靶样表面粗糙度对中能离子背散射能谱和弹性反冲探测分析的确有一定的影响。因此，本
核技术 2021年11期2021-11-22
- 超级质子-质子对撞机束屏内气体密度演化规律研究*
光电子和二次电子产额, 是减少电子致解吸最为直接有效的方式.2.4 离子致解吸离子致解吸问题最早在1971年交叉碰撞储存环(intersecting storage rings, ISR)引起学者们的关注[29].束屏内的高能质子引起残余气体分子电离, 产生的离子在束流空间电荷的加速作用下, 轰击束屏壁面, 并导致壁面吸附的气体分子发生解吸[30].2.5 分子裂解低温真空束屏内的主要解吸气体为: H2, CH4,CO2和CO, 其中CH4和CO2与同步辐
物理学报 2021年16期2021-09-03
- 低能Xe离子辐照在Al表面上的光辐射研究
子发射光谱，光子产额随入射离子能量的变化与核阻止本领随入射离子能量变化有相同的变化趋势[3]，其随入射离子能量的变化趋势为：在低能时，溅射原子、离子发光产额随离子能量的变化几乎是线性上升增加，达到最大值后，便随入射离子能量增加而下降，在此过程中入射离子主要通过靶原子核弹性碰撞损失其能量。在本实验的能量范围内发现随入射离子能量的变化，辐射光谱光子产额不再与核阻止本领有相同的变化趋势，其原因是核能损起主导作用减少，较高能量的入射离子存在与靶原子核外电子的非弹性
原子能科学技术 2021年8期2021-08-02
- 密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制
相比，中子管中子产额高，能谱单色性好，γ射线本底低，体积小、质量轻，可以随时控制中子产生，同时中子管可以产生脉冲中子。随着中子管技术的发展，它已经被广泛应用到中子测井、物料分析、中子照相、爆炸物检测、毒品检测等各个领域[2-5]。图1 中子管结构(a)及内部控制参数(b)中子管产额稳定性是中子管面临的一项难题。国内中子管产额稳定性一般在5%左右。中子管产额不稳定对中子管的应用具有一定的影响。秦爱玲等[6]表明采用闭环控制电路是中子管提高产额稳定性的普遍手段
核化学与放射化学 2021年3期2021-06-24
- 一个可靠和准确的光电产额谱模型及应用*
14001)光电产额谱的实验和理论研究对所有涉及光电的材料和器件都很重要, 其中能够准确地从入射光子能量计算光电产额对最大限度地从光电产额谱获取光电材料和器件的电性能的微观信息至关重要.本文在建立起光电产额谱满足的微分方程结合光电产额谱的特有实验结果之后找到了这个满足光电产额谱的特有实验结果下微分方程的解.通过对实验数据进行最小二乘法非线性拟合既验证了这种方法获得的光电产额谱模型的正确性, 也得到了每一条光电产额谱的具体数学表达.应用此模型不仅能尽可能精确
物理学报 2021年10期2021-06-01
- GEF模型对n+239Pu反应裂变碎片质量分布的研究
裂变过程，但有关产额与能量演化等问题却没有一个明确的结果.目前关于短寿命原子核裂变产额的研究数据较少.因此,采用理论模型来预测其产额数据显得很有必要.钚是一种具有放射性元素，在原子能工业中是一种重要的原料，可作为核燃料和核武器的裂变剂.美国投在日本的原子弹，其内核部分就是以239Pu作为核装药的.钚作为核武器中重要的裂变成分，具有裂变速度快、临界质量较小的特点，是核武器的重要核装料.目前与钚相关的核数据相对较少，因此研究中子诱发钚裂变及裂变产额的分布对核裂
湖州师范学院学报 2021年2期2021-05-17
- 基于贝叶斯更新方法的235U热中子独立裂变产额协方差估计
00084)裂变产额描述了裂变产物在裂变系统发生裂变反应过程中产生的份额。根据裂变反应的进程不同，裂变产额可分为独立裂变产额和累积裂变产额。独立裂变产额描述了瞬发裂变中子释放后，在裂变产物发生衰变前各个产物产生的份额；累积裂变产额则描述了裂变产物发生长时间衰变后裂变产物的份额[1]。由于裂变过程的时间尺度小、复杂性高，所以裂变产额的测量与模拟具有较大的不确定度。目前，ENDF/B-VII.1数据库中的235U热中子裂变产额数据来自于1994年England
现代应用物理 2021年1期2021-04-19
- 针对裂变产额和半衰期的燃耗计算灵敏度和不确定度分析方法
核数据库中的裂变产额数据缺乏足够的独立产额测量数据和协方差数据[4]，通过灵敏度分析确定对目标参数计算精度影响较大的裂变产额数据，对核数据的改进有指导意义[5]。目前国内外基于抽样方法及微扰方法对燃耗计算响应参数的灵敏度和不确定度开展了一定研究[6-7]，但多针对核反应截面开展，缺乏对裂变产额和半衰期等核数据的分析。2013年，国际核数据评价合作工作组(WPEC)把量化裂变产额对响应参数引入的不确定度作为未来工作目标之一。对于多输入参数、少输出参数的数值模
原子能科学技术 2020年12期2020-12-15
- 基于染色体畸变的细胞存活模型研究
链断裂(DSB)产额作为模型的输入参数，用于生物学参数α与β的计算，尽管一定程度上体现了辐射致细胞生物效应的机制，但用RMF模型计算的β参数随传能线密度(LET)是单调增加的，而根据细胞存活实验得到的β参数随LET有明显的递减趋势。McMahon等在计算辐射所致DNA损伤时，不同粒子类型单位剂量的DSB产额采用与光子相同的值，合理性存在疑问。Ballarini等和McMahon等提出的基于染色体畸变建立的细胞存活模型，一方面对染色体畸变类型考虑的不全面，另
原子能科学技术 2020年11期2020-11-24
- 200 GeV能量下d-Au碰撞系统中轻强子和夸克化学势的中心度依赖
以提取到反正粒子产额比等信息。在高能碰撞系统中，粒子的化学势是一个很重要的物理量，因为它决定着物质传递的方向和限度，是判断系统是否经历过相变、是否达到相平衡的重要依据。尤其是重子化学势，结合化学冻结温度，可以在化学冻结温度-重子化学势平面上研究强子物质到夸克物质的相变问题，进而分析QCD相图[10-11]。不同尺寸的碰撞系统产生的粒子的化学势是不同的。在之前的工作中[12]，我们已经分析了金-金、铅-铅重离子碰撞系统和质子-质子轻离子碰撞系统中的粒子化学势
丽水学院学报 2020年5期2020-10-28
- keV能量电子致Al,Ti,Zr,W,Au元素厚靶特征X射线产额与截面的研究*
L壳层特征X射线产额的测量结果,并将所得实验数据与基于扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟值进行了比较,两者在小于或约为10%的范围内符合.根据测得的特征X射线产额进一步得到了相应的内壳层电离截面或特征X射线产生截面.通过对比电子入射角度为45°和90°的两种情况下解析模型与蒙特卡罗模拟的特征X射线产额,发现在入射角度为90°时两者符合较好.同时,本文还给出了次级电子、轫致辐射光子对特征X射线产额的贡献,该贡献与入射电子能量关系较弱,表现出与原
物理学报 2020年13期2020-07-14
- AB-BNCT中子靶物理设计分析
获得其产生中子的产额、能谱、靶体的能量沉积等多项计算结果。本研究模型跟踪1×109个源粒子输运径迹统计，整个过程数据统计误差基本在5%以内。2 计算结果及分析2.1 中子靶材分析1) 入射质子能量与中子产额图2为3H、7Li、9Be、65Cu、184W 5种靶材的质子打靶产额，可确定低能质子入射情况下，轻核靶材产生的中子数大于重核靶材。因此，利用(p,n)反应的AB-BNCT质子加速器中子源，一般选用核子数较小的轻核靶材。图2 质子打厚靶产额Fig.2 N
原子能科学技术 2020年5期2020-05-30
- ADS熔盐散裂靶中子学性能研究
BE具有散裂中子产额较大、蒸汽压低、沸点高、中子俘获截面小等优点，是目前ADS设计中使用最多的液态散裂靶材料，并在中子学性能方面有大量的研究基础[4-6]。除传统的液态金属靶外，在加速器驱动次临界熔盐堆(AD-MSRs)中，还出现了直接使用熔融的燃料盐作为散裂靶的设计。20世纪80年代，日本学者[7]提出了靶堆一体的基于氟化物熔盐的单流型加速器驱动熔盐增殖堆(AMSB)概念设计。此外，与氟化物熔盐相比，氯化物熔盐中锕系核素有更高的溶解度，可装载更多的超铀核
原子能科学技术 2020年5期2020-05-30
- 克量级铀中微量铕和铽的放化分离方法研究
413)裂变产物产额在反应堆元件燃耗计算、屏蔽设计等方面有非常重要的作用。在裂变质量分布曲线中，整个右翼都被稀土元素占据，而其中几个质量数较大、产额较低的稀土裂变产物的产额数据决定了质量分布曲线右翼的走向，因而其裂变产额的测量尤为重要。156Eu(T1/2=15.19 d)和161Tb(T1/2=6.89 d)是其中非常关键的两个核素，它们的裂变产额较低，热中子诱发235U裂变的156Eu和161Tb产额分别为1.33×10-4和8.10×10-7，因此仅
原子能科学技术 2020年5期2020-05-30
- LuAG∶Ce和LuAG∶Ce,Mg晶体生长与闪烁性能
Ce晶体的理论光产额为60 000 photons/MeV[2]，而目前报道的LuAG∶Ce晶体最高光产额约为26 000 photons/MeV[3]，这是由于晶体中存在缺陷[4]，导致晶体光产额的实际与理论值相差较大。异价离子共掺是提高其光产额的方法之一。S. Blahuta等[5]在LYSO∶Ce单晶中掺入Ca2+(Mg2+)，研究发现，光产额提高了21%。S.P. Liu等[6]通过在LuAG∶Ce闪烁陶瓷中加入Mg2+，将闪烁体光产额增大至21
压电与声光 2019年5期2019-10-22
- D-T中子诱发贫化铀球壳内裂变率分布实验*
测量,再根据裂变产额数据和中子产额监测数据,获得裂变反应率沿45°方向分布规律,为裂变放能与球壳厚度关系研究提供数据支持.2 方法与实验2.1 测量原理绝对裂变反应率是指一个源中子诱发一个核材料原子核产生裂变的概率[20].通过测量装置内被测位置的核裂变计数,可得到该处的裂变反应率.裂变率计算公式为式中,Nf为裂变数,ϕ为中子产额,t1为辐照时间,m为活化探测器核子数.本实验选取裂变产额比较准确的裂变碎片143Ce作为测量对象,核裂变数Nf与143Ce核子
物理学报 2019年15期2019-09-04
- 掺锂塑料闪烁体的制备与性能
明性变差，同时光产额也随之降低[7]。锂具有两个稳定同位素6Li和7Li，自然界中锂的含量ω(6Li) =7.5%，ω(7Li) =92.5%。由于高浓缩6Li盐为管控原料，故本文用制备原理与6Li盐类似的天然锂盐作为原材料。首先采用酸碱中和方式制备出甲基丙烯酸锂，随后将其溶解到甲基丙烯酸中，并将甲基丙烯酸溶液转移至溶有第一闪烁物质和移波剂的苯乙烯溶液中，最后通过热聚合的方法制备出掺锂塑料闪烁体，同时对其掺锂量、荧光性能、光产额、衰减时间等性能进行研究。1
西南科技大学学报 2018年4期2018-12-26
- 利用气泡探测器测量激光快中子∗
量得到的中子最高产额为1.5×106n/sr.2013年,Bang等[14]使用拍瓦激光装置与氘团簇作用,其激光能量为120 J,脉宽为170 fs,通过控制激光的焦斑等参数来调节激光的聚焦功率密度,提高激光吸收效率.该实验中获得的最高中子产额为1.6×107/发.2013年Roth等[15]在200 TW(1012W)TRIDENT激光装置上进行了实验,激光强度高达1021W/cm2.在高信噪比高强度的激光条件下,采用BOA加速机制(break-out
物理学报 2018年22期2018-12-18
- 高能电子轰击金属靶产生正电子的模拟研究
需要对影响正电子产额的因素进行细致的研究，诸如靶材料，电子能量，次级粒子的类型，以及正电子的能谱和角分布等.本文采用Geant4模拟产生正电子过程，给出了靶材和靶厚对正电子产额的影响，并且给出了正电子的角分布和能谱，拟合给出了不同的电子能量对正电子产额的影响.1 Geant4 物理模型的建立Geant 4模拟计算高能电子束与金属靶作用的物理模型如图1所示.图1 高能电子与金属靶作用Geant 4模型靶的形状为圆柱体直径Φ=1 cm，厚度可调.在靶前端为外半
西北师范大学学报（自然科学版） 2018年6期2018-12-03
- 8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究∗
厚靶的特征X射线产额通过微分求解方法得到的相应电离截面结果不可靠(因为采用微分求解方法会将各能量点产额的不确定度都计入到处理得到的截面结果,而Nagashima等由于采用离线法,导致得到的厚靶产额数据很可能不够准确,再者他们尚未对实验产额考虑入射正电子在厚靶中的散射效应、湮没光子和轫致光子及次级电子等引起的修正,使得微分求解得到的截面结果更不准确).同样Tian等[10]的实验也是由于采用离线法获取正电子束流强度,未对测量的10—20 keV正电子碰撞纯厚
物理学报 2018年19期2018-11-03
- 质子对碲锌镉辐照损伤的SRIM模拟
CZT的表面溅射产额.2 结果与讨论2.1 不同能量质子在CZT材料中的能量损失SRIM程序模拟离子在靶中运动时, 离子在靶中的作用主要分为两类： 1) 与靶中原子的核外电子发生非弹性碰撞, 使电子激发或电离； 2) 与靶中原子核发生弹性碰撞, 使原子核脱离原位置产生空位. CZT靶阻止本领与质子入射能量的变化关系如图1所示, 其中靶对质子的核阻止与电子阻止本领用质子在靶中与原子核及核外电子作用损失的能量关于射程的微分(dE/dx)表示. 由图1可见: C
吉林大学学报（理学版） 2018年4期2018-07-19
- 用于医用核素钼-99的制备方法
。99Mo的裂变产额为6.06%，235U裂变还生成钼的几种稳定同位素95Mo、97Mo、98Mo、100Mo，虽然裂变法生产的99Mo受到稳定同位素的稀释，但是由于总稳定钼的绝对量很少，99Mo的比活度约为370 TBq/g[12]。因此，可以从235U的裂变产物中大量提取高比活度99Mo。1.1.1热中子反应堆生产99Mo1) HEU生产裂变99Mo(1) Cintichem流程利用HEU生产裂变99Mo的第一个化学分离流程是由布鲁克海文实验室(Bro
同位素 2018年3期2018-06-06
- 低速Xeq+(4 6 q 6 20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射∗
00 nA,光子产额定义为每入射一个离子发射的光子个数[15−18],公式如下:式中Yλ和Nλ分别表示波长λ数据点处的光子产额和光子个数,It是波长λ数据点处的靶上束流强度,q是入射离子电荷数,e是电子电量,系数分别表示相同条件下靶上束流强度的平均值和入射离子束流强度的平均值.图1 高电荷态离子轰击固体表面发射光谱的测量装置示意图Fig.1.Schematic diagram of measurement apparatus for light emiss
物理学报 2018年8期2018-05-08
- 材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响∗
,其材料二次电子产额系数较低(δmax0≈1.3,δmax0为材料正入射二次电子产额系数);而同样是基于双边二次电子倍增机理工作的微脉冲电子枪(如图1所示)通常选用的材料是金属表面氧化镁镀膜[17],其材料二次电子产额系数极高(δmax0≈16).Buyanova等[18]研究发现:平行平板结构中若二次电子产额超过某个阈值,可能会出现两个互不耦合的单边二次电子倍增取代双边二次电子倍增的现象,但其形成机理尚不明确.不同材料二次电子产额系数对腔体双边二次电子倍
物理学报 2018年3期2018-03-26
- 压水堆核电厂废液放射性计算程序配套核数据库的适用性评价
息，根据直接裂变产额、衰变信息以及保留的裂变产物核素得到更新的沿衰变链归并的产额数据，通过中子学-燃耗耦合计算获得了更新的中子微观反应截面数据；并与现有的配套数据库进行了对比分析；然后，通过计算一系列面向不同机型的算例进行了整体的对比验证与分析。结果表明：现有的PWR-GALE配套核数据可以满足先进压水堆的计算和评审需求。核电厂废液放射性计算；PWR-GALE；衰变数据；裂变产额数据；中子微观反应截面数据压水堆在运行过程中，燃料内包容的放射性物质可能会通过
核科学与工程 2017年6期2018-01-08
- ST 401塑料闪烁体的脉冲中子相对光产额评估方法∗
的脉冲中子相对光产额评估方法∗姚志明†段宝军 宋顾周 严维鹏 马继明 韩长材 宋岩(西北核技术研究所,强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安 710024)(2016年10月24日收到;2016年11月22日收到修改稿)介绍了脉冲中子在ST401塑料闪烁体上的相对光产额评估方法.采用Geant4蒙特卡罗软件模拟X射线和中子在闪烁体中的输运行为,记录产生的全部带电粒子类型和能量,由公式计算得到相对光产额.给出了不同能量的单个中子和单个X射线入射到1 m
物理学报 2017年6期2017-08-03
- 14.8 MeV中子诱发238U裂变产物产额测量
238U裂变产物产额测量孙 琦 罗小兵 李宛琼 汪 超 李子越（四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064）裂变产物产额作为裂变过程的一个重要参数，其准确测量对有关裂变的很多方面都有重要意义。为了准确测量中子诱发238U裂变产物产额，利用中国工程物理研究院PD-300加速器上的T(d, n)4He反应，产生14.8MeV的中子，诱发238U裂变。辐照过程中，通过金硅面垒半导体探测器监测中子通量的变化。使用Al片作为监
核技术 2017年7期2017-07-17
- 90º伴随粒子法D-D中子产额测量修正因子计算
粒子法D-D中子产额测量修正因子计算李建一1王俊润1,2张 宇1,2黄智武1卢小龙1,2徐大鹏1,2张 杰1韦 峥1,2马占文1姚泽恩1,21（兰州大学 核科学与技术学院 兰州 730000）2（兰州大学 教育部中子应用技术工程研究中心 兰州 730000）开展了90º伴随粒子法D-D中子产额测量中的修正因子理论计算方法研究，基于MATLAB软件平台，开发了用于修正因子计算的计算机程序。计算给出了厚靶条件下，入射氘能量在20-700 keV范围，90º伴随
核技术 2017年1期2017-02-09
- 哈里伯顿公司新一代油藏监测仪RMT-3DTM
提供俘获和非弹性产额及能谱伽马等数据。非弹和俘获产额包括碳、氧、硅、钙、氢、铁、氯、硫、钾及其他元素产额。RMT-3DTM提供的资料:油、气、水饱和度评价;水驱、蒸汽驱或二氧化碳驱/提高采收率监测;天然气、二氧化碳、蒸汽、氮气和空气;铀、钍、钾能谱伽马;用于矿物学分析的元素产额;套管井孔隙度;砾石充填评价;水流速度和方向。RMT-3DTM特别适用于老油田的二次开发,通过储层监测,提高油气产量和采收率,找出漏失产层。RMT-3DTM在复杂或未知地层水矿化度条
测井技术 2016年3期2016-03-27
- 裂变产物活度计算通用程序开发
了裂变产物的独立产额、衰变路径和衰变信息数据库，开发了一用于计算裂变产物活度的通用程序。利用该程序计算了8种气体裂变产物的原子核数随时间的变化，结果与文献数据基本一致。本程序为与核裂变相关的裂变产物预先评估提供了一个便利的工具。关键词：裂变产物；产额；活度；程序中图分类号：O571.32 文献标志码：A收稿日期：2014-06-17;修回日期：2014-09-18doi：10.7538/yzk.2015.49.11.2083Universal Progra
原子能科学技术 2015年11期2016-01-11
- MeV离子轰击碳样品引起的碳氢团簇产额
量定标及二次离子产额分析采用含钠、钾、铯等不同原子质量元素化合物混合的办法制备标准样品。实验中使用同样的束流和几何条件获得了待研究样品和标准质量样品的二次离子飞行时间谱。图2所示为束流轰击碳纳米管后二次正离子和标准样品原始谱的对比，图中明确标出了氢、钠、钾、铯对应的4个峰，这样就可在1～200的质量数范围内实现对二次离子质量的定标。根据质量定标的结果，二次离子飞行时间谱可转化为二次离子质量谱进行进一步分析。图2 束流轰击后碳纳米管和标准样品的二次离子谱对比
原子能科学技术 2014年5期2014-08-07
- 用于中子测井的自成靶密封中子管性能评价
子源相比，其中子产额高，能谱单色性好，无γ本底，可产生脉冲中子，不用时可关断，防护容易，储存管理和运输方便；与反应堆或加速器中子源相比，其体积小，重量轻，消耗功率小，无须真空系统和冷却设备，不必更换氚靶，操作容易，维护管理简单，便于携带和移动，适于流动辐照或现场辐照。随着中子管技术的发展，中子管已广泛应用于中子测井、煤质分析、中子照相、爆炸物及毒品检测等领域[1-2]。测井中子管与地面应用相比有其特殊的难度，主要表现为：(1) 受井孔尺寸限制，井下仪器的直
同位素 2014年4期2014-06-13
- X射线荧光粉的研究进展
，特别是它们的光产额相对较高，例如CsI:Tl+、NaI:Tl+和LaCl3:Ce3+的光产额分别达到66000、62000和49000 ph/MeV.在卤化物荧光粉中，掺杂Ce3+的卤化物荧光粉研究得比较多，特别是稀土卤化物如LaCl3:Ce3+、LaBr3:Ce3+、LaI3:Ce3+和LuI3:Ce3+等.这些稀土卤化物荧光粉基本上都具有高的光产额、好的分辨率和短的荧光寿命等特点，其中LuI3:Ce3+的光产额最高，达到95000 ph/MeV，而L
怀化学院学报 2014年11期2014-04-09
- 含反射中子的快脉冲堆中子动力学方程研究
不对称、脉冲裂变产额显著增加［1-2］。当堆体外布置较多辐照物时，反射中子有可能对脉冲堆的安全运行造成不利影响。因此研究反射中子对快脉冲堆的影响很有必要。Wimett等［2］曾在快脉冲堆中子动力学方程中增加两组虚构的缓发中子，模拟反射中子的作用，解释了脉冲波形后沿变宽的实验结果。但这一方法存在如下不足：1）采用虚构的缓发中子模拟反射中子值得商榷；2）只能解释实验现象，不能预测堆外反射体对脉冲波形和裂变产额的影响，对脉冲堆的安全运行无实际意义。Spriggs
原子能科学技术 2014年1期2014-03-20
- 裂变产额差异法测量235U丰度
02413）裂变产额差异法测量235U丰度乔亚华1陈海英1张 敏1杨 毅2刘世龙2吴继宗21（环境保护部核与辐射安全中心 北京 100082）2（中国原子能科学研究院 北京 102413）利用裂变产额差异法，从裂变产额质量分布曲线，选取位于双驼峰曲线两翼的裂变产物的产额随可裂变核素的不同有很大变化的核素88Rb、104Tc和92Sr作为测量对象，选择平均裂变产额比为监测对象，研究了平均产额比与铀丰度之间的关系曲线，获得了平均产额比Yi/Yj随丰度H0变化的
核技术 2014年3期2014-01-19
- 利用同质异位素产额比方法研究重离子核反应中等质量余核的化学势
）利用同质异位素产额比方法研究重离子核反应中等质量余核的化学势王闪闪1,2马春旺1曹喜光2张艳丽1乔春源1魏慧玲1赵艺龙1张会平1余悦超3白晓曼11（河南师范大学 物理与电子工程学院 新乡 453007）2（中国科学院上海应用物理研究所 嘉定园区 上海 201800）3（河南师范大学 新联学院 新乡 453007）在巨正则模型下，利用两相似反应系统的同质异位素产额比之差(Isobaric yield ratio difference, IBD)，研究中等质
核技术 2014年10期2014-01-19
- 靶膜对中子管中子产额的影响分析
影响到中子管中子产额的高低。多年来围绕靶膜的相关问题进行了较为深入的研究和分析，并在实际应用中加以验证。本文从靶膜材料的选择、靶膜镀制的工艺和靶膜厚度的确定等3个方面技术问题进行分析论述。1 靶结构及靶材料选用中子管靶结构是由靶基和靶膜2部分组成（见图1）。靶基结构是圆柱形，靶面可以设计为平面型，也可以为圆锥凹面型，如采用圆锥凹面型靶结构，则其表面积比平面靶扩大近1倍左右，承受离子束的轰击面积也将扩大1倍，有利于提高中子产额。靶基体材料应选择熔点高、在氢气
测井技术 2013年1期2013-12-03
- LuI3闪烁晶体的第一性原理研究*
测.由于具备高光产额、快衰减等特性,掺杂Ce3+离子的镥基闪烁体备受关注[1,2],有些晶体已经较为成熟,例如Lu2SiO5:Ce[3,4].近年来一种新的镥基闪烁体LuI3:Ce3+也逐渐进入人们的视野,该材料密度为5.6 g/cm3,具有很高的光产额(最高的报道可达76000 ph/MeV),是Lu2SiO5:Ce的两倍,在γ射线激发下产生峰值位于474 nm的发射,具有23—31 ns的快衰减,662 keVγ射线激发下的能量分辨率为11%[5,6]
物理学报 2013年6期2013-08-31
- 用于补偿中子孔隙度测井的可控中子源技术
源的缺点是其中子产额较低，只能达到1×106n／s。这主要是因为D－D源使用强度不够高的Penning离子源。Penning离子源的单原子离子产量较低（＜10%），因此美国Sandia国家实验室（Sandia National Laboratoires）开发了一种单原子氘离子产量大于90%的离子源。这种离子源也利用了D－D中子的方向性和脉冲模式的工作方式，使离子源在相同的输入功率下达到所要求的中子产额。现正在研发一种现场发射型离子源，使中子发生器的体积更小
测井技术 2013年1期2013-08-15
- 核测井探测器技术创新：LaBr3闪烁体响应函数开发
烁体具有较高的光产额（63光子／keV）和光电子产额（NaI的165%）、较快的初始衰减时间（16ns）和较好的伽马探测能量分辨率，且在－65～140℃温度范围内的光产额变化小于5%，这些特点使其适用于电缆和随钻核测井能谱仪器。探测器响应函数对脉冲中子地球化学和自然伽马能谱等测井仪器至关重要，油气测井专家研究了一种准确的LaBr3探测器响应函数，通过高效降方差技术获得脉冲幅度谱。基于蒙特卡罗模型的伽马响应函数程序（GAMDRF）可实现：①瑞利散射；②康普顿
测井技术 2013年1期2013-08-15
- 基于加速器7Li(p,n)反应的硼中子俘获治疗中子源的优化设计
,n)反应以中子产额大、反应阈能低等优点成为硼中子俘获治疗加速器驱动中子源所用中子反应的候选类型之一。本文重点研究了该中子产生反应作为加速器驱动中子源的中子产额及其能谱特性，并对产生的高能中子束流进行慢化，使其满足BNCT治疗要求。首先采用蒙特卡罗程序MCNPX2.5.0模拟加速器7Li(p,n)反应过程，得到1.9−3.0 MeV能量入射质子的中子产额及其能谱，并详细研究了质子入射能量为2.5 MeV的最佳条件下产生的中子束流特性；进而提出中子束流的慢化
核技术 2013年9期2013-02-24
- 离子源及厚靶参数对氘氚反应中子源中子产额的影响
-T中子源的中子产额及使用寿命，取决于离子源品质和厚靶状态，因此中子源物理设计须综合考虑这些参数对其性能指标的影响。本文给出厚靶D-T反应中子产额的模拟计算方法，并分析了离子源产生的束流品质及靶膜材料的选择对中子产额造成的影响。提出了中子源的优化设计思路，并分析其可行性。1 厚靶氘氚反应中子产额的模拟计算对于D-T中子源，其厚靶的积分中子产额由式(1)给出：其中，Y(E)为积分中子产额，E0为入射氘束能量，I0为入射氘束强度，NT为靶中氚的原子密度，σ(E
核技术 2012年8期2012-06-30
- 239Pu(nth,f)短寿命裂变产物产额测量
发239Pu裂变产额数据是非常重要的核参数，我国还未开展过相关实验测量工作。目前国际上短寿命核素产额测量方法有2种。一种是用径迹探测器记录裂变数[1]、直接γ能谱测量的绝对测量方法，这种方法的缺点是径迹探测器记录裂变数引入的不确定度比较大，约5%，使最后测量数据的不确定度偏大。另一种方法是利用同位素在线分离器设备(ISOL)做产额测量[2]，可以测量半衰期为0.1 s产物核的产额数据，但是由于实验设备复杂，引入误差的环节较多，使得测量结果的不确定度也比较大
核化学与放射化学 2012年2期2012-01-04
- 超短超强激光辐照靶物质产生K-alpha源
K-alpha线产额的影响；K-alpha光辐射的角分布；K-alpha光的脉冲宽度；K-alpha光的空间尺度；K-alpha线产额、激光K-alpha光转化效率；预脉冲对K-alpha线产额的影响；靶材结构及靶表面粗糙度对K-alpha产额的影响；各种条件下K-alpha线辐射的优化以及K-alpha线的应用等等。3.1 激光偏振状态对K-alpha线的影响[4]：由于P-偏振光与物质相互作用产生的超热电子的能量和产额远远高于S-偏振光与物质相互作用产
巢湖学院学报 2011年3期2011-11-13
- 影响中子管产额因素的分析
西安)影响中子管产额因素的分析刘 炯 骆庆锋 鲁 宁 麻惠生 闫水浪 魏阿勃(中国石油测井集团有限公司随钻测井中心 陕西西安)通过中子管计算产额与实际产额的对比,从理论和试制经验分析了导致中子产额下降的几个因素,为中子管设计改进和工艺优化提供了参考。中子管;产额;影响因素0 引 言对一定型号中子管产品,其中子产额的潜力有多大?有怎样的期待值可挖掘或者评判中子管工作在什么样的状态?对确定的工作参数下,我们应该有一个可信的基准作为参考来比较实际工作中的中子管,
石油管材与仪器 2010年6期2010-11-04
- 一种新型的小直径150℃中子发生器
命长,但是在相同产额情况下负载重、产额低,这样的特点对密封高压提出了更高的要求。密封高压在耐受温度更高、使用寿命更长的苛刻条件下还需要提高负载能力,从设计上出现了瓶颈,没能解决强负载能力的密封高压,而中子管的靶流也没有得到有效的降低。由于这个原因,一直以来没有形成150℃中子发生器的完整技术,也就没有形成150℃的测井仪器。这极大的影响了仪器从135℃向150℃提升的进程。本项目的开展正是针对这个问题,2009年底最终研制出了长寿命耐高温的自成靶中子管和负
石油管材与仪器 2010年4期2010-02-06
- 0.57、1.0和1.5 MeV中子诱发235U裂变时95Zr、140Ba和147Nd产额的绝对测量
裂变时的裂变产物产额已有一些测量结果发表[1-4]。但入射中子能量从热能到2 MeV能区仅有美国阿贡实验室[2]和英国AERE的Harwell实验室[3]测量的部分核素的产额。文献[2]给出了0.17～8.1 MeV能区内共9个能量点的裂变产物产额，并给出了较宽能量范围内多个核素的裂变产额随入射中子能量的变化曲线，但这项测量工作的目的是研究质量分布曲线随中子入射能量的变化规律，在一些实验细节方面做了简化，因此产额数据的精度不高。Harwell实验室[3]利
核化学与放射化学 2010年6期2010-01-26
- D-T中子源的反冲质子望远镜模拟研究
于监测D-T中子产额的反冲质子望远镜系统，采用MCNP程序模拟了14 MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布，通过对反冲质子的产额、能谱和角分布数据的分析，给出了用于D-T中子产额监测的反冲质子望远镜系统的聚乙烯膜最佳厚度和探测器放置位置。建立了D-T中子源模型，模拟设计了反冲质子望远镜系统，并给出了系统的探测效率。D-T中子发生器，聚乙烯膜，反冲质子望远镜，MCNP利用 T(d,n)4He反应的加速器中子源应用于核数据测量、聚
核技术 2010年1期2010-01-16